热压接合装置的制作方法

本发明涉及一种将半导体芯片热压接合到基板上的热压接合装置。背景技术：：：1、一般来说，将晶片切断并单体化的半导体芯片接合到接合基板的工艺称为半导体芯片接合工艺。2、半导体芯片接合工艺大致上包括以下过程来执行：将晶片切断或切割，并利用翻转拾取器(flip over picker)拾取经单体化的多个半导体芯片并使其上下翻转，利用接合头(bonding head)拾取半导体芯片，移送接合头，并在将半导体芯片的下表面浸渍焊剂(flux)以使形成在半导体芯片的下表面的凸块(bump)(焊料球(solder ball))涂布焊剂后，对涂布有焊剂的半导体芯片的下表面状态进行检查，然后将半导体芯片接合到接合基板。可将执行这种半导体芯片接合工艺的设备定义为接合装置。3、接合装置可分为在半导体芯片的凸块涂布焊剂并将凸块附着到基板的连结端子来执行接合的倒装芯片接合装置以及在将半导体芯片的下表面连结到基板的状态下施加热与压力的热压接合装置。4、为了实现安装在基于人工智能(artificial intelligence，ai)及大数据(bigdata)处理巨量数据的数据中心处的高性能存储材料，这种接合装置可在硅贯通电极(硅穿孔(through si via，tsv))封装堆叠工艺中使用，以实现垂直连接多个封装的三维封装。5、tsv封装可利用在半导体芯片钻出微细的孔并将利用如铜等导电性物质填充的多个相同的半导体芯片垂直堆叠来形成电极的尖端堆叠技术，通过多个阶段将个别封装堆叠在基板，施加热与压力，以热压方式堆叠接合封装来构成。6、硅贯通电极封装可通过在半导体芯片钻出微细的孔并将多个半导体芯片垂直堆叠后在孔内填充铜来形成电极、或将填充有铜的多个半导体芯片堆叠来形成电极的尖端堆叠技术，利用热压接合装置对半导体封装施加热与压力，将半导体封装堆叠接合来构成。7、在热压接合装置的情况下，当使用焊剂时，在接合头反复浸渍到焊剂的期间，接合头的热累积在焊剂部，从而使焊剂活性化，因此产生焊剂硬化等变质问题。因此，以往的热压接合装置使用具有涂覆有用于进行热压的非导电膜(non conductive film，ncf)的凸块而不使用焊剂的半导体封装。8、然而，为了达成信号传递的高速化、低电力、高性能，半导体的凸块节距逐渐变小，且在制作限制高度以可附着到由于微小节距而变低的凸块并且具有所要求功能的膜的方面存在困难，且由于必须增加膜的附着工艺及去除工艺，因此导致制造成本上升。9、如果在接合装置中使用焊剂，具有可去除金属上的污染物质或氧化物等妨碍焊接作业的物质、改善焊料(凸块)的表面张力、使焊料在欲进行焊接的金属上扩散良好、改善润湿性(wetting)效果的优点，因此在热压接合装置中也需要使用焊剂。10、随着半导体芯片逐渐更小型化、薄型化的趋势，在以微小节距形成封装凸块的情况下，为了在接合时为凸块提供整体上没有空隙的良好的润湿性，将凸块浸渍在树脂形态而不是膜的焊剂的接合变得越来越重要。因此，在接合时，需要将凸块浸渍到焊剂中，以去除凸块的氧化物，改善电接触并改善铅的流动。11、另一方面，在使用焊剂执行热压接合的情况，接合头执行以吸附有半导体芯片的状态将半导体芯片的凸块形成面浸渍到焊剂中的作业，然后执行移动到基板上对半导体芯片进行热压从而将半导体芯片附着到基板的作业。在此，为了将定量的焊剂涂布到凸块，将收容在焊剂部的焊剂制成一定高度(焊剂的平坦化)后执行焊剂浸渍作业。接着，接合头通过内置的加热部件对吸附的半导体芯片的凸块与焊剂进行加热，以执行在基板上热压并附着的作业。此时，将加热部件加热到约180℃使凸块与焊剂熔融后，为了使熔融的凸块及焊剂凝固，将冷空气施加到加热部件冷却到约100℃，并对半导体芯片执行后续作业。12、接合头即使在冷却后也保持约100℃的温度，因此在对半导体芯片执行后续作业时，在存在余热的状态下吸附下一顺序的半导体芯片，并执行将凸块形成面浸渍到焊剂中的作业。13、在这种情况下，残留在接合头的余热传递到配置在焊剂部上的焊剂，且传递的余热累积，从而可能产生使焊剂变质的问题。焊剂由于活性是由热启动的，因此焊剂部上的焊剂在接合前就可能已经活性化而变质。变质的焊剂在接合时不能正常发挥功能，因此可导致接合不良。14、另外，由于变质的焊剂，焊剂平坦化变得困难，且即使判断在焊剂部内已平坦化，焊剂的一部分也会硬化，从而产生实际涂布到凸块的焊剂的量不足的问题。15、另外，即使接合头将半导体芯片的凸块形成面浸渍定量的焊剂，在将半导体芯片从焊剂部移送到基板的过程中，接合头的余热也可能使焊剂汽化。因此，难以保持涂布到凸块形成面的焊剂的定量，从而可导致接合品质的下降。16、如果将加热部件冷却到更低的温度以不将余热传递到焊剂时，则冷却需要很长时间，从而使接合每个半导体芯片所需的时间变长，不仅不利于生产率，而且存在为了后续执行对半导体芯片的热压接合加热部件的再加热需要很长时间从而使效率性下降的问题。17、因此，在接合装置中，除了接合头之外，还应附加配置单独的拾取器，以使半导体芯片浸渍到焊剂中，且为了将涂布有焊剂的半导体芯片传递到接合头，需要临时放置半导体芯片的平台等。18、另外，在tsv封装的情况下，由于可根据堆叠的半导体芯片的每层是否存在异物来确定封装是否不良，因此需要对半导体芯片将接合的基板与依序堆叠的各半导体芯片进行表面异物检查。在现有的接合装置中，当完成特定层的接合工艺时，在堆叠接合后续半导体芯片之前，将基板运出到接合装置的外部执行单独的异物检查，然后再运入接合装置，执行用于后续半导体芯片堆叠的接合工艺，因此，由于接合工艺与异物检查工艺的分开而反复执行到接合装置与检查装置的运出、运入作业而存在每小时产量(units per hour，uph)下降的问题。19、进一步，在又一现有的接合装置中，将检查基板与半导体芯片表面的异物的颗粒视觉(particle vision)与接合装置内的狭缝视觉驱动部一起配置，但是，由于每次接合后或接合中的异物检查时，狭缝视觉驱动部都必须移动到基板上，因此工艺延迟，且随着检查次数的增加，延迟时间变长，因此存在检查是无效率的且使uph下降的问题。20、另外，由于用于检查异物的狭缝视觉驱动部的频繁驱动，可能会使机械变形加速化，而这会产生基板与半导体芯片之间的对齐误差，因此可产生接合品质下降的问题。另外，在移送基板的过程中，可能产生异物进入基板而使基板或堆叠的半导体芯片的表面受到污染的问题。21、另外，在接合头与半导体芯片接触以拾取薄型半导体芯片的过程中，存在对半导体芯片施加冲击或损坏的问题。技术实现思路1、[发明所要解决的问题]2、本发明为解决前述问题，目的在于提供一种热压接合装置，所述热压接合装置具有执行拾取半导体芯片、并将其浸渍到焊剂中的功能的管芯拾取器，在传递涂布有焊剂的半导体芯片时，应用传递到形成有躲避在半导体芯片的下表面涂布的焊剂的躲避槽的管芯区块(die block)的方式，使接合头的热不会传递给焊剂，从而防止焊剂的变质及汽化，提高利用焊剂的热压接合效率。3、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可在接合装置内检查基板中是否投入有异物并连续执行半导体芯片的接合。4、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置在拾取半导体芯片的过程中在非接触状态下拾取，从而可使施加到半导体芯片的冲击及损坏最小化。5、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置具有在传递半导体芯片的过程中可平行地安置支撑半导体芯片而不会使其倾斜的管芯区块。6、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可通过利用两种高度模式进行管理来将z轴的移动量最小化，所述两种高度是关于在各个区域中执行作业并反复要求移动操作的管芯拾取器的移动高度及执行作业的高度。7、另外，本发明欲解决的课题是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可通过将接合头的轴垂直移动时产生的摩擦力最小化来实现低力(force)的接合加压力，且可精确且快速地实现期望的接合力。8、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可具有从吸附不良半导体芯片的接合头直接分离并去除不良半导体芯片的废品拾取器(reject picker)来切实地将不良半导体芯片与接合头分离，且将分离的不良半导体芯片准确地掉入到回收部。9、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可通过在热压接合过程中在加热台配备使从加热板传递的热或从接合头传递的热扩散的热扩散区域来防止基板的外围侧的热积聚，从而根据匹配基板的中心与基板的外围的热平衡条件来确保均匀的接合品质并确保温度均匀性而与基板的位置无关。10、另外，本发明欲解决的课题是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可通过将接合头的轴垂直移动时产生的摩擦力最小化来实现低力。11、另外，本发明欲解决的课题是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置通过在固定浸渍板的状态下使用于供给焊剂及平坦化的焊剂罐在浸渍板上可移动地设置来确保浸渍板的稳定性。12、另外，本发明的目的是提供一种热压接合装置，所述热压接合装置可通过扩展部增加胶带的扩展量并确保半导体芯片的足够隔开距离，所述扩展部防止胶带在使胶带扩展的过程中从环形框架(ring frame)脱落。13、[解决问题的技术手段]14、为了达成所述目的，根据本发明实施例的热压接合装置包括：翻转拾取器，从附着有经单体化的半导体芯片的胶带拾取所述半导体芯片并上下翻转；管芯拾取器，从所述翻转拾取器接收所述半导体芯片；焊剂部，收容用于将所述半导体芯片的下表面浸渍焊剂的焊剂；上视视觉，对所述半导体芯片的下表面或是否存在裂纹进行检查；接合头，在内部装设加热部件，以将所述半导体芯片热压接合到基板；狭缝视觉，对所述接合头所拾取的半导体芯片与所述半导体芯片将接合的基板的上表面同时进行拍摄，以检查半导体芯片的对齐状态；以及管芯区块，固定布置在所述管芯拾取器与所述接合头的移动路径下部，传递涂布有焊剂的半导体芯片，且具有用于躲避所述半导体芯片的下表面所涂布的焊剂的躲避槽，所述管芯拾取器将所述半导体芯片的下表面浸渍所述焊剂并传递到所述管芯区块，所述接合头从所述管芯区块拾取涂布有焊剂的半导体芯片，并热压接合到所述基板。15、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述管芯拾取器在与所述半导体芯片隔开的状态下形成负压，以从所述翻转拾取器吸引并吸附所述半导体芯片，所述接合头在与所述半导体芯片隔开的状态下形成负压，以从所述管芯区块吸引并吸附涂布有焊剂的半导体芯片。16、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，将所述翻转拾取器、所述焊剂部、所述上视视觉、所述管芯区块各自的作业区域沿所述管芯拾取器的移动方向布置成一列，使其位于同一线上，所述管芯拾取器在移动到所述翻转拾取器、所述上视视觉、所述管芯区块各自的作业区域上部时以已设定的同一高度移动，当利用所述上视视觉检查所述半导体芯片的下表面时，所述已设定的高度与和所述上视视觉的工作距离对应的高度相同。17、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述管芯拾取器包括：拾取器主体(picker body)，形成有用于拾取所述半导体芯片的拾取臂且以可移动的方式配置；装设部件，以使所述拾取器主体可升降的方式装设；第一旋转轴，沿所述拾取器主体的移动方向延伸，且插入结合所述装设部件，以通过旋转使所述装设部件在所述拾取器主体的移动方向上移动；第二旋转轴，以在所述第一旋转轴的上部或下部在与所述第一旋转轴平行的方向上延伸且可沿轴方向旋转的方式配备；以及转换部件，装设在所述第二旋转轴，并根据所述第二旋转轴的旋转使所述拾取器主体从所述装设部件上升下降。18、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述转换部件包括：链接件(link)，结合到所述第二旋转轴，可与所述第二旋转轴一起旋转；以及凸轮从动件(camfollower)，装设在所述链接件的另一侧，并与在所述拾取器主体的下部延伸的支架结合，所述支架为字型支架，所述凸轮从动件以收容在字型支架内部的状态结合。19、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，将所述翻转拾取器、所述焊剂部、所述上视视觉、所述管芯区块各自的作业区域沿所述管芯拾取器的移动方向布置成一列，使其位于同一线上，所述翻转拾取器、所述焊剂部、所述上视视觉、所述管芯区块、所述管芯拾取器分别配置成一对，所述拾取臂从拾取器主体突出到与所述翻转拾取器、所述焊剂部、所述上视视觉、所述管芯区块各自的作业区域上部对应的位置形成，所述管芯拾取器还包括固定框架，所述固定框架在一侧装设所述第一旋转轴及所述第二旋转轴并引导所述拾取器主体的移动，一对所述管芯拾取器分别配置在所述固定框架的一侧及另一侧，一对所述翻转拾取器、所述焊剂部、所述上视视觉、所述管芯区块以所述固定框架为中心对称地形成。20、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述焊剂部包括：浸渍板(dipping plate)，在内部形成有收容焊剂的焊剂收容槽；焊剂罐(flux tank)，以在所述浸渍板上可移动的方式设置，且收容焊剂的容器向下侧敞开；移动支架(moving bracket)，装设在所述焊剂罐的一侧；焊剂罐移送部，具有导引所述焊剂罐的移动的导引部件及沿所述导引部件进行移送的移动区块，在所述移动支架与所述移动区块中的任一者中形成有收容槽，在所述移动支架与所述移动区块中的另一者中形成有插入到收容槽中的插入部，根据所述移动区块的移送来移送所述焊剂罐，在所述移动支架与所述移动区块中的任一者中形成有收容槽的情况下，所述移动支架或所述移动区块由框架与结合到所述框架的两侧上部的引导部件组成，通过所述框架与所述引导部件形成收容槽。21、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述上视视觉检查在没有涂布所述焊剂的状态下所述半导体芯片是否存在裂纹，且检查在涂布有所述焊剂的状态下所述半导体芯片的下表面。22、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述接合头包括：接合工具(bonding tool)，具有对所述半导体芯片进行加热的加热部件以对所述半导体芯片进行热压接合；轴，配置在所述接合工具的上部且以可升降的方式装设；负载控制部，支撑所述轴，且对挂在所述轴的自重加减规定的负载；加压部，具有可动件及驱动件，所述可动件配置在所述负载控制部的上部且固定在所述轴的外周面，所述驱动件驱动所述可动件使其在上下方向上可移动，并以规定的力对所述接合工具进行加压；第一负载测量部，配置在所述负载控制部与所述加压部之间，以实时测量施加到所述半导体芯片的负载；旋转电动机，配置在所述加压部的上部并使所述轴旋转；以及低摩擦联轴器(coupling)，连接所述旋转电动机与所述轴并将所述旋转电动机的旋转力传递到所述轴，所述低摩擦联轴器上部与所述旋转电动机连接，下部与所述轴连接，且在所述旋转电动机与所述轴之间形成隔开空间，在所述隔开空间之间通过所述可动件使所述轴可升降。23、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述热压接合装置还包括：加热台(heating table)，传递将接合所述半导体芯片的基板；第二负载测量部，配置在所述加热台的一侧，且与所述接合头接触以测量所述接合头的负载，所述第一负载测量部以使所述第一负载测量部的测量值与所述第二负载测量部的测量值相同的方式设定。24、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述轴贯通所述加压部的可动件，通过所述旋转电动机，所述轴与所述可动件一起旋转，进而使所述接合工具旋转。25、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，当所述轴通过所述可动件在隔开空间内升降时，所述低摩擦联轴器在上部固定的状态下可在上下方向上进行伸缩。26、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述管芯区块的躲避槽上部敞开并形成向内侧倾斜的倾斜面，且所述半导体芯片的侧面被所述倾斜面支撑，以使所述半导体芯片的下表面与所述躲避槽的底面隔开。27、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述管芯区块的躲避槽上部敞开并形成向内侧倾斜的倾斜面，且在所述倾斜面的下部形成用于支撑所述半导体芯片的下表面的在水平方向上延伸的突出端，在所述突出端支撑所述半导体芯片的下表面的边沿，使所述半导体芯片的下表面与所述躲避槽的底面隔开。28、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述躲避槽由多个突出区块形成，且各个突出区块以向内侧倾斜的方式形成，且相邻的突出区块彼此隔开。29、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，所述管芯区块以可旋转的方式配置，所述管芯拾取器根据所述上视视觉的检查结果，在所述管芯区块按照所述半导体芯片的偏斜角度旋转的状态下，将所述半导体芯片传递到所述管芯区块的躲避槽。30、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，其中，在将所述半导体芯片传递到所述管芯区块之后，在所述管芯区块旋转并恢复到旋转前的初始位置的状态下，所述接合头从所述管芯区块拾取涂布有焊剂的半导体芯片。31、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，还包括：废品拾取器以及回收部，所述废品拾取器从所述接合头去除根据所述上视视觉的检查结果而被判断为不良的不良半导体芯片，所述回收部通过所述废品拾取器丢弃所述不良半导体芯片，所述废品拾取器由吸附单元及旋转部件组成，所述吸附单元形成有用于吸入空气或排出空气的管道，以吸附半导体芯片，所述旋转部件使所述吸附单元旋转180°，从而使所述吸附单元所吸附的半导体芯片上表面、下表面翻转，所述吸附单元将空气排出到通过所述旋转部件上下翻转的半导体芯片，使所述半导体芯片掉落到所述回收部侧。32、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，还包括：加热台，传递将接合所述半导体芯片的基板，所述加热台包括：载有将进行接合的基板的卡盘板、配置在所述卡盘板下部且与用于在所述卡盘板形成负压的真空产生装置连接的基座、以及配置在所述卡盘板与所述基座之间且向所述卡盘板传递热的加热板，所述卡盘板配备有吸附所述基板的吸附区域、以及从所述加热板传递的热或从所述接合头传递的热扩散而形成的热扩散区域。33、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，还包括：颗粒视觉，装设在所述接合头的一侧，用于检测在将接合的基板的上表面是否存在异物，所述颗粒视觉检测将接合所述半导体芯片的所述基板的上表面或将接合所述半导体芯片的下层半导体芯片的上表面是否存在异物。34、另外，根据本发明实施例的热压接合装置，还包括：扩展部，使附着有经单体化的半导体芯片的胶带下表面所粘附的环形框架的胶带扩展，所述扩展部由支撑部件、加压板及防剥离板组成，所述支撑部件支撑所述胶带的下表面，所述加压板向下方对粘附有所述胶带的环形框架的上表面进行加压，并以可升降的方式配置，所述防剥离板具有弹性部件，所述弹性部件在与所述加压板的加压方向相反的方向上对所述环形框架所粘附的胶带的下表面进行加压，所述弹性部件支撑所述胶带，通过所述加压板的加压，在与所述加压板的加压方向相反的方向上支撑所述胶带的同时变形，使所述加压板与所述防剥离板一起下降，从而使所述胶带扩张。35、[发明的效果]36、本发明的热压接合装置在接合头的一侧具有可检查基板的上表面是否存在异物的颗粒视觉，在利用颗粒视觉将半导体芯片接合到基板之前执行异物检查后，可在没有检测到异物的基板或半导体芯片的上部接合新的半导体芯片，因此具有无需额外移动器具部即可连续地执行接合及检查的效果。37、另外，本发明的热压接合装置通过实现双模式高度控制，使得在管芯拾取器处于上升状态的第一高度处进行到各个作业区域的移动并执行半导体芯片检查，且在处于下降状态的第二高度处执行半导体芯片的收取、焊剂浸渍、传递到管芯区块等的多个作业，从而可将管芯拾取器的升降移动最小化并增加uph，。38、另外，本发明的热压接合装置通过在外部独立地配备诱导管芯拾取器的水平移动及升降移动的第一驱动部及第二驱动部，可使管芯拾取器的结构小型化，可在有限的接合装置空间内配置管芯拾取器，从而具有可实现紧凑的设备的效果。39、另外，本发明的热压接合装置通过在管芯拾取器或接合头与半导体芯片的上表面非接触的状态下利用空气吸引半导体芯片进行吸附，从而具有在管芯拾取器或接合头拾取半导体芯片的过程中将施加到半导体芯片的冲击最小化的效果。40、另外，本发明的热压接合装置通过管芯拾取器承担将半导体芯片的收取、焊剂浸渍、检查、传递到管芯区块的过程，因此接合头仅执行拾取传递到管芯区块的半导体芯片并将其接合到基板的作业，从而可缩短接合头的作业路径及移动路径，因而具有可提高整个接合装置的接合速度的效果。41、另外，在本发明的热压接合装置中，通过管芯拾取器执行焊剂浸渍以临时安置在管芯区块上，且接合头将临时安置在管芯区块上的半导体芯片移送到基板进行热压，可防止接合头的热使焊剂部上的焊剂变质的问题，且通过缩短接合头的移动路径来减少接合头在移送半导体芯片的过程中由于接合头的残留热而飞散的焊剂的量，从而具有可保持涂布的焊剂的定量的效果。42、另外，本发明的热压接合装置在管芯区块中形成有躲避槽，且涂布在半导体芯片的下表面的焊剂不会沾到管芯区块的底面，从而具有保持焊剂的定量及防止由于焊剂污染管芯区块底面的效果。43、另外，本发明的热压接合装置的接合头在低摩擦联轴器的上部连接旋转电动机且在下部连接轴，在连接旋转电动机的上部与连接轴的下部之间形成隔开空间，在将旋转电动机的旋转力传递给轴的同时，通过低摩擦可实现轴的升降，负载控制部以非接触方式支撑轴，可进行支撑以使轴不会晃动，同时使支撑摩擦力最小化，从而具有可实现z轴无负载的效果。44、另外，根据本发明的热压接合装置通过在加热板配备热扩散区域来防止基板的外围侧的热积聚，从而可确保温度均匀性且可确保接合品质并可降低不良率而与基板的位置无关，且当对多个垂直堆叠的半导体芯片进行热压接合时，堆叠的半导体芯片的上部与下部的半导体芯片的接合状态以及焊剂的固化状态没有差异，从而具有可改善接合品质的效果。45、另外，本发明的热压接合装置可通过使用废品拾取器从接合头吸附并切实地去除不良半导体芯片，在接合头中残留不良半导体芯片的状态下拾取或接合其他半导体芯片而引起不良的问题最小化，且通过容易地将涂布焊剂的不良半导体芯片掉落到回收部，从而使不良半导体芯片不会飞散到周围，不会污染接合装置的其他构成要素或周边，通过切实地去除不良半导体芯片，具有可防止大量不良的效果。46、另外，本发明的热压接合装置的焊剂部可应用在焊剂罐与焊剂罐移送部之间连接时焊剂罐在上下方向上自由移动的结构，因此即使存在机械变形或加工误差，也可执行使浸渍板平坦的调平作业，且由于以装设在焊剂罐的一侧的移动支架与沿着导引焊剂罐的移动的导引部件进行移动的移动区块间隔可变的方式装设，从而具有使焊剂罐的刮板(squeegee)与浸渍板的平行度可不受下部结构的影响而达到水平的效果。47、另外，本发明的热压接合装置的扩展部可跨及环形框架的整个区域使胶带在辐射方向上均匀地扩展，且充分确保半导体芯片之间的隔开距离，从而具有以下效果：当从翻转拾取器拾取半导体芯片时，可容易地进行拾取而不会发生半导体芯片之间的干扰。当前第1页12当前第1页12