存储器装置及存储器装置的操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及存储器装置，并且具体地，涉及用于在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法。

背景技术：

1、存储器系统是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体实现的储存装置。存储器系统分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是当供电中断时其内所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例包括静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存储器装置是即使在供电中断时其内所存储的数据仍保留的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

2、非易失性存储器装置的单元是可以对其执行电编程/擦除操作的元件。非易失性存储器装置可以通过随着电子因施加到单元的薄氧化物膜的强电场移动而改变单元的阈值电压，来对单元执行编程操作和擦除操作。

3、可以通过用于在向已经连接到被选为编程目标的存储器单元的字线施加具有逐步增加的电压的编程脉冲的同时改变被选为编程目标的存储器单元的阈值电压的增量步进脉冲编程(ispp)算法来执行非易失性存储器装置中包括的多个存储器单元的编程操作。此外，在施加编程脉冲之后，可以执行检查被选为编程目标的存储器单元的阈值电压电平是否已经达到目标电压电平的验证操作。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及能够在编程验证操作中选择性地执行通过位掩蔽操作的存储器装置及其操作方法。

2、本公开所要解决的问题并不限于上述问题，并且本领域技术人员从以下描述将清楚地了解到其它未提及的问题。

3、在本公开的实施方式中，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，所述多个存储器单元连接在多条字线和多条位线之间并且具有基于n个阈值电压电平而划分的编程状态；以及控制器，其被配置为：将被选为验证目标的单元划分为与n个阈值电压电平相对应的n个组，以及如果n个组中的被选组对应于n个阈值电压电平当中除了最高阈值电压电平之外的其余阈值电压电平，则在编程操作中包括的验证区间中当被选组中检查到具有编程失败状态的单元的数量少于参考数量时，执行确定被选组具有编程通过状态的通过掩蔽操作。控制器可以被配置为如果被选组对应于最高阈值电压电平，则在验证区间中不对被选组执行通过掩蔽操作。

4、在本公开的实施方式中，一种存储器装置的操作方法可以包括：对连接在多条字线和多条位线之间的多个存储器单元当中被选为编程目标的存储器单元重复地执行编程循环，直到编程操作成功的操作，编程循环包括编程电压施加区间和验证区间；第一检查操作，其将被选为验证目标的单元划分为对应于n个阈值电压电平的n个组，并且在验证区间中检查n个组中的被选组是否对应于n个阈值电压电平当中除了最高阈值电压电平之外的其余阈值电压电平；第二检查操作，其检查被选组中的单元当中的检查到具有编程失败状态的单元的数量少于参考数量；第一确定操作，其当在第一检查操作中被选组对应于其余阈值电压电平并且在第二检查操作中检查到具有编程失败状态的单元的数量少于参考数量时，执行确定被选组具有编程通过状态的通过掩蔽操作；以及第二确定操作，其当在第一检查操作中被选组对应于最高阈值电压电平并且在第二检查操作中检查到具有编程失败状态的单元的数量少于参考数量时，在不执行通过掩蔽操作的情况下确定编程操作成功。

5、在本公开的实施方式中，一种存储器装置可以包括：存储器单元的行；以及控制电路，其被配置为通过根据通过掩蔽方案验证对该行中的部分存储器单元的编程操作以及在没有通过掩蔽方案的情况下验证对该行中的其余存储器单元的编程操作来执行编程操作。

6、根据本公开的实施方式，在存储器装置的编程验证操作中，可以基于已经被选为验证目标的存储器单元的目标阈值电压电平选择性地应用通过位掩蔽操作。

7、因此，能够最小化应用通过位掩蔽操作所花费的时间。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元控制所述控制电路单元，以在所述验证区间中在所述被选组中的单元当中检查到具有编程失败状态的单元的数量少于所述参考数量时，对所述被选组执行所述通过掩蔽操作。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制电路单元：

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制电路单元：

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述控制电路单元包括：

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述控制电路单元包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：

11.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，所述通过掩蔽操作包括将连接到所述被选组中的单元的所有位线的电位电平设置为编程禁止电位电平的操作。

13.根据权利要求12所述的操作方法，该操作方法还包括以下步骤：当在所述第二检查操作中检查到具有所述编程失败状态的单元的数量是所述参考数量或更多时，将与所述被选组中的单元当中的检查到具有所述编程通过状态的单元连接的位线的电位电平设置为所述编程禁止电位电平。

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，所述参考数量被设置为基于所述被选组中的单元的数量的可纠正错误的数量。

15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，所述第二检查操作包括以下步骤：

16.根据权利要求14所述的操作方法，其中，所述第二检查操作包括以下步骤：

17.一种存储器装置，该存储器装置包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，所述其余存储器单元对应于所述行的目标阈值电压中的最高阈值电压。

技术总结本申请涉及存储器装置及存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有基于N个阈值电压电平而划分的编程状态的多个单元；以及控制器，其被配置为：将被选为验证目标的单元划分为与N个阈值电压电平相对应的N个组，以及如果N个组中的被选组对应于N个阈值电压电平当中除了最高阈值电压电平之外的其余阈值电压电平，则在编程操作中包括的验证区间中当被选组中检查到具有编程失败状态的单元的数量少于参考数量时，执行确定被选组具有编程通过状态的通过掩蔽操作，其中，控制器被配置为如果被选组对应于最高阈值电压电平，则在验证区间中不对被选组执行通过掩蔽操作。技术研发人员：崔亨进受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27