存储器装置的制作方法

发明构思涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及包括存储器单元阵列和位于存储器单元阵列下方的子字线驱动器的存储器装置。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dram)通过使用存储在存储器单元的单元电容器中的电荷写入和读取数据来操作。在dram中，存储器单元阵列连接到位线和字线。多条位线连接到感测放大器，并且字线连接到字线驱动器。

技术实现思路

1、发明构思可提供一种存储器装置，所述存储器装置包括位于存储器单元阵列下方的多个子字线驱动器并且由于字线延伸以由多个子字线驱动器驱动而具有提高的字线驱动力。

2、根据发明构思的一方面，提供一种存储器装置，包括：多个子阵列区域，各自包括多个存储器单元；多个接触区域，位于所述多个子阵列区域之间；多条字线，各自在第一方向上延伸以穿过所述多个子阵列区域和所述多个接触区域；以及多个子字线驱动器，在所述多个子阵列区域下方并且被配置为驱动所述多条字线，其中，所述多个接触区域中的每个包括将所述多条字线之中的相应的字线电连接到子字线驱动器的多个接触件。

3、根据发明构思的另一方面，提供一种存储器装置，包括：存储器单元区域，包括包含多个存储器单元的存储器阵列；以及外围电路区域，在存储器单元区域下方并且包括外围电路，其中，存储器单元区域还包括：多个子阵列区域，各自包括所述多个存储器单元；多个接触区域，位于所述多个子阵列区域之间；以及多条字线，各自在第一方向上延伸以穿过所述多个子阵列区域和所述多个接触区域，其中，所述多个接触区域包括将所述多条字线电连接到外围电路的多个接触件。

4、根据发明构思的另一方面，提供一种存储器装置，包括：多个子阵列区域，各自包括多个存储器单元；多个接触区域，位于所述多个子阵列区域之间；多条字线，各自在第一方向上延伸；以及多个子字线驱动器，在所述多个子阵列区域下方并且被配置为驱动所述多条字线，其中，所述多个接触区域中的每个包括将所述多条字线之中的相应的字线电连接到子字线驱动器的多个接触件，并且其中，所述多条字线中的每条连接到所述多个子字线驱动器之中的至少两个相应的子字线驱动器。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子阵列区域中的每个被布置，使得其一个表面与所述多个子阵列区域中的另外的子阵列区域接触并且其另一表面与所述多个接触区域中的相应的接触区域接触。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述多个接触区域中的每个中，连接到延伸以穿过所述多个接触区域的所述多条字线中的所有字线的所述多个接触件被布置。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个接触区域包括第一接触区域和第二接触区域，并且

5.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的存储器装置，其中，所述多个存储器单元包括仅位于所述多个子阵列区域和所述多个接触区域之中的所述多个子阵列区域中的多个单元电容器结构。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的存储器装置，其中，所述多个存储器单元包括位于所述多个子阵列区域中的多个单元电容器结构；并且

9.根据权利要求1至6中的任一项所述的存储器装置，还包括：

10.一种存储器装置，包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，外围电路区域包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述多条字线中的每条连接到所述多个子字线驱动器之中的至少两个相应的子字线驱动器。

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，外围电路区域包括在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上彼此邻近地布置的第一子电路区域至第四子电路区域，

14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，外围电路区域包括在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上彼此邻近地布置的第一子电路区域至第四子电路区域，

15.一种存储器装置，包括：

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，所述多个子阵列区域中的每个被布置，使得其一个表面与所述多个子阵列区域中的另外的子阵列区域接触并且其另一表面与所述多个接触区域中的相应的接触区域接触。

17.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，在所述多个接触区域中的每个中，连接到所述多条字线之中的位于所述多个接触区域中的所述多条字线中的所有字线的所述多个接触件被布置。

18.根据权利要求15所述的存储器装置，还包括：

19.根据权利要求15至18中的任一项所述的存储器装置，其中，所述多个存储器单元包括仅位于所述多个子阵列区域和所述多个接触区域之中的所述多个子阵列区域中的多个单元电容器结构。

20.根据权利要求15至18中的任一项所述的存储器装置，还包括：

技术总结公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个子阵列区域，各自包括多个存储器单元；多个接触区域，位于所述多个子阵列区域之间；多条字线，各自在第一方向上延伸以穿过所述多个子阵列区域和所述多个接触区域；以及多个子字线驱动器，在所述多个子阵列区域下方并且被配置为驱动所述多条字线，其中，所述多个接触区域中的每个包括将所述多条字线之中的相应的字线电连接到子字线驱动器的多个接触件。技术研发人员：崔修焕,徐宁焄,金尚玧受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/4