去除光刻胶残留物的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种去除光刻胶残留物的方法。

背景技术：

1、rinse(冲洗)作为光刻工艺中必不可少的组分，承担着显影之后去除晶圆表面缺陷的功能。随着工艺节点的缩小，静态接触角更高，显影工艺的控制也变得愈发困难(故障/dev解决方案覆盖范围低等问题等)。

2、对于部分产品，晶圆的中间和边缘处随机分布着光刻胶残留物。即使用了冲洗效果最强的显影工艺(adr rinse)，仍然留有不少光刻胶残留物，在全面加强显影时的冲洗时间和转速的情况下，也仍然无改善。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的去除光刻胶残留物的方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种去除光刻胶残留物的方法，用于解决现有技术中冲洗无法完全去除晶圆的中间和边缘处随机分布的光刻胶残留物的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种去除光刻胶残留物的方法，包括：

3、步骤一、提供固定于晶圆承载台上的衬底，在所述衬底上或所述衬底的膜层上形成有光刻胶残留物；

4、步骤二、利用多次震荡冲洗去除所述光刻胶残留物，每次所述震荡清洗的工艺条件包括：

5、利用冲洗机构向所述光刻胶残留物喷洒清洗液；

6、启动所述晶圆承载台带动其上的所述衬底转动，调节所述晶圆承载台的转速产生大于预设值的转速差，以形成震荡。

7、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

8、优选地，步骤一中的所述光刻胶残留物由去除光刻胶层后形成。

9、优选地，步骤一中的所述光刻胶残留物主要分布在所述衬底上的中间以及边缘部分。

10、优选地，步骤二中的所述清洗液为去等离子水或用于去除光刻胶的化学药液。

11、优选地，步骤二中的所述转速差至少大于1000rpm/s。

12、优选地，步骤二中的每次所述震荡清洗的工艺条件中，所述晶圆承载台的转速首先为第一转速，之后增加转速至第二转速，之后降低转速至第三转速。

13、优选地，步骤二中的所述第一转速为100rpm/s，所述第二转速为1500rpm/s，所述第三转速为500rpm/s。

14、优选地，步骤二中的所述震荡清洗的次数至少为三次。

15、优选地，所述方法还包括：在目标次数的所述震荡清洗后，若所述光刻胶残留物仍存在，则增加所述转速差。

16、如上所述，本发明的去除光刻胶残留物的方法，具有以下有益效果：

17、本发明的方法可有效消除光刻胶残留物，为新产品的研发和量产提供了行之有效的方法。

技术特征：

1.一种去除光刻胶残留物的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

3.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤一中的所述光刻胶残留物由去除光刻胶层后形成。

4.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤一中的所述光刻胶残留物主要分布在所述衬底上的中间以及边缘部分。

5.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤二中的所述清洗液为去等离子水或用于去除光刻胶的化学药液。

6.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤二中的所述转速差至少大于1000rpm/s。

7.根据权利要求6所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤二中的每次所述震荡清洗的工艺条件中，所述晶圆承载台的转速首先为第一转速，之后增加转速至第二转速，之后降低转速至第三转速。

8.根据权利要求7所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一转速为100rpm/s，所述第二转速为1500rpm/s，所述第三转速为500rpm/s。

9.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：步骤二中的所述震荡清洗的次数至少为三次。

10.根据权利要求1所述的去除光刻胶残留物的方法，其特征在于：所述方法还包括：在目标次数的所述震荡清洗后，若所述光刻胶残留物仍存在，则增加所述转速差。

技术总结本发明提供一种去除光刻胶残留物的方法，提供固定于晶圆承载台上的衬底，在衬底上或衬底的膜层上形成有光刻胶残留物；利用多次震荡冲洗去除光刻胶残留物，每次震荡清洗的工艺条件包括：利用冲洗机构向光刻胶残留物喷洒清洗液；启动晶圆承载台带动其上的衬底转动，调节晶圆承载台的转速产生大于预设值的转速差，以形成震荡。本发明的方法可有效消除光刻胶残留物，为新产品的研发和量产提供了行之有效的方法。技术研发人员：林鑫,陈浩,樊航,张其学,金佩,宋振伟,王雷受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29