光检测装置、电子设备和光检测系统的制作方法

本公开涉及一种其中例如光电转换元件以配线层介于其间的方式层叠的光检测装置、电子设备和光检测系统。

背景技术：

1、例如，专利文献1公开了一种其中光电转换元件以配线层介于其间的方式层叠的成像元件。

2、引用文献列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本未审查专利申请公开第2013-70030号

技术实现思路

1、顺便提及，在如上所述的光电转换元件以配线层介于其间的方式层叠的光检测装置中，希望提高图像质量。

2、希望提供一种能够提高可见光区域和近红外区域中的每一个的图像质量的光检测装置、电子设备和光检测系统。

3、用作本公开一个实施方案的光检测装置包括：第一光电转换部，其对可见光区域中的波长成分进行光电转换；第二光电转换部，其层叠在第一光电转换部上并且对近红外区域中的波长成分进行光电转换；和设置在第一光电转换部和第二光电转换部之间的第一配线层，第一配线层包括使用透过比所述可见光区域更长的波长区域中的波长成分的材料形成的一个或多个配线，所述一个或多个配线用于读出通过第一光电转换部中的光电转换而产生的电荷。

4、用作本公开一个实施方案的电子设备包括上述根据本公开一个实施方案的光检测装置。

5、用作本公开一个实施方案的光检测系统包括发出近红外光的光源部和检测由被写体反射的环境光和所述近红外光的光检测装置，所述光检测系统还包括作为光检测装置的上述根据本公开一个实施方案的光检测装置。

6、在用作本公开一个实施方案的光检测装置、用作本公开一个实施方案的电子设备和用作本公开一个实施方案的光检测系统中，第一光电转换部对可见光区域中的波长成分进行光电转换，第二光电转换部对近红外区域中的波长成分进行光电转换，并且使用透过比可见光区域更长的波长区域中的波长成分的材料来形成在彼此层叠的第一光电转换部和第二光电转换部之间设置的第一配线层中包括的一个或多个配线。这种构成降低了进入第二光电转换部的入射光的减少。

技术特征：

1.一种光检测装置，包括：

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述一个或多个配线使用多晶硅形成。

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，第一光电转换部设置在具有用作光入射面的第一面和在与第一面相对侧的第二面的第一半导体基板中。

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求5所述的光检测装置，还包括配置在第二半导体基板的第四面侧的电路板，所述电路板具有一个或多个读出电路和逻辑电路，所述一个或多个读出电路被构造为基于通过第一光电转换部和第二光电转换部的每一个中的光电转换而产生的电荷来生成像素信号，所述逻辑电路被构造为处理所述像素信号。

7.根据权利要求5所述的光检测装置，还包括第一电路板和第二电路板，第一电路板具有基于通过第一光电转换部和第二光电转换部的每一个中的光电转换而产生的电荷来生成像素信号的一个或多个读出电路，第二电路板具有处理所述像素信号的逻辑电路，其中，

8.根据权利要求6所述的光检测装置，还包括贯通第二半导体基板的第三面和第四面之间的一个或多个贯通配线，其中，

9.根据权利要求8所述的光检测装置，其中，所述一个或多个贯通配线设置在第二光电转换部的周围。

10.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，针对多个的第一光电转换部中的每一个设置一个第二光电转换部。

11.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，针对配置在2行×2列中的每四个的第一光电转换部设置一个第二光电转换部。

12.根据权利要求11所述的光检测装置，其中，在平面图中，配置在2行×2列中的四个的第一光电转换部的交叉点与第二光电转换部的中心彼此一致。

13.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括在第一光电转换部和第二光电转换部之间的选择性地透过所述近红外区域中的波长成分的滤波器。

14.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，第一半导体基板包括硅基板。

15.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，第二半导体基板包括含有锗、硅锗、铟镓砷或黑硅的基板。

16.一种包括光检测装置的电子设备，所述光检测装置包括：

17.一种光检测系统，包括：

技术总结根据本公开实施方案的光检测装置设置有：第一光电转换部，其对可见光区域中的波长成分进行光电转换；第二光电转换部，其层叠在第一光电转换部上并且对近红外区域中的波长成分进行光电转换；和设置在第一光电转换部和第二光电转换部之间的第一配线层，第一配线层包括使用透过比所述可见光区域更长的波长区域中的波长成分的材料形成的一个或多个配线，所述一个或多个配线用于读出通过第一光电转换部中的光电转换而产生的电荷。技术研发人员：荻野拓海,椎名公康,吉田慎一,蛯子芳树受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2