贴膜返工装置的制作方法

本申请涉及半导体芯片制作，特别是涉及贴膜返工装置。

背景技术：

1、在零件的表面贴膜时，通常会由于操作不当导致部分气体残存在零件与膜片之间，使得贴膜后形成气泡。在相关技术中，是采用刀具将气泡搓破后再挤出残存的气体。然而，上述方式会对膜片造成较大的破损面积，气泡的消除效果较差。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对传统方式的气泡的消除效果较差问题，提供一种贴膜返工装置。

2、一种贴膜返工装置，贴膜返工装置用于释放膜片与零件间的气体，贴膜返工装置包括：

3、壳体；

4、吸气组件，吸气组件包括设于壳体的一端的空心管以及设于壳体内的活塞；活塞和壳体界定出一体积可变的储气腔，空心管的内腔连通于储气腔，活塞配置为能够响应于外部作用力而沿空心管的中心轴线的延伸方向往复移动；

5、其中，空心管能够戳入膜片的目标区域，目标区域为膜片与零件之间具有气体的区域，气体能够响应于储气腔的体积变化而经由内腔进入储气腔。

6、在其中一个实施例中，吸气组件还包括沿空心管的中心轴线的延伸方向滑动连接于壳体的推动件，且推动件连接于活塞。

7、在其中一个实施例中，贴膜返工装置还包括设于壳体的排气口；

8、推动件滑动至预设位置时，储气腔与排气口连通。

9、在其中一个实施例中，贴膜返工装置还包括设于壳体背离吸气组件一端的修复组件；

10、修复组件包括连接于壳体的弹性件；

11、其中，膜片的目标区域能够响应于弹性件的抵压而与零件相贴合。

12、在其中一个实施例中，修复组件还包括设于弹性件内的加热件。

13、在其中一个实施例中，修复组件还包括设于壳体的调温件，调温件电性连接加热件。

14、在其中一个实施例中，加热件为电阻丝，调温件被配置为能够控制流经加热件的电流大小。

15、在其中一个实施例中，贴膜返工装置还包括设于壳体的电源，电源用于向加热件供电。

16、在其中一个实施例中，弹性件朝向膜片的一侧具有修复面，修复面为弧形。

17、在其中一个实施例中，空心管朝向膜片的一端被构造为尖端。

18、在本申请的技术方案中，当空心管戳入膜片的目标区域后，驱动活塞沿空心管中心轴线的延伸方向朝向远离空心管的方向移动，此时储气腔的体积变大，由于目标区域的压力大于储气腔的压力，因此，目标区域内的气体将会随着活塞的移动而逐渐被吸入储气腔内，直至目标区域内的气体被基本抽取干净。而由于空心管的孔径较小，因此，相对采用刀具将气泡搓破的方式来说，本申请在对膜片表面造成较小破损面积的同时，也能够更大程度地清除目标区域的气体，从而提升了气泡的消除效果。

技术特征：

1.一种贴膜返工装置，其特征在于，所述贴膜返工装置用于释放膜片与零件间的气体，所述贴膜返工装置包括：

2.根据权利要求1所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述吸气组件还包括沿所述空心管的中心轴线的延伸方向滑动连接于所述壳体的推动件，且所述推动件连接于所述活塞。

3.根据权利要求2所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述贴膜返工装置还包括设于所述壳体的排气口；

4.根据权利要求1-3任一项所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述贴膜返工装置还包括设于所述壳体背离所述吸气组件一端的修复组件；

5.根据权利要求4所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述修复组件还包括设于所述弹性件内的加热件。

6.根据权利要求5所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述修复组件还包括设于所述壳体的调温件，所述调温件电性连接所述加热件。

7.根据权利要求6所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述加热件为电阻丝，所述调温件被配置为能够控制流经所述加热件的电流大小。

8.根据权利要求7所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述贴膜返工装置还包括设于所述壳体的电源，所述电源用于向所述加热件供电。

9.根据权利要求4所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述弹性件朝向所述膜片的一侧具有修复面，所述修复面为弧形。

10.根据权利要求1-3任一项所述的贴膜返工装置，其特征在于，所述空心管朝向所述膜片的一端构造为尖端。

技术总结本申请涉及一种贴膜返工装置，包括壳体和吸气组件，吸气组件包括设于壳体的一端的空心管以及设于壳体内的活塞，活塞和壳体界定出一体积可变的储气腔，空心管的内腔连通于储气腔，活塞配置为能够响应于外部作用力而沿空心管的中心轴线的延伸方向往复移动，空心管能够戳入膜片的目标区域，目标区域为膜片与零件之间具有气体的区域，气体能够响应于储气腔的体积变化而经由内腔进入储气腔。在本申请的方案中，目标区域内的气体将会随着活塞的移动而逐渐被吸入储气腔内，直至目标区域内的气体被基本抽取干净，而由于空心管的孔径较小，因此，本申请在对膜片表面造成较小破损面积的同时也能够更大程度地清除目标区域的气体，从而提升了气泡的消除效果。技术研发人员：陈育鑫,闵源受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司技术研发日：20231013技术公布日：2024/7/4