基板处理装置的制作方法

本发明关于一种用于处理晶片等基板的基板处理装置，特别是关于一边由旋转辊保持基板的周缘部，一边将处理工具按压于基板表面来处理该基板表面的基板处理装置。

背景技术：

1、近年来，存储电路、逻辑电路、图像传感器(例如cmos传感器)等的器件进一步高积体化。在形成这些器件的工序中，微粒子、尘埃等异物会附着于器件。附着于器件的异物会引起配线间的短路及电路故障。因此，为了使器件的可靠性提高，需要清洗形成有器件的晶片，来除去晶片上的异物。

2、晶片的背面(非器件面)也会附着上述的微粒子、粉尘等异物。这种异物附着于晶片的背面时，当晶片从曝光装置的载台基准面离开，晶片表面相对于载台基准面倾斜，结果会发生图案形成偏差、焦点距离偏差。为了防止这种问题，需要除去附着于晶片背面的异物。

3、因此，如图12及图13所示，使用了由研磨带研磨晶片背面的基板处理装置。图12是过去的基板处理装置的俯视图，图13是图12所示的过去的基板处理装置的侧视图。基板处理装置一边通过多个辊500保持晶片w的周缘部，一边通过这些辊500自身旋转而使晶片w旋转。研磨带502配置于晶片w的背面侧。多个按压构件505排列于晶片w的直径方向，通过由这些按压构件505将研磨带502按压于晶片w的背面，来研磨晶片w的背面。按压于晶片w背面的研磨带502能够从晶片w的背面除去异物。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2019－77003号公报

7、发明要解决的问题

8、晶片w的外周部应研磨的面积比晶片w的中心部大。因此，整个晶片w背面为了达成均匀的研磨率，需要增大从外侧的按压构件505施加于晶片w外周部的研磨负荷。但是，如图14所示，通过按压构件505以较大的研磨负荷将研磨带502按压于晶片w外周部时，晶片w会向上方挠曲。晶片w因为圆弧状挠曲，导致研磨带502无法均匀压住，造成晶片w的外周部的研磨率不均匀。

9、为了降低这种晶片w的挠曲，一种解决方案是降低外侧的按压构件505的研磨负荷。但是，降低外侧的按压构件505的研磨负荷时，为了使晶片w整个背面的研磨率均匀，需要使晶片w的内周部的研磨率也降低。结果，导致晶片w整个背面的研磨率降低，用于达成目标研磨量的研磨时间拉长。

10、因此，为了防止晶片w向上方挠曲，如图15及图16所示，提出了将伯努利吸盘508配置于晶片w的背面侧的结构。伯努利吸盘508以通过放出流体产生吸引力而将晶片w的背面向下方吸引的方式构成。采用这种伯努利吸盘508时可期待防止晶片w向上方挠曲。

11、但是，因为伯努利吸盘508某种程度地远离晶片w的研磨点，所以如图17所示，仍然会发生晶片w向上方挠曲。一个解决方案是将伯努利吸盘508靠近晶片w的研磨点，不过，因为辊500与其驱动机构存在，因而在结构上将伯努利吸盘508靠近晶片w的研磨点有困难。

12、将伯努利吸盘508小型化时，可将伯努利吸盘508靠近晶片w的研磨点。但是，伯努利吸盘508变小时，伯努利吸盘508产生的吸引力亦降低，而无法支承研磨负荷。结果，晶片w的背面从伯努利吸盘508离开，导致伯努利吸盘508无法发挥其功能。

技术实现思路

1、因此，本发明提供一种减少对晶片等基板的处理负荷造成的基板挠曲，并可处理基板的基板处理装置。

2、(解决问题的手段)

3、一个方式提供一种基板处理装置，具备：多个辊，该多个辊绕基准中心点排列，并以接触于基板的周缘部的方式配置；按压构件，该按压构件将处理工具按压于基板的表面的外周部；及致动器，该致动器对所述按压构件赋予按压力，所述多个辊中的两个辊邻接于所述按压构件，且配置于所述按压构件的两侧。

4、一个方式中，将与从所述基准中心点延伸至所述按压构件的中心的基准中心线垂直且通过所述按压构件的中心的线作为基准垂线时，所述两个辊的轴心位于所述基准垂线上，或是相比于所述基准垂线位于半径方向外侧。

5、一个方式中，所述基板处理装置还具备伯努利吸盘，该伯努利吸盘经由流体而以非接触状态支承所述基板的所述表面，从所述基准中心点延伸至所述两个辊的各自的轴心的线与所述基准中心线形成的中心角度小于从所述基准中心点延伸至所述伯努利吸盘的中心的线与所述基准中心线形成的中心角度。

6、一个方式中，所述两个辊具有与所述多个辊中的其他辊不同的形状。

7、一个方式中，所述两个辊分别具有倒圆锥台形状的锥形面，并以将相对于所述按压力的反力施加于所述基板的周缘部的方式构成。

8、一个方式中，所述多个辊具有相同形状，并以保持所述基板的周缘部的方式构成。

9、发明效果

10、配置于按压构件两侧的两个辊可支承从按压构件施加于基板的外周部的按压力，可显著减少基板向上方的挠曲。结果，处理头能够以希望的按压力将处理工具均匀地施加于基板的外周部，可达成作为目标的除去率。再者，在基板的整个被研磨面可达成均匀的除去率。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求1-3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.如权利要求1-3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

技术总结本发明关于一种用于处理晶片等基板的基板处理装置，特别是关于一边以旋转辊保持基板的周缘部一边将处理工具按压于基板表面来处理该基板表面的基板处理装置。基板处理装置具备：绕基准中心点(CP)排列，并以与基板(W)的周缘部接触的方式配置的多个辊(11A～11D)；将处理工具(3)按压于基板(W)的表面外周部的按压构件(21A)；及对按压构件(21A)赋予按压力的致动器(22A)。多个辊(11A～11D)中的两个(11A、11B)邻接于按压构件(21A)，且配置于按压构件(21A)的两侧。技术研发人员：小林贤一,藤泽真於,柏木诚受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所技术研发日：技术公布日：2024/6/2