控制单晶硅低氧产品BMD的方法与流程

本发明属于低氧p型晶棒拉晶的，具体涉及一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法。

背景技术：

1、通常状况下，在芯片制成中氧析出物可以吸附一些表面的金属杂质(如：cu、fe、na等......)等快速扩散元素；而这种作用的效率，是和氧析出物bmd(bulk micodefectdensity)的浓度成正比的，近年来，不同的芯片元件对于bmd的规格要求不同，不符合bmd规格要求的产品，判定为不合格品，如果产品的bmd比规格要求低，导致产品不良率高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法，包括如下步骤：

4、s1：根据预定的bmd水平，通过预定计算式，计算得到掺氮量的范围；

5、s2：计算得到掺氮量的范围进行多次实验，得到预定的bmd水平下的掺氮量；

6、s3：在晶棒拉制过程中，将得到的预定的bmd水平下的掺氮量投入到硅料中进行拉晶，以使拉制的晶棒的bmd达到预定水平。

7、优选地，所述预定计算式为：y＝kmn+b；

8、其中：y为bmd密度/ea/cm3，mn为掺氮量/g，k＝1.502e+10～2.379e+10；b＝8.8e+7～8.46e+8。

9、优选地，所述s3步骤中，拉晶过程中，使用氮化硅进行掺氮。

10、优选地，在晶棒拉制过程中，在投料过程中将所述氮化硅投入到硅料中。

11、优选地，所述氮化硅中掺氮量的计算式为：

12、mn＝kπr2ρd；

13、其中：k为氮在氮化硅片中的比重，π为圆周率，r为氮化硅片半径，ρ为氮化硅片的密度，d为氮化硅的膜厚。

14、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

15、本发明提供的一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法，通过掺氮量的控制，使得拉晶过程中，氮能够促进氧析出物的形成、促进空位和间隙的再结合，从而使得氧析出的边界半径变小，从而影响bmd的密度，以使拉制的晶棒的bmd达到预定水平，使其作为金属吸杂源有效地发挥作用，进而产品符合要求，使得产品良率提高。

技术特征：

1.一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：所述预定计算式为：y=kmn+b；

3.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：所述s3步骤中，拉晶过程中，使用氮化硅进行掺氮。

4.如权利要求3所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：在晶棒拉制过程中，在投料过程中将所述氮化硅投入到硅料中。

5.如权利要求3所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：所述氮化硅中掺氮量的计算式为：

技术总结本发明提供一种控制单晶硅低氧产品BMD的方法，涉及低氧P型晶棒拉晶技术领域，通过掺氮量的控制，使得拉晶过程中，氮能够促进氧析出物的形成、促进空位和间隙的再结合，从而使得氧析出的边界半径变小，从而影响BMD的密度，以使拉制的晶棒的BMD达到预定水平，使其作为金属吸杂源有效地发挥作用，进而产品符合要求，使得产品良率提高。技术研发人员：李小红,芮阳,曹启刚,王黎光,伊冉,马吟霜,王忠保受保护的技术使用者：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29