半导体器件的制作方法

本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及一种包括单扩散中断(single diffusionbreak)的半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件被提供来在每个封装件上实现集成电路(ic)芯片，以便有资格用在各种电子产品中。最近，半导体集成电路(ic)行业已经经历了指数增长。行业中的进步已经产生了与前一代相比具有减小的面积和更复杂的电路的ic的要求。

2、另外地，半导体工艺的发展已经产生了可以具有高集成度的半导体器件。然而，可能需要半导体器件具有高性能。例如，小型半导体器件的集成电路可以具有减小的面积，然而大型半导体器件可以具有工作速度高的集成电路。也就是说，集成电路需要功能方面的高性能和高工作速度两者。因此，在本领域中需要用于设计包括高集成度和高性能两者的半导体器件的系统和方法。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种在不存在栅极结构的区域中基于虚设扩散中断(dummy diffusion break)作为蚀刻停止层而具有减少的缺陷的半导体器件。

2、本公开的实施例不限于所提及的任务，并且本领域的普通技术人员可以从以下描述清楚地理解未提及的其他任务。

3、本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有彼此间隔开的第一区域和第二区域；多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构设置在所述第一区域中，在第一水平方向上彼此间隔开，并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度；多个第二栅极结构，所述多个第二栅极结构设置在所述第二区域中，在所述第一水平方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；多个单扩散中断(singlediffusion break)，所述多个单扩散中断布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第二水平方向上延伸；以及多个虚设扩散中断，所述多个虚设扩散中断布置在所述第一区域与所述第二区域之间，在所述第二水平方向上延伸，并且包括与所述单扩散中断相同的材料。

4、本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域和虚设区域，所述虚设区域布置在所述第一区域与所述第二区域之间并且被划分成多个区；多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构设置在所述第一区域中，在第一水平方向上彼此间隔开，并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度；多个第二栅极结构，所述多个第二栅极结构设置在所述第二区域中，在所述第一水平方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；多个单扩散中断，所述多个单扩散中断布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第二水平方向上延伸；以及多个虚设扩散中断，所述多个虚设扩散中断布置在所述虚设区域中，在所述第二水平方向上延伸，并且在所述多个区中沿所述第二水平方向具有不同长度。

5、本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域和布置在所述第一区域与所述第二区域之间的虚设区域；多个第一有源图案，所述多个第一有源图案设置在所述第一区域中并且在第一水平方向上延伸；多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构设置在所述第一区域中，在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度，其中，所述多个第一栅极结构在所述第一区域中与所述第一有源图案交叉；多个第二有源图案，所述多个第二有源图案设置在所述第二区域中并且在所述第一水平方向上延伸；多个第二栅极结构，所述多个第二栅极结构设置在所述第二区域中，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述多个第二栅极结构在所述第二区域中与所述第二有源图案交叉；多个第一凹陷，所述多个第一凹陷布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第一水平方向上彼此间隔开；多个单扩散中断，所述多个单扩散中断布置在所述多个第一凹陷中并且在所述第二水平方向上延伸；多个虚设扩散中断，所述多个虚设扩散中断布置在所述虚设区域中，在所述第二水平方向上延伸，并且包括与所述单扩散中断相同的材料；以及层间绝缘层，所述层间绝缘层围绕每一个所述第一栅极结构、每一个所述第二栅极结构、每一个所述单扩散中断和每一个所述虚设扩散中断。

技术特征：

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述虚设扩散中断在所述第一水平方向上的宽度大于或等于每一个所述单扩散中断在所述第一水平方向上的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述虚设扩散中断在与所述第一水平方向和所述第二水平方向垂直的垂直方向上的长度小于每一个所述单扩散中断在所述垂直方向上的长度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括层间绝缘层，其中：

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，所述半导体器件还包括层间绝缘层，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个虚设扩散中断在所述第一水平方向上分开恒定距离。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括鳍型有源图案，所述鳍型有源图案沿与所述第一水平方向和所述第二水平方向垂直的垂直方向布置在所述第一栅极结构下方。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括多个堆叠纳米片，所述多个堆叠纳米片沿与所述第一水平方向和所述第二水平方向垂直的垂直方向布置在所述第一栅极结构下方。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述虚设扩散中断包括与所述单扩散中断相同的材料。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，所述半导体器件还包括层间绝缘层，其中：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中：

16.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中：

18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中：

19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中：

20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述多个单扩散中断是通过对所述多个第一栅极结构中的至少一个第一栅极结构执行置换工艺而形成的。

技术总结提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，具有彼此间隔开的第一区域和第二区域；多个第一栅极结构，设置在所述第一区域中，在第一水平方向上彼此间隔开，在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度；多个第二栅极结构，设置在所述第二区域中，在所述第一水平方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；多个单扩散中断，布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第二水平方向上延伸；以及多个虚设扩散中断，布置在所述第一区域与所述第二区域之间，在所述第二水平方向上延伸，并且包括与所述单扩散中断相同的材料。技术研发人员：宋刚儒受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29