半导体存储器装置的制作方法

本公开总体上涉及半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置以及该三维半导体存储器装置的制造方法。

背景技术：

1、半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。

2、根据存储数据的方法和保持数据的方法，半导体存储器装置可被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置是当供电中断时所存储的数据消失的存储器装置，非易失性半导体存储器装置是即使当供电中断时也保持所存储的数据的存储器装置。

3、近来，随着越来越多地使用便携式电子装置，已越来越多地使用非易失性半导体存储器装置，并且需要半导体存储器装置的高集成度和大容量以实现便携性和大容量。为了实现便携性和大容量，已提出了三维半导体存储器装置。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体存储器装置的方法，该方法可包括以下步骤：形成交替地层叠在源极结构上的多个牺牲图案和多个绝缘图案；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的多个沟道结构；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的第一沟槽和第二沟槽；通过第一沟槽和第二沟槽来利用多个导电图案替换牺牲图案；以及形成穿透一些导电图案和一些绝缘图案并位于第一沟槽和第二沟槽之间的栅极隔离层，其中，多个绝缘图案包括第二绝缘图案以及在第二绝缘图案与源极结构之间的第一绝缘图案，其中，栅极隔离层的最下部位于第二绝缘图案中，其中，第二绝缘图案的厚度比第一绝缘图案的厚度厚。

2、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括：层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个导电图案和多个绝缘图案；彼此间隔开的第一狭缝结构和第二狭缝结构，并且层叠结构插置在第一狭缝结构和第二狭缝结构之间；穿透层叠结构的一部分的第一栅极隔离层，该第一栅极隔离层设置在第一狭缝结构和第二狭缝结构之间；穿透层叠结构的一部分的第二栅极隔离层，该第二栅极隔离层设置在第一狭缝结构和第二狭缝结构之间；以及穿透层叠结构的第一沟道结构，所述第一沟道结构设置在第一栅极隔离层和第二栅极隔离层之间，其中，多个绝缘图案包括与第一栅极隔离层和第二栅极隔离层的最下部接触的第二绝缘图案以及与第一栅极隔离层和第二栅极隔离层间隔开的第一绝缘图案，其中，第二绝缘图案的厚度比第一绝缘图案的厚度厚。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间并且与最上侧选择线接触。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二绝缘图案设置在所述多条字线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个绝缘图案还包括第三绝缘图案，所述第三绝缘图案与所述第一栅极隔离层和所述第二栅极隔离层的最下部接触，并且

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第三绝缘图案的厚度与所述第一绝缘图案的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一栅极隔离层的下表面和所述第二栅极隔离层的下表面在比所述第一狭缝结构的下表面和所述第二狭缝结构的下表面高的水平处。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一狭缝结构和所述第二狭缝结构穿透所述多条字线和所述多条选择线，并且

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多条选择线包括第一选择线、第二选择线和第三选择线，

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一选择线至所述第三选择线位于相同的水平处。

11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间并且与最上侧选择线接触。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个绝缘图案还包括第三绝缘图案，所述第三绝缘图案设置在所述多条选择线中的一条选择线和所述多条字线中的一条字线之间，并且

15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中，所述第三绝缘图案的厚度与所述第一绝缘图案的厚度相同。

16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

17.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间。

19.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘图案设置在所述多条选择线之间并且与最上侧选择线接触。

20.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述多个绝缘图案还包括包第三绝缘图案，所述第三绝缘图案设置在所述多条选择线中的一条选择线和所述多条字线中的一条字线之间，并且

21.根据权利要求20所述的半导体存储器装置，其中，所述第三绝缘图案的厚度比所述第二绝缘图案的厚度厚。

22.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道结构中的每一个包括第一沟道层和围绕所述第一沟道层的第一存储器层。

23.根据权利要求22所述的半导体存储器装置，其中，所述第二源极层穿透所述第一存储器层并且与所述第一沟道层接触。

24.根据权利要求22所述的半导体存储器装置，其中，所述源极结构还包括第三源极层，所述第三源极层设置在所述第二源极层上，并且

25.根据权利要求24所述的半导体存储器装置，其中，所述第二源极层比所述第一源极层的侧壁和所述第三源极层的侧壁朝向所述第一沟道层突出更多。

技术总结本公开涉及半导体存储器装置。一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：形成交替地层叠在源极结构上的多个牺牲图案和多个绝缘图案；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的沟道结构；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的第一沟槽和第二沟槽；通过第一沟槽和第二沟槽利用多个导电图案替换牺牲图案；以及形成穿透一些导电图案和一些绝缘图案并位于第一沟槽和第二沟槽之间的栅极隔离层。绝缘图案包括第二绝缘图案以及在第二绝缘图案与源极结构之间的第一绝缘图案。栅极隔离层的最下部位于第二绝缘图案中。第二绝缘图案具有比第一绝缘图案厚的厚度。技术研发人员：金镇河受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29