集成电路器件的制作方法

本发明构思涉及一种集成电路器件。更具体地，本发明构思涉及一种包括电容器的集成电路器件。

背景技术：

1、最近，随着晶体管的集成度逐渐提高，正在进行各种研究以减轻由于短沟道效应引起的泄漏电流。在提供于单元阵列区域(诸如集成电路器件的存储单元区域)中的掩埋沟道阵列晶体管(bcat)中，栅电极可以掩埋在基板中以减轻短沟道效应。

2、为了改善集成电路器件的存储单元区域的栅电极的金属回蚀刻的分布特性，在围绕存储单元区域的外围电路区域的一部分中形成虚设bcat。

技术实现思路

1、本发明构思提供一种具有提高的可靠性的集成电路器件。

2、根据本发明构思的一方面，提供一种集成电路器件。集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；第一离子注入区域，在外围电路区域中位于基板的上部中，第一离子注入区域具有在第一水平方向上延伸并穿过第一离子注入区域的多个线沟槽；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为分别覆盖所述多个线沟槽中的相应线沟槽的内壁；多条掩埋导电线，每条部分地填充所述多个线沟槽中的相应线沟槽并且每条设置在所述多个下电容器电介质膜中的相应下电容器电介质膜上；多个第一下电容器接触，每个与所述多条掩埋导电线中的相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，与第一离子注入区域接触。

3、根据本发明构思的另一方面，提供一种集成电路器件。集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域，该外围电路区域具有多个线沟槽，所述多个线沟槽在外围电路区域中在第一水平方向上延伸；多条掩埋导电线，每条布置在所述多个线沟槽中的相应线沟槽内；多个第一下电容器接触，每个与从所述多条掩埋导电线当中选择的第一组掩埋导电线中的相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，每个与从所述多条掩埋导电线当中选择的第二组掩埋导电线中的相应掩埋导电线接触，其中第一组掩埋导电线和第二组掩埋导电线交替地布置在垂直于第一水平方向的第二水平方向上。

4、根据本发明构思的另一方面，提供一种集成电路器件。集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；掩埋电容器结构，在外围电路区域中位于基板内部；上电容器结构，在外围电路区域中设置在基板上方；第一导电焊盘和第二导电焊盘，每个连接到上电容器结构，在基板上方；多个第一下电容器接触，配置为将第一导电焊盘连接到掩埋电容器结构；以及多个第二下电容器接触，配置为将第二导电焊盘连接到掩埋电容器结构，其中掩埋电容器结构包括：第一离子注入区域，位于基板的上部中；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为覆盖多个线沟槽中的相应线沟槽的内壁，所述多个线沟槽在第一水平方向上延伸并穿过第一离子注入区域；以及多条掩埋导电线，每条部分地填充所述多个线沟槽中的相应线沟槽并且每条设置在所述多个下电容器电介质膜中的相应下电容器电介质膜上，其中所述多个第一下电容器接触的每个与所述多条掩埋导电线中的相应掩埋导电线接触，所述多个第二下电容器接触与第一离子注入区域接触。

技术特征：

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括第二离子注入区域，所述第二离子注入区域位于所述第一离子注入区域的上部中并与所述多条掩埋导电线间隔开，

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中所述第一离子注入区域和所述第二离子注入区域的每个掺有具有相同导电类型的掺杂剂，以及

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一离子注入区域的底表面在比所述多个线沟槽的底表面更低的垂直水平处，以及

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一离子注入区域的底表面在比所述多个线沟槽的底表面更高的垂直水平处，以及

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多条掩埋导电线包括从所述第一离子注入区域的边界水平地突出的部分。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个第二下电容器接触中的一些第二下电容器接触的每个布置在所述多条掩埋导电线中的两条相邻的掩埋导电线之间并且所述多个第二下电容器接触中的两个相邻的第二下电容器接触在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开使所述多条掩埋导电线中的相应掩埋导电线在其间。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，还包括：

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述上电容器结构包括：

12.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述上电容器结构在垂直方向上与所述多条掩埋导电线重叠。

13.一种集成电路器件，包括：

14.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括基板，所述基板具有在所述外围电路区域中的上部中的电介质块沟槽和位于所述电介质块沟槽中的电介质块，

15.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括：

16.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括：

17.一种集成电路器件，包括：

18.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中所述第一离子注入区域的底表面在比所述多个线沟槽的底表面更高的垂直水平处，

19.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中所述上电容器结构包括：

20.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中所述掩埋电容器结构和所述上电容器结构在垂直方向上彼此重叠。

技术总结一种集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；第一离子注入区域，在外围电路区域中位于基板的上部中，第一离子注入区域具有在第一水平方向上延伸并穿过第一离子注入区域的多个线沟槽；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为分别覆盖相应线沟槽的内壁；多条掩埋导电线，每条部分地填充相应线沟槽并且每条设置在相应下电容器电介质膜上；多个第一下电容器接触，每个与相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，与第一离子注入区域接触。技术研发人员：李珍娥,吴世一,白寅硕,俞昌植受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12