基于相变存储器的脉冲突触设备以增加权重更新的线性的制作方法

背景技术：

1、本发明总体上涉及计算领域，并且更具体地涉及相变存储器。

2、相变存储器或pcm是利用半导体合金的一种非易失性随机存取存储器，该半导体合金可以在具有低电阻的有序结晶相与具有高电阻的无序非晶(amorphous)相之间快速改变；可以测量流过所述pcm单元的电流的电阻以识别所述单元的相位，从而允许所述单元存储位信息并且用作存储器。pcm是非易失性的，因为不需要电力来保持材料的任一相。pcm具有作为存储级内存的强候选者以便填充闪存和dram之间的性能间隙的潜力，并且可以在速度和可扩展性、非易失性和功耗等方面提供强大的益处。

技术实现思路

1、根据一个实施例，提供了一种用于增加相变存储器(pcm)单元的权重更新的线性度的方法、计算机系统和计算机程序产品。本发明可以包括：施加复位(reset)脉冲以使pcm单元的相变材料非晶化；响应于施加复位脉冲，向pcm单元施加孵育(incubation)脉冲；以及施加多个部分置位(set)脉冲以递增地增加所述pcm单元的电导。

技术特征：

1.一种用于增加相变存储器(pcm)单元的权重更新的线性的处理器实现方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孵育脉冲的振幅和宽度基于包括所述pcm单元的相变材料的孵育时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部分置位脉冲的振幅和/或宽度被预先确定以产生落在方差的阈值水平以下的权重更新行为。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部分置位脉冲进一步包括预退火部件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述预退火组件的振幅和宽度被配制为提高晶体生长速率。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

8.一种用于增加相变存储器(pcm)单元的权重更新的线性的计算机系统，所述计算机系统包括：

9.根据权利要求8所述的计算机系统，进一步包括：

10.根据权利要求8所述的计算机系统，其中，所述孵育脉冲的振幅和宽度基于包括所述pcm单元的相变材料的孵育时间。

11.根据权利要求8所述的计算机系统，其中，所述部分置位脉冲的振幅和/或宽度被预先确定以产生落在方差的阈值水平以下的权重更新行为。

12.根据权利要求8所述的计算机系统，其中，所述多个部分置位脉冲进一步包括预退火组件。

13.根据权利要求12所述的计算机系统，其中，所述预退火部件的振幅和宽度被配制为提高晶体生长速率。

14.根据权利要求8所述的计算机系统，进一步包括：

15.一种用于增加相变存储器(pcm)单元的权重更新的线性的计算机程序产品，所述计算机程序产品包括：

16.根据权利要求15所述的计算机程序产品，进一步包括：

17.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述孵育脉冲的振幅和宽度基于包括所述pcm单元的相变材料的孵育时间。

18.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述部分置位脉冲的振幅和/或宽度被预先确定以产生落在方差的阈值水平以下的权重更新行为。

19.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述多个部分置位脉冲进一步包括预退火组件。

20.根据权利要求19所述的计算机程序产品，其中，所述预退火部件的振幅和宽度被配制为提高晶体生长速率。

技术总结根据一个实施例，提供了一种用于增加相变存储器(PCM)单元的权重更新的线性的方法、计算机系统和计算机程序产品。本发明可以包括：施加复位脉冲以使PCM单元的相变材料非晶化；响应于施加复位脉冲，向PCM单元施加孵育脉冲；以及施加多个部分置位脉冲以递增地增加所述PCM单元的电导。技术研发人员：F·卡尔塔,M·J·布莱斯基,金完起,M·布维尔,金相汎受保护的技术使用者：国际商业机器公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15