制程控制旋钮估计的制作方法

本说明书一般涉及后预防性维护(pm)腔室控制旋钮的估计。更具体地说，本说明书涉及到在执行诸如腔室季化之类的腔室恢复程序之后估计与腔室条件相关联的腔室控制旋钮设定。

背景技术：

1、基板处理可以包括一系列的制程，这些制程依据电路设计在半导体(例如硅晶片)中产生电路。这些制程可以在一系列的腔室中实现。现代半导体制造设施的成功操作可能旨在促进在晶片中形成电路的过程中将稳定的晶片流从一个腔室移动到另一个腔室。在执行许多基板制程的过程中，处理腔室的条件可能会被改变，这可能导致经处理的基板无法满足期望的条件和结果。

2、一个这样的基板制程可以包括等离子体蚀刻，这是一种借由从晶片表面移除分层材料，将掩模材料层中的图案转移到掩模下的另一层(如导电或电介质材料层)的过程。这样的过程不可避免地会产生不同种类的蚀刻副产物，如氧化硅和有机聚合物，这取决于分层材料和蚀刻化学物质。一些副产物沉积到执行等离子体蚀刻制程的腔室的内表面上。副产物的沉积可能会影响蚀刻效能，影响的方式例如是将颗粒(如薄片)沉积到基板上，或与等离子体反应并影响制程结果。

3、为了减轻蚀刻副产物的影响，可以采用预防性维护(如腔室清洁)定期从腔室壁移除沉积物。在腔室清洁的一个示例性说明中，使腔室停止生产，并将清洁等离子体(例如用于清洁硅蚀刻期间沉积的氧化硅的cf4+o2等离子体)引入腔室。这种等离子体与沉积物发生反应，而这种反应的产物被抽出腔室。然而，在这样的腔室清洁之后，人们观察到，干净的腔室壁使腔室不适合立即进行生产晶片蚀刻。腔室季化(seasoning)是一种蚀刻一系列基板(如空白硅晶片)以恢复适合生产基板制程的腔室条件的程序。在腔室季化后，一层薄薄的氧化硅覆盖腔室壁。然后，该腔室被返回以进行生产晶片蚀刻，直到需要进行下一轮的腔室清洁和季化。

技术实现思路

1、描述了一种用于后预防性维护控制旋钮估计的方法和系统。在一些实施例中，一种方法包括以下步骤：由处理设备，接收传感器数据，该传感器数据表明处理基板的处理腔室的环境在该处理腔室上执行的腔室恢复程序之后的第一状态。该方法进一步包括以下步骤：接收基板制程数据，该基板制程数据表明与由具有在该腔室恢复程序之前处于第二状态的该环境的该处理腔室执行基板处理程序相关联的一组制程参数值。该方法进一步包括以下步骤：使用一个或多个机器学习模型(mlm)处理该传感器数据和该基板制程数据，以决定一个或多个输出。该一个或多个输出包括对该组制程参数值中的至少一者的第一更新。该第一更新可以与由具有处于该第一状态的该环境的该处理腔室执行该基板处理程序相关联。该方法可以进一步包括以下步骤：准备表明该第一更新的通知以在图形用户界面(gui)上呈现。该方法可以进一步包括以下步骤：导致该处理腔室基于该第一更新执行该基板处理程序的选集(selection)。

2、在一些实施例中，一种用于训练机器学习模型以预测对一组制程参数值的更新的方法包括以下步骤：由制程设备接收训练数据。该训练数据包括第一传感器数据，该第一传感器数据表明处理基板的第一处理腔室的环境在该第一处理腔室上执行的腔室恢复程序之后的第一状态。该训练数据可以进一步包括第一基板制程数据，该第一基板制程数据表明与由具有在该腔室恢复程序之前处于第二状态的该环境的该第一处理腔室执行第一基板处理程序相关联的第一组制程参数值。该训练数据可以进一步包括第二基板制程数据，该第二基板制程数据表明对该第一组制程参数值中的至少一者的第一更新。该第一更新可以与由具有处于该第一状态的该环境的该第一处理腔室执行该第一基板处理程序相关联。该方法进一步包括以下步骤：由该处理设备，用输入数据和目标输出训练一个或多个机器学习模型(mlm)。该输入数据包括该第一传感器数据和该第一基板制程数据。该目标输出可以包括该第二基板制程数据。该一个或多个经训练的mlm可以接收具有新传感器数据的新输入。该新传感器数据可以表明处理新基板的新处理腔室的该环境在该腔室恢复程序之后的第三状态。该新传感器数据可以进一步包括第三基板制程数据，该第三基板制程数据表明与由具有在该腔室恢复程序之前处于第四状态的该环境的该新处理腔室执行该第一基板处理程序相关联的第二组制程参数值，以基于该新输入产生新输出。该新输出表明对该第二组制程参数值中的至少一者的第二更新。该第二更新与由具有处于该第三状态的该环境的该新处理腔室执行该第一基板处理程序相关联。

3、在一些实施例中，上述方法可以储存在包括指令的非暂时性机器可读取储存介质上，这些指令当由处理设备执行时，导致该处理设备执行操作，这些操作可以包括前述方法中描述的一个或多个步骤。

技术特征：

1.一种方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一终点检测条件与所述处理腔室的所述环境的光学传感器测量对应。

4.如权利要求2所述的方法，其中决定所述第一终点检测条件的步骤包括以下步骤：

5.如权利要求4所述的方法，其中所述决定性模型包括机械学模型，所述机械学模型是借由使用所述一个或多个历史制程参数和所述一个或多个历史终点检测条件来至少执行线性指数回归来产生的。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

7.如权利要求6所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

8.如权利要求1所述的方法，其中处理所述传感器数据和所述基板制程数据的步骤进一步包括以下步骤：

9.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个mlm中的至少一者是使用最小绝对值收敛和选择运算符(lasso)回归或脊回归中的至少一者来训练的。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室恢复程序包括在预防性维护(pm)程序之后执行的腔室季化程序。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述一组制程参数值包括表明制程温度、制程压力或制程持续时间中的至少一者的一个或多个值。

12.一种方法，包括以下步骤：

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：

14.如权利要求12所述的方法，其中训练所述一个或多个mlm的步骤进一步包括以下步骤：使用所述训练数据执行梯度增强回归(gbr)。

15.如权利要求12所述的方法，其中：

16.一种包括指令的非暂时性机器可读取储存介质，当所述指令由处理设备执行时，导致所述处理设备执行包括以下步骤的操作：

17.如权利要求16所述的非暂时性机器可读取储存介质，所述操作进一步包括以下步骤：

18.如权利要求16所述的非暂时性机器可读取储存介质，其中：

19.如权利要求18所述的非暂时性机器可读取储存介质，所述操作进一步包括以下步骤：

20.如权利要求16所述的非暂时性机器可读取储存介质，所述操作进一步包括以下步骤：

技术总结本说明书的主题可以在方法、系统、计算机可读取储存介质等中实施。一种方法可以包括以下步骤：接收(i)传感器数据，表明处理基板的处理腔室的环境在腔室恢复程序之后的第一状态，以及(ii)基板制程数据，表明与由具有处于该腔室恢复程序之前的第二状态的该环境的该处理腔室执行基板处理程序相关联的一组制程参数值。该方法进一步包括以下步骤：使用一个或多个机器学习模型处理该传感器数据和该基板制程数据，以决定一个或多个输出。该一个或多个输出包括对该组制程参数值中的至少一者的更新。该更新与由具有处于该第一状态的该环境的该处理腔室执行该基板处理程序相关联。技术研发人员：洪政填,金相鸿,张美贤,李珍庚,世埈全受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4