保护膜形成用复合片的制作方法

本发明涉及保护膜形成用复合片。本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092014号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术：

1、近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。

2、在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

3、为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。

4、作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后，保持贴附有该保护膜的状态，将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。另外，有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。

5、然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。

6、然而，不确定专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜对支撑片的粘着力是否合适。此外，对于专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜，虽然公开了其形成在支撑片上，但不确定对支撑片的粘着力是否合适。如上所述，专利文献1及2中公开的保护膜形成用膜的拾取适性尚不明确。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：日本专利第5144433号公报

10、专利文献2：日本特开2010-031183号公报

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题

2、本发明的目的在于提供一种具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，其可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜，具有良好的拾取适性。

3、解决技术问题的技术手段

4、本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、并在所述支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜与所述支撑片之间的粘着力为50～1500mn/25mm。

5、在本发明的保护膜形成用复合片中，所述保护膜形成用膜与所述支撑片之间的粘着力可以为80mn/25mm以上。

6、在本发明的保护膜形成用复合片中，所述支撑片的、与所述保护膜形成用膜直接接触的层可以为非能量射线固化性。

7、本发明的保护膜形成用复合片也可以在所述保护膜形成用膜或支撑片上进一步具备夹具用粘合剂层。

8、发明效果

9、通过使用本发明的保护膜形成用复合片，可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜，可将具备保护膜的半导体芯片良好地从支撑片上剥离，进行拾取。

技术特征：

1.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、并在所述支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，

3.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜与所述支撑片之间的粘着力为690～1500mn/25mm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用复合片，其在所述保护膜形成用膜或支撑片上进一步具备夹具用粘合剂层。

技术总结本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、并在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。技术研发人员：米山裕之,稻男洋一,小桥力也受保护的技术使用者：琳得科株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/16