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磨削磨轮的制作方法和磨削磨轮与流程

  • 国知局
  • 2024-06-20 14:43:44

本发明涉及磨削半导体晶片的磨削磨轮的制作方法和磨削半导体晶片的磨削磨轮。

背景技术:

1、例如在半导体器件的制造工艺中,在作为板状的被加工物的半导体晶片的正面形成多个ic(integrated circuit:集成电路)或lsi(large scale integration:大规模集成电路)等电路元件(器件)之后,利用磨削装置对半导体晶片的背面进行磨削而薄化至规定的厚度,利用切削装置对薄化后的半导体晶片进行切削,由此制造各个半导体器件。

2、例如在磨削装置中,一边向半导体晶片的上表面供给磨削水,一边通过呈环状具备磨削用的磨具(磨削磨具)的磨削单元对半导体晶片的上表面进行磨削。在半导体晶片等被加工物的磨削中使用的磨削磨轮构成为:在形成为圆环状的由铝等构成的磨轮基台的底面形成有槽形状的磨具埋设部,磨具通过适当的粘接剂粘接而埋设于槽,磨具从底面突出规定量。并且,磨削磨轮安装于磨削装置的主轴,磨削磨轮通过主轴的旋转而旋转,磨具一边旋转一边与被加工物接触而施加按压力,由此进行该被加工物的磨削(例如,参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2014-124690号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、专利文献1的磨削磨轮在形成于圆环状的磨轮基台的槽部埋设磨具并利用粘接剂进行固定。粘接剂使用热固化性树脂,但固化耗费时间(例如,在80℃耗费2~4小时),因此存在生产率降低的问题。另外,若使用紫外线固化树脂,则能够缩短固化时间(数10秒),但由于磨具不透过紫外线,因此无法对磨具的底面部照射紫外线,因此存在固定力不足的问题。

3、本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供一种磨削磨轮的制作方法和磨削磨轮,能够高效地将磨具埋设并固定在形成于圆环状的磨轮基台的槽部。

4、用于解决课题的手段

5、为了解决上述课题并实现目的,本发明的磨削磨轮的制作方法是磨削被加工物的磨削磨轮的制作方法,其特征在于,该磨削磨轮的制作方法具备:混合剂制作步骤,使液态的紫外线固化树脂与液态的厌氧性树脂混合而制作混合剂;混合剂填充步骤,向在端面形成有埋设磨具的环状的槽部的圆环状的磨轮基台的该槽部填充该混合剂;磨具插入步骤,以磨具的一端侧埋设于该槽部,该磨具的另一端侧从该端面突出的方式,将磨具插入到填充有该混合剂的该槽部;以及固化步骤,在该磨具插入步骤之后,朝向该端面照射紫外线,使该混合剂固化,通过厌氧性树脂基于空气阻断的固化和紫外线固化树脂基于紫外线照射的固化这两个作用使混合剂固化。

6、也可以是,在该磨具插入步骤之前,进一步具备固化促进剂涂布步骤,在该磨具的埋设于该槽部的位置的表面涂布固化促进剂。

7、另外,为了解决上述课题并实现目的,本发明的磨削磨轮是磨削被加工物的磨削磨轮,其特征在于,该磨削磨轮包括:圆环状的磨轮基台,其在端面形成有埋设磨具的环状的槽部;磨具,其以一端侧埋设于该槽部,另一端侧从该端面突出的方式配设;以及粘接剂,其填充于该槽部的内表面与该磨具的边界位置,该粘接剂是混合有紫外线固化树脂与厌氧性树脂的混合剂。

8、也可以是,在该磨具与该粘接剂之间形成促进厌氧性树脂的固化的固化促进剂。

9、发明效果

10、本申请发明在将磨具粘接于磨轮基台的槽部的内侧的粘接剂中使用混合有紫外线固化树脂与厌氧性树脂的混合剂,因此对于紫外线难以到达的部分,通过空气阻断使厌氧性树脂固化,对于空气阻断困难的部分,通过紫外线的照射使紫外线固化树脂固化,使混合剂高效地固化,从而能够高效地将磨具埋设并固定在形成于圆环状的磨轮基台的槽部。

技术特征:

1.一种磨削磨轮的制作方法,其是磨削被加工物的磨削磨轮的制作方法,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的磨削磨轮的制作方法,其中,在该磨具插入步骤之前,进一步具备固化促进剂涂布步骤,在该磨具的埋设于该槽部的位置的表面涂布固化促进剂。

3.一种磨削磨轮,其是磨削被加工物的磨削磨轮,其特征在于,该磨削磨轮包括:

4.根据权利要求3所述的磨削磨轮,其特征在于,在该磨具与该粘接剂之间形成促进厌氧性树脂的固化的固化促进剂。

技术总结本发明提供磨削磨轮的制作方法和磨削磨轮,能够高效地将磨具埋设并固定在形成于圆环状的磨轮基台的槽部。磨削磨轮的制作方法具备:混合剂制作步骤,使液态的紫外线固化树脂与液态的厌氧性树脂混合而制作混合剂;混合剂填充步骤,向在端面形成有埋设磨具的环状的槽部的圆环状的磨轮基台的槽部填充混合剂;磨具插入步骤,以磨具的一端侧埋设在槽部中,磨具的另一端侧从端面突出的方式,将磨具插入到填充有混合剂的槽部;以及固化步骤,朝向端面照射紫外线,使混合剂固化,通过厌氧性树脂基于空气阻断的固化和紫外线固化树脂基于紫外线照射的固化这两个作用使混合剂固化。技术研发人员:关谷胜彦受保护的技术使用者:株式会社迪思科技术研发日:技术公布日:2024/6/11

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