溅射装置的制作方法

本发明涉及溅射装置，尤其涉及用于具有磁控管阴极的成膜的适当技术。

背景技术：

1、在具有磁控管阴极的成膜装置中，已知以提高靶的利用效率等为目的，使磁铁相对于靶移动的方式。

2、还已知如专利文献1所公开的技术那样，以提高成膜均匀性等为目的，除了磁铁的移动，还使阴极及靶相对于被成膜基板摆动的方式。

3、另外，已知如专利文献2所公开的技术那样，以防止所产生的颗粒对溅射处理室内的成膜带来不良影响为目的等，使磁铁及阴极摆动的方式。

4、进而，作为使被成膜基板相对于磁铁及阴极摆动的技术，本技术人公开了如专利文献3那样的技术。

5、专利文献1：日本专利公开2009－41115号公报

6、专利文献2：日本专利公开2012－158835号公报

7、专利文献3：日本专利第6579726号公报

8、然而，即便是如上述那样使磁铁相对于靶扫描(摆动)的技术，也存在非溅蚀区域成为颗粒产生原因的情况。例如，有时由于产生非溅蚀区域，而在磁铁摆动范围中的靠近边缘部的成膜区域的周边部附近的区域中产生颗粒。因此，以往出现了希望消除这种产生颗粒的问题这样的要求。尤其是，与产生非溅蚀区域的情况相比，可知在非溅蚀区域与溅蚀区域的边界不清晰的情况下，产生因再沉积膜(附着在靶上的溅射膜)引起的再溅射等成为导致问题的颗粒产生原因。

9、另外，即便是如上述那样使磁铁相对于靶扫描(摆动)的技术，也会产生非溅蚀区域。由此，在靠近磁铁摆动范围的成膜区域的周边部附近的区域中，存在膜厚减小、膜厚分布和膜质分布出现不均等问题。这种问题依然未被消除。进而，随着被成膜基板的大型化，要求进一步改善这种不良情况。

技术实现思路

1、本发明是鉴于上述情况而完成的，实现以下目的。

2、1、在产生非溅蚀的区域的周围，控制非溅蚀区域与溅蚀区域的边界不清晰的区域的产生，减少颗粒产生原因。

3、2、使产生的等离子体分布稳定，与磁铁的摆动位置无关地提高膜厚分布及膜质特性分布的均匀性。

4、本发明人进行深入研究的结果，在非溅蚀区域引起的颗粒产生的抑制、膜厚分布的偏差抑制及膜质特性分布的偏差抑制上获得了成功。

5、在溅射过程中，因施加的功率而由磁铁形成磁场(磁力线)。此时，有助于溅射的等离子体或电子沿着由磁铁产生的磁力线移动。在由磁铁产生的磁力线中，有助于产生等离子体的磁力线从以与靶平行的方式布置成同一面的磁铁的两极中的n极朝向靶以圆弧状到达s极。此时，由磁铁产生的磁力线从n极出发，从背面侧朝向正面侧沿厚度方向贯穿靶。进一步地，磁力线在等离子体产生空间中以圆弧状产生，并且在靶中从正面侧朝向背面侧延伸并沿厚度方向贯穿后返回到s极。

6、在靶的端部周边布置有阳极等接地电位部分。在该状态下，通过使磁铁单元进行扫描(摆动)而使磁铁位于摆动端附近的区域时，磁铁处于靠近阳极的位置。

7、于是，在磁铁的摆动端附近的区域，有时发生由n极形成的磁力线朝向靠近磁铁单元的阳极而不返回到s极的现象。于是，由于电子沿着磁力线被跟踪(移动)，因此不会返回到等离子体产生空间，不会有助于等离子体产生而流向阳极。将此现象称为“电子被吸引”。

8、若电子被阳极吸引，则靶的正面侧即等离子体产生空间中的电子密度会下降。于是，有时发生所产生的等离子体密度下降或者不产生等离子体这种现象。将该现象称为“等离子体被吸引”。在发生这种现象的情况下，靶不会被等离子体溅射。因此，产生非溅蚀区域，而且有时非溅蚀区域会变大。

9、在此，在电子被阳极吸引的情况下，由于磁铁的摆动及其他原因而产生阳极附近区域的等离子体的通断。由此，产生由等离子体引起的溅射的通断。于是，产生由沉积膜的溅射引起的颗粒的可能性会增大。

10、也就是，由于非溅蚀区域的产生，靠近磁铁摆动范围的成膜区域的周边部附近的区域有时成为颗粒产生原因。

11、此时，非溅蚀区域与溅蚀区域的边界变得不清晰，会形成溅蚀与非溅蚀的边界区域。

12、这样一来，与产生非溅蚀区域的情况相比，可知在非溅蚀区域与溅蚀区域的边界不清晰的情况下，产生因再沉积膜引起的再溅射等成为导致问题的颗粒产生原因。

13、如上述那样，在电子被阳极吸引的情况下，由磁铁形成的磁力线处于朝向阳极的状态，也就是处于与靶的厚度方向相比向靶的轮廓外方倾斜的状态。

14、因此，本发明人发现，为了解决这种问题，通过使在磁铁的摆动端由磁铁形成的磁力线不朝向阳极，从而能够减少被吸引的电子的量。也就是，发现使在磁铁的摆动端的一端由磁铁形成的磁力线与靶的厚度方向相比向磁铁的摆动端的另一端倾斜(即，与靶的厚度方向相比向靶的轮廓内侧倾斜)对非溅蚀区域的减少很有效。

15、此外，在上述说明中，按照通常的标记，将磁力线标记为从n极到达s极，但即使是相反的极性，对现象的理解也没有障碍。

16、进而，在产生非溅蚀区域的情况下，会抑制等离子体的产生。因此，所施加的供给功率不会被等离子体产生所消耗而是会剩余。该剩余功率会针对与初始形成的非溅蚀区域不同的区域被重新分配，或者作为整体的电压(功率)变动被吸收。因此，等离子体产生条件如电压变动那样变动，结果成为膜厚分布产生偏差、膜质特性分布的偏差扩大的原因。

17、也就是，在电子被阳极吸引的情况下，由于产生非溅蚀区域，膜厚分布的偏差、膜质特性分布的偏差会扩大。

18、进一步地，在产生非溅蚀区域的情况下，由于因电压变动等引起的等离子体产生条件的局部变动，还会产生与初始形成的非溅蚀区域不同的非溅蚀区域。在该情况下，会产生颗粒，膜厚分布的偏差及膜质特性分布的偏差等会扩大。

19、因此，本发明人发现，为了解决该问题，通过使在磁铁的摆动端的一端由磁铁形成的磁力线不朝向阳极，从而能够减少被吸引的电子的量。也就是，发现使在磁铁的摆动端的一端由磁铁形成的磁力线与靶的厚度方向相比向磁铁的摆动端的另一端倾斜(即，与靶的厚度方向相比向靶的轮廓内侧倾斜)对抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差产生很有效。

20、鉴于上述的观点，本技术人完成本发明如下。

21、本发明的一方式所涉及的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元，所述阴极单元具有：靶，可形成溅蚀区域；磁铁单元，相对于所述靶布置在与所述被成膜基板相反的一侧且在所述靶中形成所述溅蚀区域；磁铁单元扫描部，在沿所述基板表面的摆动方向上的第一摆动端与第二摆动端之间，使所述磁铁单元和所述被成膜基板相对往复动作；和磁力线倾斜机构，在所述第一摆动端与所述第二摆动端之间形成有摆动区域，所述磁铁单元具有沿着所述靶的表面在与所述摆动方向交叉的摆动宽度方向上延伸的磁铁，所述磁力线倾斜机构使在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线向另一个摆动端倾斜。由此，解决了上述课题。

22、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁力线倾斜机构将在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线推向另一个摆动端。

23、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有相当于所述中央磁石部并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端中央磁石部，所述摆动端中央磁石部比所述第二磁铁的所述中央磁石部小。

24、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部具有：两个长边直线部；和搭桥部，所述两个长边直线部位于所述中央磁石部的两侧，与所述中央磁石部等间隔相隔，并且彼此平行延伸，所述搭桥部连接所述两个长边直线部的各个端部，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有摆动端长边直线部，所述摆动端长边直线部相当于在所述两个长边直线部中靠近所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端的长边直线部，并且为所述磁力线倾斜机构，所述摆动端长边直线部比所述第二磁铁的所述两个长边直线部中的每一个长边直线部大。

25、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有相当于所述中央磁石部并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端倾斜中央磁石部，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端的所述第一磁铁的所述摆动端倾斜中央磁石部被布置为向所述第一摆动端及所述第二摆动端中的另一个摆动端倾斜。

26、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述磁力线倾斜机构为辅助磁铁，所述辅助磁铁与所述第一摆动端相比位于所述摆动区域的外侧，并且与所述第一磁铁的所述周边磁石部相邻布置。

27、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以具有位于所述靶的周围的阳极，所述磁力线倾斜机构为摆动端外磁石部，所述摆动端外磁石部与所述第一摆动端相比位于所述摆动区域的外侧，并且布置在所述阳极的背面。

28、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁在所述第一摆动端形成磁力线，所述磁力线倾斜机构使所述磁力线变化，以使在所述摆动方向上扩展的所述磁力线的宽度减小。

29、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有在所述摆动方向上与所述中央磁石部相邻布置并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端磁性体部。

30、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁力线倾斜机构具有磁铁倾斜扫描部，所述磁铁倾斜扫描部使所述磁铁倾斜，以使在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线向另一个摆动端倾斜。

31、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以具有位于所述靶的周围的阳极，所述磁力线倾斜机构为磁铁靠近扫描部，在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端由所述磁铁形成磁力线，所述磁铁靠近扫描部使所述磁铁与所述靶靠近，以减少到达所述阳极的所述磁力线。

32、本发明的一方式所涉及的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元，所述阴极单元具有：靶，可形成溅蚀区域；磁铁单元，相对于所述靶布置在与所述被成膜基板相反的一侧且在所述靶中形成所述溅蚀区域；磁铁单元扫描部，在沿所述基板表面的摆动方向上的第一摆动端与第二摆动端之间，使所述磁铁单元和所述被成膜基板相对往复动作；和磁力线倾斜机构，在所述第一摆动端与所述第二摆动端之间形成有摆动区域，所述磁铁单元具有沿着所述靶的表面在与所述摆动方向交叉的摆动宽度方向上延伸的磁铁，所述磁力线倾斜机构使在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线向另一个摆动端倾斜。

33、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明，在该情况下，能够通过磁力线倾斜机构来使由在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁形成的磁力线向第二摆动端倾斜。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，能够通过同样的作用来使磁力线向第一摆动端倾斜。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

34、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

35、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁力线倾斜机构将在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线推向另一个摆动端。

36、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，能够使由在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁形成的磁力线以通过磁力线倾斜机构推向第二摆动端的方式产生。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。

37、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有相当于所述中央磁石部并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端中央磁石部，所述摆动端中央磁石部比所述第二磁铁的所述中央磁石部小。

38、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，在摆动端中央磁石部与比摆动端中央磁石部靠近第一摆动端的周边磁石部之间形成磁力线。磁力线倾斜机构能够使磁力线以在摆动方向上推向第二摆动端的方式产生。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。

39、其理由是因为，关于由比摆动端中央磁石部靠近第一摆动端的周边磁石部形成的磁力线的倾斜状态，由于摆动端中央磁石部形成得较小，因此能够在摆动方向上以接近于靶表面的法线的方式形成磁力线。

40、在此，摆动端中央磁石部形成得较小是指摆动端中央磁石部的磁力比相邻的磁铁的中央磁石部的磁力小。具体而言，摆动端中央磁石部形成得较小是指摆动端中央磁石部的体积尤其是摆动方向上的宽度尺寸形成得较小。或者，摆动端中央磁石部形成得较小也可以是指摆动端中央磁石部在靶的法线方向上的厚度尺寸形成得较小。

41、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部具有：两个长边直线部；和搭桥部，所述两个长边直线部位于所述中央磁石部的两侧，与所述中央磁石部等间隔相隔，并且彼此平行延伸，所述搭桥部连接所述两个长边直线部的各个端部，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有摆动端长边直线部，所述摆动端长边直线部相当于在所述两个长边直线部中靠近所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端的长边直线部，并且为所述磁力线倾斜机构，所述摆动端长边直线部比所述第二磁铁的所述两个长边直线部中的每一个长边直线部大。

42、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，在中央磁石部与比中央磁石部靠近第一摆动端的摆动端长边直线部之间形成磁力线。磁力线倾斜机构能够使磁力线以在摆动方向上推向第二摆动端的方式产生。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。

43、其理由是因为，关于由比中央磁石部靠近第一摆动端的摆动端长边直线部形成的磁力线的倾斜状态，由于摆动端长边直线部形成得较大，因此能够在摆动方向上以接近于靶表面的法线的方式形成磁力线。

44、在此，摆动端长边直线部形成得较大是指比中央磁石部靠近摆动端的摆动端长边直线部的磁力比相邻的磁铁的长边直线部的磁力大。具体而言，摆动端长边直线部形成得较大是指摆动端长边直线部的体积尤其是摆动方向上的宽度尺寸形成得较大。或者，摆动端长边直线部形成得较大也可以是指摆动端长边直线部在靶的法线方向上的厚度尺寸形成得较大。

45、进而，摆动端长边直线部形成得较大还可以是指比中央磁石部靠近摆动端的摆动端长边直线部的磁力比在摆动方向上位于相同的磁铁的中央磁石部的两侧的长边直线部的磁力大。具体而言，摆动端长边直线部形成得较大是指摆动端长边直线部的体积尤其是摆动方向上的宽度尺寸形成得比在摆动方向上位于相同的磁铁的中央磁石部的两侧的长边直线部的宽度尺寸大。或者，摆动端长边直线部形成得较大还可以是指摆动端长边直线部在靶的法线方向上的厚度尺寸形成得比在摆动方向上位于相同的磁铁的中央磁石部的两侧的长边直线部的厚度尺寸大。

46、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有相当于所述中央磁石部并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端倾斜中央磁石部，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端的所述第一磁铁的所述摆动端倾斜中央磁石部被布置为向所述第一摆动端及所述第二摆动端中的另一个摆动端倾斜。

47、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，对于在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁，摆动端倾斜中央磁石部向第二摆动端倾斜。另外，在摆动端倾斜中央磁石部与比该摆动端倾斜中央磁石部靠近第一摆动端的周边磁石部之间形成磁力线。由于摆动端倾斜中央磁石部倾斜，因此能够使磁力线以在摆动方向上推向第二摆动端的方式产生。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。

48、其理由是因为，关于由比摆动端倾斜中央磁石部靠近一个摆动端的周边磁石部形成的磁力线的倾斜状态，由于摆动端倾斜中央磁石部被形成为向另一个摆动端倾斜，因此能够在摆动方向上以接近于靶表面的法线的方式形成磁力线。

49、在此，摆动端倾斜中央磁石部被形成为向另一个摆动端倾斜是指摆动端倾斜中央磁石部的磁力向另一个摆动端倾斜。

50、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述磁力线倾斜机构为辅助磁铁，所述辅助磁铁与所述第一摆动端相比位于所述摆动区域的外侧，并且与所述第一磁铁的所述周边磁石部相邻布置。

51、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，由位于第一摆动端的磁铁形成磁力线。使用由辅助磁铁形成的磁场，能够使磁力线倾斜。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

52、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

53、本发明的一方式所涉及的溅射装置具有位于所述靶的周围的阳极，所述磁力线倾斜机构为摆动端外磁石部，所述摆动端外磁石部与所述第一摆动端相比位于所述摆动区域的外侧，并且布置在所述阳极的背面。

54、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，由位于第一摆动端的磁铁形成磁力线。使用由摆动端外磁石部(辅助磁铁)形成的磁场，能够使磁力线倾斜。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

55、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

56、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁铁在所述第一摆动端形成磁力线，所述磁力线倾斜机构使所述磁力线变化，以使在所述摆动方向上扩展的所述磁力线的宽度减小。

57、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，由位于第一摆动端的磁铁形成磁力线。通过磁力线倾斜机构，能够以不向摆动区域的外侧扩展的方式形成磁力线。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

58、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

59、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁铁具备：中央磁石部，是以直线状布置且朝向所述靶形成磁场的第一磁极；和周边磁石部，是朝向所述靶形成磁场并且与所述第一磁极极性不同的第二磁极，所述周边磁石部沿所述靶的所述表面包围所述中央磁石部的周围，所述磁铁单元具有在所述摆动方向上排列布置的多根所述磁铁，多根所述磁铁包括：第一磁铁，位于所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端；和第二磁铁，位于所述第一磁铁的旁边，所述第一磁铁具有在所述摆动方向上与所述中央磁石部相邻布置并且为所述磁力线倾斜机构的摆动端磁性体部。

60、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中处于靠近第一摆动端的位置的磁铁中，在中央磁石部与周边磁石部之间形成磁力线。通过摆动端磁性体部，能够在摆动方向上以不向摆动区域的外侧扩展的方式形成磁力线。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。

61、其理由是因为，由于摆动端磁性体部与中央磁石部相邻布置，因此能够将由比中央磁石部靠近第一摆动端的周边磁石部形成的磁力线以不向摆动区域的外侧扩展的方式形成。

62、在此，摆动端磁性体部可布置在靠近中央磁石部的一个端部的位置。或者，摆动端磁性体部可布置在靠近中央磁石部的另一个端部的位置。或者，摆动端磁性体部可布置在摆动方向上的中央磁石部的两侧的位置。

63、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述磁力线倾斜机构具有磁铁倾斜扫描部，所述磁铁倾斜扫描部使所述磁铁倾斜，以使在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的一个摆动端由所述磁铁形成的磁力线向另一个摆动端倾斜。

64、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，在磁铁单元中，磁铁倾斜扫描部使位于第一摆动端的磁铁倾斜。由此，能够使由位于第一摆动端的磁铁形成的磁场向第二摆动端倾斜。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

65、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

66、本发明的一方式所涉及的溅射装置具有位于所述靶的周围的阳极，所述磁力线倾斜机构为磁铁靠近扫描部，在所述第一摆动端及所述第二摆动端中的每一个摆动端由所述磁铁形成磁力线，所述磁铁靠近扫描部使所述磁铁与所述靶靠近，以减少到达所述阳极的所述磁力线。

67、对在作为磁铁单元所摆动的范围的摆动区域中，磁铁单元位于第一摆动端的情况进行说明。在该情况下，磁铁靠近扫描部使处于靠近第一摆动端的位置的磁铁与位于第一摆动端的靶靠近。由此，能够将由磁铁形成的磁场的位置在靶附近的区域中设为在摆动方向上不向摆动区域的外侧扩展的位置。在磁铁单元位于第二摆动端的情况下，也能够得到同样的作用。

68、因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

69、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

70、本发明的一方式所涉及的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元，所述阴极单元具有：靶，可形成溅蚀区域；磁铁单元，相对于所述靶布置在与所述被成膜基板相反的一侧且在所述靶中形成所述溅蚀区域；磁铁单元扫描部，在沿所述基板表面的摆动方向上的第一摆动端与第二摆动端之间，使所述磁铁单元和所述被成膜基板相对往复动作；和磁力线倾斜机构，在所述第一摆动端与所述第二摆动端之间形成有摆动区域，所述磁铁单元具有沿着所述靶的表面在与所述摆动方向交叉的摆动宽度方向上延伸的多根磁铁，所述磁力线倾斜机构为辅助磁铁，所述辅助磁铁沿着在所述磁铁中位于所述第一摆动端的所述磁铁，使由位于所述第一摆动端的所述磁铁形成的磁力线向所述第二摆动端倾斜。

71、在磁铁单元的第一摆动端，由位于第一摆动端的磁铁形成磁力线。使用由辅助磁铁产生的磁场，能够使磁力线倾斜。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量。因此，能够抑制因等离子体被吸引而引起等离子体密度减小的现象。由此，能够有效地减少溅蚀与非溅蚀的边界区域。能够减少因形成溅蚀与非溅蚀的边界区域引起的颗粒产生。

72、同时，能够抑制供给电压的变动，从而抑制由磁铁的摆动位置引起的等离子体密度的变动。能够使等离子体产生状态稳定，并有效地抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

73、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述辅助磁铁沿着位于所述第一摆动端的所述磁铁相对于所述第一摆动端布置在与所述第二摆动端相反的一侧，所述辅助磁铁能够与所述磁铁一体摆动。

74、由此，能够与磁铁的摆动位置无关地抑制由磁铁形成的磁力线的减少。能够使等离子体产生状态稳定，并减少溅蚀与非溅蚀的边界区域的形成。能够抑制颗粒产生，并且抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

75、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述辅助磁铁为与位于所述第一摆动端的所述磁铁同极的磁铁。

76、由此，利用由辅助磁铁形成的磁力线来排斥由产生等离子体的磁铁形成的磁力线。因此，能够在维持必要的磁性强度(磁通密度)的状态下使磁力线向规定的方向倾斜。因此，能够抑制溅蚀与非溅蚀的边界区域的形成而不会产生等离子体密度的下降。能够抑制颗粒产生，并且抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

77、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，所述辅助磁铁的磁性强度可以等于或小于位于所述第一摆动端的所述磁铁的磁性强度。

78、由此，能够使由产生等离子体的磁铁形成的磁力线以规定的角度倾斜，而不会因由辅助磁铁形成的磁力线而过度倾斜。因此，不会产生多余的等离子体密度的下降，不会产生多余的非溅蚀边界区域，能够抑制溅蚀与非溅蚀的边界区域的形成。能够抑制颗粒产生，并且抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

79、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述辅助磁铁具有沿所述磁铁向所述靶突出的突条。

80、由此，能够由突条集中形成辅助磁铁的磁力线。由此，能够使由产生等离子体的磁铁形成的磁力线有效地倾斜而不会使辅助磁铁的磁力线分散。因此，能够使辅助磁铁小型化及轻量化，从而能够在不给磁铁单元扫描部增加多余负担的情况下使磁铁及辅助磁铁摆动。由此，不会产生等离子体密度的下降，不会产生多余的非溅蚀边界区域，能够抑制溅蚀与非溅蚀的边界区域的形成。能够抑制颗粒产生，并且抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

81、本发明的一方式所涉及的溅射装置可具有与所述磁铁形成磁路的磁轭，所述辅助磁铁相对于所述磁铁布置在远离所述靶的相反侧的位置，所述辅助磁铁安装固定在所述磁轭上。

82、由此，能够与磁铁一体摆动，并且能够与摆动位置无关地将由辅助磁铁引起的针对位于摆动端的磁铁的磁力线的倾斜度保持恒定。另外，通过对与磁轭一起形成的磁铁的磁路还引入辅助磁铁的磁力，从而能够更有效地产生等离子体。

83、本发明的一方式所涉及的溅射装置可具备平板状的磁轭，该平板状的磁轭具有：由磁性体构成的表面；和中央区域，所述磁铁布置于所述磁轭，所述阴极单元具有中央磁石部和周边磁石部，所述中央磁石部在所述磁轭的所述中央区域以直线状布置，所述周边磁石部以包围所述中央磁石部的方式环设，所述阴极单元具有所述中央磁石部及所述周边磁石部彼此平行的平行区域，在所述磁轭的所述表面设置有磁路，衬板与所述磁路重叠布置，所述辅助磁铁呈与所述中央磁石部平行且沿所述摆动端的所述周边磁石部的直线状，所述辅助磁铁经由辅助磁轭固定于所述磁轭，所述辅助磁轭由磁性体或电介质构成。

84、周边磁石部的磁极面沿着与被成膜基板平行的面布置。位于摆动方向上的一个摆动端的周边磁石部形成磁力线。该磁力线在相对于与磁极面正交的方向倾斜的方向上延伸。换言之，磁力线以向一个摆动端的外侧倾斜的方式形成。

85、根据上述结构，使这种磁力线所形成的方向朝向另一个摆动端倾斜。即使在磁铁布置于最靠近阳极的位置的情况下，也使磁力线所形成的方向朝向另一个摆动端倾斜。因此，能够减少被阳极吸引的电子的量，并且防止等离子体密度在摆动方向的周边减小的现象。不会产生多余的非溅蚀边界区域，抑制溅蚀与非溅蚀的边界区域的形成。因此，能够抑制颗粒产生，并且抑制膜厚分布、膜质特性分布的偏差的产生。

86、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述辅助磁轭及所述辅助磁铁相对于所述磁轭能够拆卸。

87、在溅射装置中，可能进行各种各样的动作条件下的处理。换言之，需要形成与各种各样的动作条件分别对应的磁力线。也就是，需要使由摆动端处的磁铁形成的磁力线的倾斜角度不同。在这种情况下，通过更换辅助磁铁，能够容易地变更与磁力线的形成状态有关的设定。

88、在本发明的一方式所涉及的溅射装置中，可以是所述磁轭及所述磁铁在所述摆动宽度方向上被分割，能够在所述摆动宽度方向与靠近及远离靶的方向上设定分割部分的位置，所述分割部分中的所述辅助磁铁能够与对应的所述磁铁一体摆动。

89、为了控制针对整个成膜区域的成膜状态，例如有时在摆动宽度方向上调整与等离子体产生有关的磁通密度的条件。在该情况下，考虑将磁铁分割为多个磁铁分割部件，并调整多个磁铁分割部件各自的位置。例如，需要在摆动方向、摆动宽度方向或与磁极面正交的方向上，使多个分割部件相对于磁铁单元扫描部彼此相对移动。在这种情况下，通过使用辅助磁铁，能够改变使由位于摆动端的周边磁石部形成的磁力线向所需要的方向倾斜的状态。能够在多个磁铁分割部件中的每一个磁铁分割部件中进行这种磁力线的倾斜状态的调整。另外，能够维持多个磁铁分割部件中的每一个磁铁分割部件的磁力线的倾斜状态。

90、根据本发明，能够维持所需要的磁通密度以维持等离子体密度。能够抑制在产生非溅蚀的区域周围产生不清晰的区域。能够实现颗粒的削减，以及能够使所产生的等离子体分布稳定来实现与磁铁的摆动位置无关地提高膜厚分布及膜质特性分布的均匀性。