半导体存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知有一种将存储单元三维配置的nand(not-and：与非)型闪存。

2、[背景技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2022-41054号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、一个实施方式提供适于高密度化的半导体存储装置。

3、[解决问题的技术方法]

4、一个实施方式的半导体存储装置具备积层体、多个柱状体、多个位线、多个接点、及多个分断部。所述积层体包括多个栅极电极层与多个绝缘层，所述多个栅极电极层与所述多个绝缘层在第1方向上逐层交替积层。所述多个柱状体在所述积层体内沿所述第1方向延伸。所述多个位线相对于所述积层体配置在所述第1方向的一侧，在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸。所述多个接点配置在所述多个柱状体与所述多个位线之间。所述多个分断部在所述第3方向上分开配置，在所述积层体内分别沿所述第1方向延伸，在将所述一侧设为下方的情况下，将所述多个栅极电极层中包括最下层的1个以上栅极电极层在所述第3方向上分断。所述多个柱状体包括在所述多个分断部中相邻的2个分断部之间的区域，交替配置于所述第2方向上相邻的2列且分别沿所述第3方向延伸的2列的5个柱状体。关于所述5个柱状体中包括的各柱状体，在包括于所述多个位线且电连接于所述柱状体的位线、和包括于所述多个位线且电连接于所述5个柱状体中与所述柱状体以最短间隔相邻的柱状体的各位线之间，存在包括于所述多个位线的其它位线。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求2或4所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

8.一种半导体存储装置，具备：

9.一种半导体存储装置，具备：

技术总结实施方式的半导体存储装置具备积层体、多个柱状体、多个位线、多个接头及多个分断部。所述多个分断部在第3方向上分开配置，在所述积层体内分别沿第1方向延伸，在将一侧设为下方的情况下，将多个栅极电极层中包括最下层的1个以上栅极电极层在所述第3方向上分断。所述多个柱状体包括设置在所述多个分断部中相邻的两个分断部之间的区域的5个柱状体。关于所述5个柱状体中包括的各柱状体，在包括于所述多个位线且电连接于所述柱状体的位线、和包括于所述多个位线且电连接于所述5个柱状体中与所述柱状体以最短间隔相邻的柱状体的各位线之间，存在包括于所述多个位线中的其它位线。技术研发人员：中木寛受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12