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基板处理装置和基板处理方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 18:58:22

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术:

1、在半导体装置的制造中,通过向半导体晶圆等基板供给药液来对该基板进行湿蚀刻处理或清洗处理等液处理。在专利文献1中记载了一种对基板实施这样的液处理的基板处理系统。基板处理系统具备药液槽、水洗槽、水洗缓冲槽、移送部以及旋转干燥部。在药液槽中对多个基板实施批式的药液处理,在水洗槽中对药液处理后的多个基板实施批式的水洗处理,在旋转干燥部中对被实施了水洗处理的多个基板的每一张基板实施单片式的甩干干燥处理。水洗缓冲槽用于将水洗处理后的多个基板暂时保管在水中。移送部将被保管在水洗缓冲槽内的多个基板逐张地搬送到旋转干燥部。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利第3192951号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够在从批处理部向单片处理部搬送基板时防止基板的表面状态的恶化的技术。

3、本公开的一个实施方式所涉及的基板处理装置具备:批处理部,其具有多个批处理单元,各个所述批处理单元构成为具有用于贮存处理液的处理槽并且使多个基板浸在贮存于所述处理槽内的处理液中来对所述多个基板一并实施液处理;单片处理部,其具备对由所述批处理部处理后的所述多个基板逐张地实施处理的单片处理单元;待机部,其具有用于贮存浸渍液的浸渍槽,使由所述批处理部处理后的所述多个基板以浸在所述浸渍液中的状态等待;以及搬送系统,其从所述待机部向所述单片处理部搬送所述多个基板,所述搬送系统包括用于将浸在所述浸渍槽内的所述浸渍液中的所述多个基板从所述浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元,其中,所述待机部构成为能够对所述基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方,所述第一液处理是使所述基板的表面亲水化的液处理、或者是提高或维持所述基板的表面的亲水性的液处理,所述第二液处理是使所述基板的表面的zeta电位即电动电位为负的液处理。

4、根据上述的本公开的一个实施方式,能够在从批处理部向单片处理部搬送基板时防止基板的表面状态的恶化。

技术特征:

1.一种基板处理装置,具备:

2.一种基板处理装置,具备:

3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,

4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,

5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,

6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,

7.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,

8.根据权利要求3、5和6中的任一项所述的基板处理装置,其中,

9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,

10.根据权利要求3、5和6中的任一项所述的基板处理装置,其中,

11.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,

12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,

13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,还具备:

14.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,

15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中,还具备:

16.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,

17.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,

18.根据权利要求17所述的基板处理装置,其中,

19.根据权利要求3至6中的任一项所述的基板处理装置,其中,

20.一种基板处理方法,是使用基板处理装置来执行的基板处理方法,

21.一种基板处理方法,是使用基板处理装置来执行的基板处理方法,

22.根据权利要求20所述的基板处理方法,其中,

23.根据权利要求20所述的基板处理方法,其中,

24.根据权利要求20所述的基板处理方法,其中,

25.根据权利要求20所述的基板处理方法,其中,

26.根据权利要求21所述的基板处理方法,其中,

27.根据权利要求26所述的基板处理方法,其中,

28.根据权利要求21所述的基板处理方法,其中,

技术总结基板处理装置具备:批处理部,其具有多个批处理单元,各个批处理单元用于在贮存于处理槽内的处理液中对多个基板一并实施液处理;单片处理部,其对由批处理部处理后的基板逐张地实施处理;待机部,其使由批处理部处理后的基板在浸渍槽内的浸渍液中等待;以及搬送系统,其从待机部向单片处理部搬送基板,所述搬送系统包括用于将基板从浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元。待机部对基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方,所述第一液处理是使基板表面亲水化的液处理、或者是提高或维持表面的亲水性的液处理,所述第二液处理是使基板表面的电动电位为负的液处理。技术研发人员:永松辰也,稻田尊士,滨岛悠太,本田拓巳,河野央,菅野至受保护的技术使用者:东京毅力科创株式会社技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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