一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统的制作方法

本发明涉及太阳能电池，具体涉及一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能，而转化效率为太阳电池性能的重要指标。ibc(interdigitatedback contact)太阳能电池，也即叉指型背接触电池，其正/负电极均设计于电池的背面，使得前表面彻底避免了金属栅线的遮挡，杜绝了金属栅线遮挡所带来的光学损失，同时电极宽度可设计的较现有更宽，降低了串联电阻损失，从而大幅提高电池转化效率。另外，由于正面无电极的设计下，产品外观更优美，适合于多种应用场景。

2、现有技术中，背接触太阳能电池的背面形成交错设置的p区和n区，通常地，p区的p型掺杂多晶硅层与n区的n型掺杂多晶硅层厚度相等，而由于背接触太阳能电池先制备p型掺杂多晶硅，再进行n型掺杂多晶硅层制备，若p型掺杂多晶硅层厚度较厚，p型掺杂多晶硅蚀刻难度大，不便对p型掺杂多晶硅进行图案化；而且，p型掺杂多晶硅层厚度较厚也不利于硼扩散，硼扩散难度大，不便制备较高浓度的p型掺杂多晶硅层。

技术实现思路

1、本发明提供一种背接触太阳能电池，旨在解决现有技术的背接触太阳能电池存在不便对p型掺杂多晶硅进行图案化、及不便制备较高浓度的p型掺杂多晶硅层的问题。

2、本发明是这样实现的，提供一种背接触太阳能电池，包括：

3、硅基底，所述硅基底具有相对设置的背面和正面；

4、p型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底的背面的第一区域；

5、n型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底的背面的第二区域，且所述第一区域异于所述第二区域；

6、其中，所述n型掺杂多晶硅层的厚度大于所述p型掺杂多晶硅层的厚度。

7、优选的，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～2，且不等于1。

8、优选的，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～1.5，且不等于1。

9、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。

10、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～4，且不等于1。

11、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～2，且不等于1。

12、优选的，所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面与所述n型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面存在第一高度差，且所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面相比所述n型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面更远离所述硅基底的正面。

13、优选的，所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面与所述n型掺杂多晶硅层远离所述硅基底的表面存在第二高度差，且所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面相比所述n型掺杂多晶硅层远离所述硅基底的表面更远离所述硅基底的正面。

14、本发明还提供一种电池组件，包括上述的背接触太阳能电池。

15、本发明还提供一种光伏系统，包括上述的电池组件。

16、本发明提供的一种背接触太阳能电池通过将n型掺杂多晶硅层的厚度设置成大于p型掺杂多晶硅层的厚度，在n型掺杂多晶硅层厚度不变的前提下，减小p型掺杂多晶硅层的厚度，降低p型掺杂多晶硅的刻蚀难度，从而降低p型掺杂多晶硅图案化工艺难度，便于实现p型掺杂多晶硅的图案化工艺；而且，减小p型掺杂多晶硅层的厚度，可以降低硼扩散难度，有利于硼扩散工艺，便于制备较高浓度的p型掺杂多晶硅层，提升电池效率；而且，n型掺杂多晶硅层的厚度大于p型掺杂多晶硅层的厚度，n型掺杂多晶硅层相比p型掺杂多晶硅层更厚，可增强钝化效果，提升电池效率。另外，由于背接触太阳能电池先整面制备p型掺杂多晶硅，再进行n型掺杂多晶硅层制备，在制备n型掺杂多晶硅层时，需要先对n区的p型掺杂多晶硅刻蚀去除，本发明将p型掺杂多晶硅层厚度减薄，降低p型掺杂多晶硅的蚀刻难度，便于将n区的p型掺杂多晶硅去除干净，方便n型掺杂多晶硅层的制备。

技术特征：

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～2，且不等于1。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～1.5，且不等于1。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～4，且不等于1。

6.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～2，且不等于1。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面与所述n型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面存在第一高度差，且所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面，相比所述n型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的正面。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面与所述n型掺杂多晶硅层远离所述硅基底的表面存在第二高度差，且所述p型掺杂多晶硅层靠近所述硅基底的表面，相比所述n型掺杂多晶硅层远离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的正面。

9.一种电池组件，其特征在于，包括如权利要求1～8任意一项所述的背接触太阳能电池。

10.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求9所述的电池组件。

技术总结本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于硅基底的背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于硅基底的背面的第二区域，且第一区域异于第二区域；其中，N型掺杂多晶硅层的厚度大于P型掺杂多晶硅层的厚度。本发明提供的背接触太阳能电池可以降低P型掺杂多晶硅的刻蚀难度，便于实现P型掺杂多晶硅的图案化工艺，且有利于P型掺杂多晶硅层的硼扩散处理工艺，便于制备较高浓度的P型掺杂多晶硅层，提升电池效率。技术研发人员：王永谦,张生利,陈辉受保护的技术使用者：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9