一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件的制作方法

本发明涉及半导体材料，尤其是涉及一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件。

背景技术：

1、有机电致发光器件(oled)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中，并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域，一直是本领域的一项重要课题。

2、蓝色有机电致发光器件一直是全色oled发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，在低电流密度下由于空穴优先注入，在一定程度上缓解了空穴传输侧的压力，随着电流密度的增加，电子注入的量会越来越多，导致复合区域向空穴侧偏移，对空穴侧的压力越来越大，为了防止激子向空穴侧传递，因此要求发光辅助层材料能够有效的阻挡激子，并且能够高效的将空穴传输至发光层。目前发光辅助层材料多为传统芳胺结构，支链选择咔唑基团或二苯并呋喃基团，这类结构的抗激子稳定性仍无法满足需求，高电流密度下的空穴迁移率仍需提高，这样才能保证发光层的载流子平衡，防止由于空穴不足，复合区域向空穴传输一侧偏移，导致器件效率降低，寿命变短。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种芳香族胺类化合物，本发明化合物在高电流密度下具有优异的空穴迁移率和激子阻挡能力，通过使用本发明的芳香族胺类化合物来形成有机电致发光器件的发光辅助层材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是器件效率提升非常显著。本发明的技术方案如下：一种芳香族胺类化合物，所述化合物的结构如通式(i)所示：

2、

3、所述n、a、b分别独立的表示为数字0、1或2；

4、所述r、ra、rb分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

5、所述l1、l2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚二联苯基或亚三联苯基，且l1、l2不同时表示为单键；

6、所述r1、r2分别独立的表示为取代或未取代的c6-c30芳基或式(a)所示结构；

7、

8、所述x表示为氧原子或硫原子；

9、所述e表示为数字1或2；c、d分别独立的表示为数字0、1或2；

10、所述rc、rd分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

11、所述＊表示通式中桥联基团萘基的可连接位点；

12、上述取代或未取代基团的取代基任选自氘原子、c6-c30芳基、5-30元杂芳基；

13、所述杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子。

14、优选方案，所述化合物的结构如通式(ⅱ)所示：

15、

16、所述n、a、b分别独立的表示为数字0、1或2；

17、所述r、ra、rb分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

18、所述l1、l2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚二联苯基或亚三联苯基，且l1、l2不同时表示为单键；

19、所述r1、r2分别独立的表示为取代或未取代的c6-c30芳基或式(a)所示结构；

20、

21、所述x表示为氧原子或硫原子；

22、所述e表示为数字1或2；c、d分别独立的表示为数字0、1或2；

23、所述rc、rd分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

24、所述＊表示通式中桥联基团萘基的可连接位点；

25、上述取代或未取代基团的取代基任选自氘原子、c6-c30芳基、5-30元杂芳基；

26、所述杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子。

27、优选方案，所述化合物的结构如通式(ⅱ-1)～通式(ⅱ-6)任一项所示：

28、

29、

30、所述n、a、b分别独立的表示为数字0、1或2；

31、所述r、ra、rb分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

32、所述l1、l2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚二联苯基或亚三联苯基，且l1、l2不同时表示为单键；

33、所述r1、r2分别独立的表示为取代或未取代的c6-c30芳基或式(a)所示结构；

34、

35、所述x表示为氧原子或硫原子；

36、所述e表示为数字1或2；c、d分别独立的表示为数字0、1或2；

37、所述rc、rd分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

38、上述取代或未取代基团的取代基任选自氘原子、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二甲基芴基、二苯基芴基。

39、优选方案，所述化合物的结构如通式(ⅲ-1)～通式(ⅲ-12)任一项所示：

40、

41、

42、所述n、a、b分别独立的表示为数字0、1或2；

43、所述r、ra、rb分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

44、所述l1、l2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚二联苯基或亚三联苯基，且l1、l2不同时表示为单键；

45、所述r1、r2分别独立的表示为取代或未取代的c6-c30芳基或式(a)所示结构；

46、

47、所述x表示为氧原子或硫原子；

48、所述e表示为数字1或2；c、d分别独立的表示为数字0、1或2；

49、所述rc、rd分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

50、上述取代或未取代基团的取代基任选自氘原子、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二甲基芴基、二苯基芴基。

51、优选方案，所述化合物的结构如通式(1-1)～通式(1-6)任一项所示：

52、

53、通式(1-1)～通式(1-6)中，所述n、a、b、r、ra、rb、r1、r2、l1、l2的定义同上文中的限定。优选方案，所述化合物的结构如通式(1-7)～通式(1-12)所示；

54、

55、通式(1-7)～通式(1-12)中，所述a、ra、r1、r2、l1、l2的定义同上文通式(1)中的限定。优选方案，所述化合物的结构如通式(1-13)～通式(1-18)所示；

56、

57、通式(1-13)～通式(1-18)中，所述b、rb、r1、r2、l1、l2的定义同上文通式(1)中的限定。优选方案，所述化合物的结构如通式(1-19)～通式(1-24)所示：

58、

59、通式(1-19)～通式(1-24)中，所述n、r、r1、r2、l1、l2的定义同上文通式(1)中的限定。优选方案，所述化合物的结构如通式(1-25)～通式(1-30)所示；

60、

61、通式(1-25)～通式(1-30)中，所述r1、r2、l1、l2的定义同上文通式(1)中的限定。

62、优选方案，所述化合物的结构如通式(1-31)～通式(1-36)所示；

63、

64、通式(1-31)～通式(1-36)中，所述r1、r2、l1、l2的定义同上文通式(1)中的限定。

65、优选方案，所述r1、r2分别独立的表示为如下所示任一结构：

66、

67、所述x表示为氧原子或硫原子；

68、所述e表示为数字1或2；c、d分别独立的表示为数字0、1或2；

69、p、q分别独立的表示为数字0、1或2；

70、所述rc、rd分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基；

71、所述re、rf、rg、rh分别独立的表示是氢原子、氘原子、苯基、萘基或联苯基。

72、优选方案，所述r、ra、rb、rc、rd分别独立的表示为如下所示任一结构：

73、

74、所述l1、l2分别独立的表示为如下所示任一结构：

75、

76、所述r1、r2分别独立的表示为如下所示任一结构：

77、

78、优选方案，所述r1、r2分别独立的表示为如下所示任一结构：

79、

80、

81、优选芳香族胺类化合物的结构为如下结构中的任一种：

82、

83、

84、

85、

86、

87、

88、

89、

90、

91、

92、

93、本发明还提供一种有机电致发光器件，其依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，所述空穴传输区域包含所述芳香族胺类化合物。

94、优选方案，所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和发光层辅助层，所述发光层辅助层包含所述的芳香族胺类化合物。

95、本发明有益的技术效果在于：

96、(1)本发明芳香族胺类化合物基团之间的特殊搭配连接方式使得本发明申请化合物具有更加优异的激子阻挡能力，使得激子更好地局域在发光区域，保证发光区域激子浓度较高，进而提升发光效率。

97、本发明申请化合物具有更优异的高电流密度下的空穴迁移率，应用于器件，在提升器件效率的同时，具有优异的器件寿命。

98、(2)本发明申请化合物的连接方式和特定种类基团，确保了在芳胺分子结构内形成具有差异化的载流子传导的能级，进而形成不同的载流子传导通道，这有利于不同能级材料搭配之间的载流子注入和传导，进而有利于获得所述本发明申请化合物与邻接层材料之间的界面稳定性，从而有利于获得应用器件的良好的驱动寿命。

99、(3)本发明申请化合物结构稳定，在高电流密度下空穴注入变强的情况下，依然能够通过不同的载流子传导通道将空穴传导到发光层，保证了在高电流密度下的空穴浓度，进而提升器件的发光效率。

100、(4)本发明申请化合物的结构特征有利于提升分子的玻璃化转移温度，同时有利于降低分子的蒸镀温度，也就是说即使结构的分子量比较高，但是却能确保具备较低的蒸镀温度，这种优异的性能不仅仅有利于材料的热蒸镀，控制材料的热分解率，从而提升材料在器件应用上的稳定性。