用于碳化硅晶体生长的盖体及装置的制作方法

本技术涉及碳化硅生长，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶体生长的盖体及装置。

背景技术：

1、碳化硅作为新兴的第三代半导体核心材料，具有宽禁带、高临界击穿电场强度、高电子迁移率以及良好的抗辐照性和化学稳定性等优异性，这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料，在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景，现有的pvt法生长碳化硅晶体，大多需要先合成碳化硅粉末，现有的pvt发生长碳化硅晶体，籽晶一般有粘接或者夹持等固定方式。

2、经发明人研究发现，现有的一些对籽晶通过夹持式的固定方式固定时，为了稳定的支撑籽晶，夹持结构会与籽晶的生长面有较大的接触，因此在籽晶上生长出的晶锭顶部外缘会有较多的多晶或者缺陷，该多晶或者缺陷对应的晶锭外壁需要切削去除，会造成晶锭的浪费。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种用于碳化硅晶体生长的盖体，其能够减少晶锭的浪费。

2、本实用新型的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本实用新型提供一种用于碳化硅晶体生长的盖体，包括：

4、籽晶盖，籽晶盖包括同轴设置的第一盖体及第二盖体，第一盖的径向尺寸大于第二盖体，第一盖体与第二盖体共同限定出安装缺口；

5、第一石墨纸，第一石墨纸具有露出第二盖体的通孔且呈环状，第一石墨纸安装于安装缺口内，第一石墨纸与第一盖体及第二盖体的外壁粘接；

6、第二石墨纸，第二石墨纸盖设于第一石墨纸及第二盖体，第二石墨纸与第一石墨纸的端面连接，第二石墨纸与第二盖体远离第一盖体的端面粘接；

7、籽晶，籽晶与第二石墨纸远离第二盖体的一面粘接。

8、在可选的实施方式中，第一石墨纸靠近第一盖体的一端与远离第一盖体的一端之间的尺寸小于第二盖体的厚度尺寸。

9、在可选的实施方式中，安装缺口的径向尺寸范围在1～50mm范围内。

10、在可选的实施方式中，第一盖体靠近第二盖体的一端的还具有围板，围板与第二盖体的外周壁相对。

11、在可选的实施方式中，围板在第一盖体轴线方向上的长度尺寸小于或等于第二盖体的厚度尺寸。

12、在可选的实施方式中，第一盖体与第二盖体一体成型。

13、在可选的实施方式中，安装缺口在第二盖体轴线方向上的深度尺寸范围在0.1～10mm范围内。

14、在可选的实施方式中，第二盖体的径向尺寸范围在50～250mm范围内。

15、第二方面，本实用新型提供一种用于碳化硅晶体生长的装置，包括坩埚及前述实施方式任一项的盖体，籽晶盖与坩埚连接。

16、在可选的实施方式中，还包括预置环，预置环安装于坩埚内，预置环与所述籽晶在预设平面内具的投影具有重合部分，预设平面与籽晶盖的轴向垂直，重合部分的径向尺寸范围在0～3mm范围内。

17、本实用新型实施例的有益效果是：本实用新型实施例提供了一种用于碳化硅晶体生长的盖体及装置，用于碳化硅晶体生长的装置包括用于碳化硅晶体生长的盖体，用于碳化硅晶体生长的盖体包括籽晶盖、第一石墨纸、第二石墨纸及籽晶。籽晶盖包括同轴设置的第一盖体及第二盖体，第一盖体的径向尺寸大于第二盖体，第一盖体与第二盖体共同限定出安装缺口。第一石墨纸具有露出第二盖体的通孔且呈环状，第一石墨纸安装于安装缺口内，第一石墨纸与第一盖体及第二盖体的外壁粘接。能够保证籽晶能够稳定的安装在籽晶盖上，此时，再通过夹持结构夹持时，可以减少预置环与籽晶的生长面的接触面积，从而能够降低籽晶上生长出的晶锭顶部外缘的多晶或缺陷情况。也即，对应晶锭外壁需要切削的部分就会降低，从而能够减少晶锭的浪费。

技术特征：

1.一种用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的盖体，其特征在于：

9.一种用于碳化硅晶体生长的装置，其特征在于，包括坩埚(2)及权利要求1-8任一项所述的盖体，所述籽晶盖(10)与所述坩埚(2)连接。

10.根据权利要求9所述的用于碳化硅晶体生长的装置，其特征在于：

技术总结本技术实施例提供了一种用于碳化硅晶体生长的盖体及装置，涉及碳化硅生长技术领域。用于碳化硅晶体生长的装置包括用于碳化硅晶体生长的盖体，用于碳化硅晶体生长的盖体包括籽晶盖、第一石墨纸、第二石墨纸及籽晶。籽晶盖包括同轴设置的第一盖体及第二盖体，第一盖体与第二盖体共同限定出安装缺口。第一石墨纸具有露出第二盖体的通孔且呈环状，第一石墨纸安装于安装缺口内，第一石墨纸与第一盖体及第二盖体的外壁粘接。能够保证籽晶能够稳定的安装在籽晶盖上，此时，再通过夹持结构夹持时，可以减少夹持结构与籽晶的生长面的接触面积，因此对应晶锭外壁需要切削的部分就会降低，从而能够减少晶锭的浪费。技术研发人员：韩江山受保护的技术使用者：通威微电子有限公司技术研发日：20231117技术公布日：2024/6/13