三维存储器阵列的过渡结构的制作方法

本涉及三维存储器阵列的过渡结构。

背景技术：

1、存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程为两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，所述状态中的任一个可被存储。为存取所存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的所存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。可根据易失性配置或非易失性配置描述存储器单元。以非易失性配置配置的存储器单元即使在没有外部电源的情况下也可在很长一段时间内维持所存储逻辑状态。以易失性配置配置的存储器单元在与外部电源断开连接时可能会失去所存储状态。

技术实现思路

1、描述一种设备。所述设备可包含：多个存取线解码器，其至少部分地位于衬底中；多个字线板，其竖直地布置在所述衬底上方且通过相应介电层彼此分离，每一字线板包括多个字线构件，所述多个字线构件各自在第一水平方向上延伸且延伸到存储器区中；第一多个通孔，其竖直地延伸穿过所述多个字线板，所述第一多个通孔布置于在所述第一水平方向上延伸的行和在第二水平方向上延伸的列中，所述第一多个通孔中的每一通孔与所述多个存取线解码器中的相应存取线解码器耦合；及第二多个通孔，其竖直地延伸穿过所述多个字线板，所述第二多个通孔中的每一通孔与所述多个存取线解码器电隔离，且所述第二多个通孔的子集布置于在所述第二水平方向上延伸的列中且在所述第一水平方向上位于所述第一多个通孔与所述存储器区之间。

2、描述一种方法。所述方法可包含：在衬底上竖直地沉积层堆叠，所述层堆叠包括第一材料与第二材料的交替层，所述第一材料包括介电材料，且所述衬底包括多个存取线解码器；蚀刻穿过所述层堆叠的多个空腔，所述多个空腔布置于在第一水平方向上延伸的行和在第二水平方向上延伸的列中；及在所述多个空腔中沉积导电材料以在所述多个空腔的第一子集中形成第一多个通孔且在所述多个空腔的第二子集中形成第二多个通孔，所述第一多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器中的相应存取线解码器耦合，且所述第二多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器电隔离，且所述第二多个通孔中的每一个在所述第一水平方向上位于所述第一多个通孔与存储器区之间，所述存储器区包括形成于所述层堆叠中的存储器单元。

3、描述一种存储器阵列。所述存储器阵列可由包含以下各项的过程形成：在衬底上竖直地沉积层堆叠，所述层堆叠包括第一材料与第二材料的交替层，所述第一材料包括介电材料，且所述衬底包括多个存取线解码器；蚀刻穿过所述层堆叠的多个空腔，所述多个空腔布置于在第一水平方向上延伸的行和在第二水平方向上延伸的列中；及在所述多个空腔中沉积导电材料以在所述多个空腔的第一子集中形成第一多个通孔且在所述多个空腔的第二子集中形成第二多个通孔，所述第一多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器中的相应存取线解码器耦合，且所述第二多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器电隔离，且所述第二多个通孔中的每一个在所述第一水平方向上位于所述第一多个通孔与存储器区之间，所述存储器区包括形成于所述层堆叠中的存储器单元。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个触点中的每一触点悬垂于所述第三多个通孔中的相应通孔上。

7.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：

8.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：

10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

11.一种方法，其包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个触点中的每一触点悬垂于所述第三多个通孔中的相应通孔上。

17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述第二多个触点中的每一触点进一步包括沉积定位于所述第二导电材料上方的第三导电材料和定位于所述第三导电材料上方的氧化物材料，所述第二多个触点中的每一触点与所述第一多个通孔中的相应通孔耦合。

19.根据权利要求11所述的方法，其中在所述多个空腔中沉积所述导电材料在所述多个空腔的第三子集中形成第三多个通孔，所述第三多个通孔布置于在所述第二水平方向上延伸的行中，所述第三多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器电隔离。

20.一种存储器阵列，其由包括以下各项的过程形成：

21.根据权利要求20所述的存储器阵列，其中所述过程进一步包括：

22.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述过程进一步包括：

23.根据权利要求20所述的存储器阵列，其中所述过程进一步包括：

24.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述过程进一步包括：

25.根据权利要求20所述的存储器阵列，其中在所述多个空腔中沉积所述导电材料在所述多个空腔的第三子集中形成第三多个通孔，所述第三多个通孔布置于在所述第二水平方向上延伸的行中，所述第三多个通孔中的每一个与所述多个存取线解码器电隔离。

技术总结本申请是针对三维存储器阵列的过渡结构。存储器装置可包含阶梯区，所述阶梯区包含通孔集合。所述通孔集合可包含将存储器区的相应字线板与相关联字线解码器耦合的第一通孔子集，及与所述字线板电隔离的第二通孔子集。所述第二通孔子集可布置于定位于所述第一通孔子集与所述存储器区之间的一或多个行中。在一些情况下，所述第二通孔子集可定位于相应导电触点上方。另外或替代地，所述第二通孔子集可定位于与所述存储器区的柱共享的公共导体上方。技术研发人员：罗双强,I·V·恰雷,徐丽芳受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16