一种ITO薄膜制备方法及ITO薄膜与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种ito薄膜制备方法及ito薄膜。

背景技术：

1、ito薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器(lcd)、等离子显示器(pdp)、电致发光显示器(el/oled)、触摸屏(touch panel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。

2、目前，电子束蒸镀的ito薄膜外观粗糙、透过率低，未能满足目前的性能要求。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的是提供一种ito薄膜制备方法及ito薄膜，旨在解决现有技术中ito薄膜制备方法制备的ito薄膜外观粗糙、透过率低的问题。

2、本发明实施例是这样实现的：

3、一方面，本发明提出一种ito薄膜制备方法，所述方法包括：

4、提供一低密度ito锭；

5、将所述低密度ito锭置于蒸镀设备腔体内，并将所述蒸镀设备腔体调至设定状态；

6、在所述蒸镀设备腔体内，依次对所述低密度ito锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值；

7、通过所述设定电流值对所述低密度ito锭进行蒸镀，并在蒸镀完成后冷却破气得到ito薄膜。

8、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述低密度ito锭按质量百分比计包括如下组分：

9、sno2：5%~10%，余量为in203。

10、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述低密度ito锭的大小为25mm*10mm。

11、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述设定状态包括：

12、温度设定为300℃~330℃，温度持续时间大于30min。

13、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述设定状态还包括：

14、电子枪光斑扫描大小为所述低密度ito锭面积的60%~80%，电流小于6ma。

15、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述设定状态还包括：

16、镀锅转速设定为8r/min~10r/min。

17、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述设定状态还包括：

18、通入10~12sccm的氧气，稳定时间为60s以上。

19、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述在所述蒸镀设备腔体内，依次对所述低密度ito锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值的步骤包括：

20、在第一预设时间内将蒸镀的电流由0逐渐均匀升为第一预设电流值并保持设定时间，使ito锭初步受热；

21、在第二预设时间内将所述电流由所述第一预设电流值逐渐均匀升为第二预设电流值并保持设定时间，使ito锭充分预热；

22、在第三预设时间内将所述电流由所述第二预设电流值逐渐均匀降为第三预设电流并保持设定时间，达到蒸镀时所需的电流值。

23、进一步的，上述ito薄膜制备方法，其中，所述冷却时间为20min~40min，冷却温度至120℃~180℃。

24、再一方面，本发明提出一种ito薄膜，该ito薄膜由上述任一项的ito薄膜制备方法制备得到。

25、本发明通过提供一低密度ito锭；将低密度ito锭置于蒸镀设备腔体内，并将蒸镀设备腔体调至设定状态；在蒸镀设备腔体内，依次对低密度ito锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值；通过设定电流值对低密度ito锭进行蒸镀，并在蒸镀完成后冷却破气得到ito薄膜，得到的膜质均匀、透过率高，解决了现有技术中的ito薄膜制备方法制备的薄膜外观粗糙、透过率低的问题。

技术特征：

1.一种ito薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述低密度ito锭按质量百分比计包括如下组分：

3.根据权利要求1所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述低密度ito锭的大小为25mm*10mm。

4.根据权利要求1所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述设定状态包括：

5.根据权利要求4所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述设定状态还包括：

6.根据权利要求5所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述设定状态还包括：

7.根据权利要求6所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述设定状态还包括：

8.根据权利要求1所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述在所述蒸镀设备腔体内，依次对所述低密度ito锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值的步骤包括：

9.根据权利要求1所述的ito薄膜制备方法，其特征在于，所述冷却时间为20min~40min，冷却温度至120℃~180℃。

10.一种ito薄膜，其特征在于，由权利要求1至9中任一项所述的ito薄膜制备方法制备得到。

技术总结本发明提供一种LED制备方法及ITO薄膜，该方法包括：提供一低密度ITO锭；将所述低密度ITO锭置于蒸镀设备腔体内，并将所述蒸镀设备腔体调至设定状态；在所述蒸镀设备腔体内，依次对所述低密度ITO锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值；通过所述设定电流值对所述低密度ITO锭进行蒸镀，并在蒸镀完成后冷却破气得到ITO薄膜。本发明解决了现有技术中ITO薄膜制备方法制备的ITO薄膜外观粗糙、透过率低的问题。技术研发人员：李文浩,康龙,董国庆,文国昇,金从龙受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14