硅片调整系统和硅片调整方法与流程

本发明涉及半导体，特别是指一种硅片调整系统和硅片调整方法。

背景技术：

1、半导体行业中，在测试硅片(wafer)的平坦度、厚度(thickness)和纳米形貌时，为了提升产能，采用的是使wafer处于直立状态，利用干涉仪通过光程差测试wafer的参数，其测试原理的结构示意图如图1所示，由电脑(personal computer，pc)控制的激光相机(camera)发射的激光经过凸透镜和参考镜至wafer进行测试，在测试之前，需要对用于控制竖直放置的wafer的松紧度调节装置进行调整，使得松紧度调节装置对wafer夹持的松紧度达到预定值后，再进行测试。但是现有技术中，是通过经验和肉眼调整松紧度调节装置后，再通过标准的wafer测试验证松紧度是否合适，这导致调整所需的时间长、调整的松紧度的准确性也不能保证。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种硅片调整系统和硅片调整方法，用以解决在对硅片进行测试过程中，对硅片松紧度调节装置进行调整时，所需时间长且准确性无法保证的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

3、本发明实施例提供一种硅片调整系统，包括：

4、硅片松紧度调节装置，所述硅片松紧度调节装置用于夹持硅片以及调整夹持硅片的松紧度；

5、与所述硅片松紧度调节装置连接的压力传感器，所述压力传感器用于获取所述硅片松紧度调节装置夹持所述硅片的第一压力值；

6、与所述压力传感器和所述硅片松紧度调节装置分别连接的控制设备，所述控制设备用于获取所述压力传感器发送的所述第一压力值，并根据所述第一压力值和目标压力值，调整所述硅片松紧度调节装置夹持硅片的松紧度。

7、一些实施例中，所述硅片松紧度调节装置还用于调整夹持预设标准硅片的松紧度；

8、所述压力传感器还用于获取所述硅片松紧度调节装置夹持所述预设标准硅片的第二压力值；

9、所述控制设备还用于获取所述第二压力值以及所述预设标准硅片的测试参数，在所述测试参数满足预设要求的情况下，将所述第二压力值作为所述目标压力值。

10、一些实施例中，所述硅片调整系统还包括驱动结构；

11、所述驱动结构分别与所述控制设备和所述硅片松紧度调节装置连接；

12、所述控制设备具体用于根据所述第一压力值和所述目标压力值，通过所述驱动结构调整所述硅片松紧度调节装置夹持硅片的松紧度。

13、一些实施例中，所述硅片松紧度调节装置包括调节结构和与所述调节结构连接的夹持端；所述夹持端用于夹持硅片，所述调节结构用于调整夹持硅片的松紧度；

14、所述控制设备具体用于根据所述第一压力值和所述目标压力值，通过所述驱动结构控制所述调节结构调整所述夹持端夹持硅片的松紧度。

15、一些实施例中，所述控制设备具体用于根据所述第一压力值和所述目标压力值，生成控制信号，向所述驱动结构发送所述控制信号；

16、所述驱动结构具体用于根据所述控制信号控制所述调节结构的旋转方向和旋转圈数；

17、所述调节结构具体用于根据所述旋转方向和所述旋转圈数调整所述夹持端夹持硅片的松紧度。

18、一些实施例中，所述控制设备具体用于在所述第一压力值和所述目标压力值之间的差值绝对值大于预设值的情况下，调整所述硅片松紧度调节装置夹持所述硅片的松紧度。

19、一些实施例中，所述控制设备具体用于在所述第一压力值和所述目标压力值之间的差值绝对值大于预设值的情况下，生成警示信号。

20、一些实施例中，所述压力传感器包括压敏电阻和数据处理模块；所述压敏电阻与所述硅片松紧度调节装置连接，所述数据处理模块用于根据所述压敏电阻的电阻值获取所述硅片松紧度调节装置夹持硅片的第一压力值。

21、一些实施例中，所述硅片松紧度调节装置包括多个所述调节结构和多个所述夹持端；

22、一个所述调节结构连接一个所述夹持端；

23、多个所述夹持端对应的所述第一压力值相同或者不同，多个所述夹持端对应的所述目标压力值相同或者不同。

24、本发明实施例还提供一种硅片调整方法，应用于如上中任一项所述的硅片调整系统，所述硅片调整方法包括：

25、接收压力传感器发送的硅片松紧度调节装置夹持硅片的第一压力值；

26、根据所述第一压力值和目标压力值，调整硅片松紧度调节装置夹持硅片的松紧度。

27、本发明的实施例具有以下有益效果：

28、本发明实施例提供的硅片调整系统，通过硅片松紧度调节装置夹持硅片，通过压力传感器获取硅片松紧度调节装置夹持硅片的第一压力值，以及通过控制设备根据第一压力值和目标压力值，控制调整硅片松紧度调节装置夹持硅片的松紧度，以使压力传感器检测到的硅片松紧度调节装置夹持所述硅片的压力值至目标压力值，实现对夹持硅片的松紧度调整的自动化，节省调整时间，且保证调整后硅片松紧度调节装置夹持硅片的压力值为目标压力值，保证调整的准确性。

技术特征：

1.一种硅片调整系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片调整系统，其特征在于，所述硅片松紧度调节装置还用于调整夹持预设标准硅片的松紧度；

3.根据权利要求1所述的硅片调整系统，其特征在于，所述硅片调整系统还包括驱动结构；

4.根据权利要求3所述的硅片调整系统，其特征在于，所述硅片松紧度调节装置包括调节结构和与所述调节结构连接的夹持端；所述夹持端用于夹持硅片，所述调节结构用于调整夹持硅片的松紧度；

5.根据权利要求4所述的硅片调整系统，其特征在于，所述控制设备具体用于根据所述第一压力值和所述目标压力值，生成控制信号，向所述驱动结构发送所述控制信号；

6.根据权利要求1所述的硅片调整系统，其特征在于，所述控制设备具体用于在所述第一压力值和所述目标压力值之间的差值绝对值大于预设值的情况下，调整所述硅片松紧度调节装置夹持所述硅片的松紧度。

7.根据权利要求1所述的硅片调整系统，其特征在于，所述控制设备具体用于在所述第一压力值和所述目标压力值之间的差值绝对值大于预设值的情况下，生成警示信号。

8.根据权利要求1所述的硅片调整系统，其特征在于，所述压力传感器包括压敏电阻和数据处理模块；所述压敏电阻与所述硅片松紧度调节装置连接，所述数据处理模块用于根据所述压敏电阻的电阻值获取所述硅片松紧度调节装置夹持硅片的第一压力值。

9.根据权利要求4所述的硅片调整系统，其特征在于，所述硅片松紧度调节装置包括多个所述调节结构和多个所述夹持端；

10.一种硅片调整方法，其特征在于，应用于如权利要求1至9中任一项所述的硅片调整系统，所述硅片调整方法包括：

技术总结本发明提供了一种硅片调整系统和硅片调整方法，涉及半导体技术领域，所述硅片调整系统，包括：硅片松紧度调节装置，硅片松紧度调节装置用于夹持硅片以及调整夹持硅片的松紧度；与硅片松紧度调节装置连接的压力传感器，压力传感器用于获取硅片松紧度调节装置夹持硅片的第一压力值；与压力传感器和硅片松紧度调节装置分别连接的控制设备，控制设备用于获取压力传感器发送的第一压力值，并根据第一压力值和目标压力值，调整硅片松紧度调节装置夹持硅片的松紧度。本发明可以实现对夹持硅片的松紧度调整的自动化，节省调整时间，且保证调整后硅片松紧度调节装置夹持硅片的压力值为目标压力值，保证调整的准确性。技术研发人员：王雷,杨震,万珣受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17