泄漏电流补偿的制作方法

本文所公开的各种示例性实施例涉及例如开关式稳压器中的泄漏电流补偿。

背景技术：

1、具有大功率晶体管的电路会经历大功率晶体管中的电流泄漏。此泄漏电流随着温度升高而增加。当具有电流泄漏的大功率晶体管连接到电路的输出时，电流泄漏可变得大到足以损坏附接到输出的其它电路。因此，电流泄漏补偿可用于减少功率晶体管中的电流泄漏。

技术实现思路

1、下文呈现各种示例性实施例的概述。

2、各种实施例涉及一种连接到具有电流泄漏的电路和泄漏补偿电路的电流泄漏限制电路，所述电流泄漏限制电路包括：具有第一晶体管和第二晶体管的第一电流镜；以及连接到第一晶体管的电流源，其中第二晶体管连接在电路与泄漏补偿电路之间，其中第二晶体管限制在电路与泄漏补偿电路之间流动的补偿电流，并且其中从电流源流动通过第一晶体管的电流限制流动通过第二晶体管的电流。

3、描述各种实施例，另外包括与第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极连接到泄漏补偿电路。

4、描述各种实施例，另外包括与第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极连接到泄漏补偿电路中的第二电流镜中的晶体管的栅极。

5、描述各种实施例，其中第一晶体管具有与第二晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过第二晶体管的电流，并且其中第一晶体管的区域大体上与第二电流镜的晶体管的区域相同。

6、另外的各种实施例涉及一种电路，所述电路包括：晶体管电路，其包括第一功率晶体管，其中第一功率晶体管被配置成在晶体管电路的输出处产生泄漏电流；泄漏补偿电路，其被配置成补偿在晶体管电路的输出处的泄漏电流；以及电流泄漏限制电路，其连接到晶体管电路和泄漏补偿电路，所述电流泄漏限制电路包括：具有第一晶体管和第二晶体管的第一电流镜；以及连接到第一晶体管的电流源，其中第二晶体管连接在电路与泄漏补偿电路之间，其中第二晶体管限制在电路与泄漏补偿电路之间流动的补偿电流，且其中从电流源流动通过第一晶体管的电流限制流动通过第二晶体管的电流。

7、描述各种实施例，其中电流泄漏限制电路另外包括与第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极连接到泄漏补偿电路。

8、描述各种实施例，其中电流泄漏限制电路另外包括与第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极连接到泄漏补偿电路中的第二电流镜中的晶体管的栅极。

9、描述各种实施例，其中第一晶体管具有与第二晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过第二晶体管的电流，并且其中第三晶体管的区域大体上与第二电流镜的晶体管的区域相同。

10、描述各种实施例，其中晶体管电路另外包括：与第一功率晶体管串联连接的第二功率晶体管。

11、描述各种实施例，其中晶体管电路另外包括：电感器，其连接在晶体管电路的输出与第一功率晶体管与第二功率晶体管之间的连接件之间；以及电容器，其连接在晶体管电路的输出与接地之间。

12、描述各种实施例，其中泄漏补偿电路另外包括：具有第四晶体管和第五晶体管的第二电流镜；以及与第四晶体管串联连接的第六晶体管，其中第五晶体管与第二晶体管串联连接。

13、描述各种实施例，其中电流泄漏限制电路另外包括：与第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极连接到第四晶体管和第五晶体管的栅极。

14、描述各种实施例，其中第一晶体管具有与第二晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过第二晶体管的电流，第三晶体管的区域与第四晶体管的区域大体上相同，并且第四晶体管具有与第五晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过第四晶体管的电流。

15、前文已相当广泛地概述根据本公开的例子的特征和技术优势，使得可以更好地理解以下具体实施方式。将在下文中描述额外特征和优点。所公开的概念和具体例子可以容易地用作修改或设计用于执行本公开的相同目的的其它结构的基础。此类等效构造并不脱离所附权利要求书的范围。本文中所公开的概念的特性，当结合附图考虑时其组织和操作的方法两者连同相关联优点将从以下描述更好地理解。每个图都出于说明和描述的目的而提供，且并不提供为对权利要求书的限制的定义。

技术特征：

1.一种电流泄漏限制电路，其被配置成连接到具有电流泄漏的电路和泄漏补偿电路，其特征在于，所述电流泄漏限制电路包括：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，另外包括与所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极连接到所述泄漏补偿电路。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，另外包括与所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极连接到所述泄漏补偿电路中的第二电流镜中的晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管具有与所述第二晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过所述第二晶体管的电流，并且其中所述第一晶体管的所述区域大体上与所述第二电流镜的晶体管的区域相同。

5.一种电路，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电流泄漏限制电路另外包括与所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极连接到所述泄漏补偿电路。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电流泄漏限制电路另外包括与所述第一晶体管串联连接的第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极连接到所述泄漏补偿电路中的第二电流镜中的晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管具有与所述第二晶体管的区域不同的区域，以按比例调整流动通过所述第二晶体管的电流，并且其中所述第一晶体管的区域大体上与所述第二电流镜的晶体管的区域相同。

9.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述晶体管电路另外包括：

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述晶体管电路另外包括：

技术总结一种连接到具有电流泄漏的电路和泄漏补偿电路的电流泄漏限制电路包括具有第一晶体管和第二晶体管的第一电流镜以及连接到所述第一晶体管的电流源。所述第二晶体管连接在所述电路与所述泄漏补偿电路之间，且限制在所述电路与所述泄漏补偿电路之间流动的补偿电流。从所述电流源流动通过所述第一晶体管的电流限制流动通过所述第二晶体管的电流。技术研发人员：李长赫,李珍熙受保护的技术使用者：恩智浦有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17