半导体结构及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增大了处理和制造ic的复杂性。

2、为了确保质量和寿命，ic器件可以经受高压应力测试。虽然这种高压应力测试对于识别器件缺陷是有用的，但高测试电压可能会损坏敏感的嵌入式无源器件。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：形成积层结构，积层结构包括嵌入多个介电层中的多个金属层；形成嵌入有无源器件的芯结构；对积层结构执行第一电测试；对芯结构执行第二电测试；以及在执行第一电测试和第二电测试之后，将积层结构接合至芯结构。

2、本申请的另一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在嵌入有无源器件的芯结构上形成第一积层结构；在载体衬底上形成第二积层结构；将第二积层结构从载体衬底分离；对第一积层结构和芯结构执行第一电测试；在分离之后，对第二积层结构执行第二电测试；以及在执行第一电测试和第二电测试之后，将第一积层结构接合至芯结构。

3、本申请的又一实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：第一积层结构；芯结构，经由第一多个金属对金属界面和第一多个电介质对电介质界面而附接至第一积层结构；以及第二积层结构，经由第二多个金属对金属界面和第二多个电介质对电介质界面而接合至芯结构，其中，第二多个金属对金属界面包括锡(sn)，而第一多个金属对金属界面不含锡(sn)。

技术特征：

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述积层结构包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个积层膜中的每个包括味之素积层膜。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个金属层包括铜和钛。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述芯结构包括环氧树脂、树脂、硅石填料、玻璃纤维或聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无源器件包括多层陶瓷电容器、深沟槽电容器或金属-绝缘体-金属电容器。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电测试和所述第二电测试中的每个包括使用在约100v和约200v之间的测试电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述第二电测试，以使得所述第二电测试的所述测试电压不施加到所述无源器件。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

10.一种半导体结构，包括：

技术总结提供了对半导体封装件进行电测试的方法。根据本公开的形成半导体结构的方法包括形成积层结构，该积层结构包括嵌入多个介电层中的多个金属层，形成嵌入有无源器件的芯结构，对积层结构执行第一电测试，对所述芯结构执行第二电测试，以及在执行所述第一电测试和所述第二电测试之后，将所述积层结构接合至所述芯结构。本申请的实施例还提供了半导体结构。技术研发人员：李雅惠,陈秉泰,许国经受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12