存储器件及其操作方法与流程

本公开总体上涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种存储器件(memorydevice)及其操作方法。

背景技术：

1、储存器件(storage device)是在诸如计算机或智能电话的主机设备的控制下存储数据的器件。储储存器件可以包括用于存储数据的存储器件和用于控制存储器件的存储器控制器。

2、存储器件可以包括连接到字线的页面。随着字线之间的间隔或“间距”减小，承载电信号的字线会对相邻的和附近的字线产生电干扰。电干扰降低了存储在页面中的数据的可靠性。减少字线对字线干扰的现有技术方法在相邻字线上交替传输编程信号。不幸的是，在字线上交替传输信号降低了编程速度。由于编程速度必然降低，因此可能出现系统问题，这可能导致编程瓶颈。因此，需要一种解决这些问题的技术。

技术实现思路

1、本文公开的实施例减少或防止了字线对字线的电干扰。根据本公开的一个方面，提供了一种存储器件，包括：包括多个页面的存储单元阵列；外围电路，其被配置为执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以在接收到用于多个页面中的第一页面的编程命令和多个页面数据时，根据编程操作的阶段而基于多个页面数据中的一个页面数据对第二页面编程，并且基于其他页面数据对第一页面编程。

2、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器件的方法，该方法包括：从存储器控制器接收编程命令以及接收用于第一页面的第一页面数据到第三页面数据；基于所述第一页面数据来对与第一页面的下一页面相对应的第二页面编程；以及基于第二页面数据和第三页面数据编程第一页面。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述编程操作的阶段是编程开始阶段时，所述控制逻辑：

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述编程操作的阶段是编程中间阶段时，所述控制逻辑：

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述控制逻辑通过使用中间验证电压来对所述第二页面编程，使得包括在所述第二页面中的所述存储单元中的对应于所述一个页面数据的第一值的存储单元具有所述中间编程状态。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，使用所述tlc方法的编程状态包括对应于lsb数据、csb数据以及msb数据的组合的编程状态，lsb数据指最低有效位数据，csb数据指中央有效位数据，msb数据指最高有效位数据。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述中间验证电压的电平等于或低于用于验证对应于所述lsb数据的编程状态的验证电压的电平。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，在所述第二页面被编程之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用具有等于或低于所述中间验证电压的电平的中间读取电压来执行读取存储在所述第一页面中的所述先前页面数据的读取操作。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述编程操作的阶段是编程结尾阶段时，所述控制逻辑：

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述第一页面是正常页面，以及所述第二页面是虚拟页面。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制逻辑包括：

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制逻辑通过使用标志信息来确定所述编程操作的阶段是编程开始阶段、编程中间阶段以及编程结尾阶段中的一个。

12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述标志信息被包括在所述编程命令中，或者与所述编程命令一起从所述存储器控制器被接收。

13.一种操作存储器件的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述第二页面编程包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，对所述第一页面编程包括：

16.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述第二页面编程包括：

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：

18.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述第二页面编程包括：

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

技术总结本发明涉及存储器件及其操作方法。一种存储器件包括：包括多个页面的存储单元阵列；用于执行编程操作的外围电路；以及控制逻辑，其用于控制外围电路以在接收到用于多个页面中的第一页面的编程命令和多个页面数据时，根据编程操作的阶段而基于多个页面数据中的一个页面数据对第二页面编程，并且基于其他页面数据对第一页面编程。技术研发人员：金宗佑,辛泳哲受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13