半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本公开的实施方式涉及电子装置以及电子装置的制造方法，并且更具体地，涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经考虑了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种三维半导体装置的操作可靠性，已经开发出各种结构和制造方法。

技术实现思路

1、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：第一半导体结构，该第一半导体结构包括包含倒置阶梯结构的层叠物、位于层叠物下方的源极结构、位于层叠物上方的位线以及延伸穿过层叠物的沟道结构；第二半导体结构，该第二半导体结构接合到第一半导体结构，并且第二半导体结构包括：a)定位成面向倒置阶梯结构的通过晶体管；以及b)定位成面向源极结构的第一外围电路；以及第三半导体结构，该第三半导体结构接合到第一半导体结构，并且第三半导体结构包括：a)定位成面向位线的页缓冲器；以及b)定位成面向倒置阶梯结构的第二外围电路。

2、在另一实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成第一半导体结构，该第一半导体结构包括包含阶梯结构的层叠物、位于层叠物上方的源极结构以及延伸穿过层叠物的沟道结构；形成包括通过晶体管和第一外围电路的第二半导体结构；将第一半导体结构和第二半导体结构彼此接合；形成包括页缓冲器和第二外围电路的第三半导体结构；以及将第一半导体结构和第三半导体结构彼此接合。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠物包括分别通过所述倒置阶梯结构暴露的导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述导电层和所述通过晶体管通过所述第一接触插塞彼此电连接。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一外围电路包括将电压传送到所述导电层的电压发生器。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二外围电路包括数据输入/输出电路或控制所述页缓冲器的逻辑电路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体结构包括位于所述源极结构下方的第一接合焊盘以及位于所述位线上方的第二接合焊盘。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构包括接合到所述第一接合焊盘的第三接合焊盘。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第三半导体结构包括接合到所述第二接合焊盘的第四接合焊盘。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过晶体管中的每一个通过晶体管是高压晶体管。

12.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，形成所述第一半导体结构的步骤包括：

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，形成所述第二半导体结构的步骤包括：

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构彼此接合时，所述第一接合焊盘和所述第三接合焊盘彼此接合。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构彼此接合时，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构彼此接合，使得所述通过晶体管面向所述阶梯结构并且所述第一外围电路面向所述源极结构。

17.根据权利要求12所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述位线形成在包括倒置阶梯结构的所述层叠物上方。

19.根据权利要求18所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：

20.根据权利要求19所述的制造方法，其中，形成所述第三半导体结构的步骤包括：

21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，在将所述第一半导体结构和所述第三半导体结构彼此接合时，所述第二接合焊盘和所述第四接合焊盘彼此接合。

22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，在将所述第一半导体结构和所述第三半导体结构彼此接合时，所述第一半导体结构和所述第三半导体结构彼此接合，使得所述页缓冲器面向所述位线并且所述第二外围电路面向所述倒置阶梯结构。

23.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述层叠物包括分别通过所述阶梯结构暴露的导电层。

24.根据权利要求23所述的制造方法，其中，形成所述第一半导体结构的步骤包括：

25.根据权利要求24所述的制造方法，其中，所述导电层和所述通过晶体管通过所述第一接触插塞彼此电连接。

26.根据权利要求23所述的制造方法，其中，所述第一外围电路包括将电压传送到所述导电层的电压发生器。

27.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述第二外围电路包括数据输入/输出电路或控制所述页缓冲器的逻辑电路。

28.根据权利要求12所述的制造方法，其中，形成所述第一半导体结构的步骤包括：

技术总结本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置可以包括：第一半导体结构，该第一半导体结构包括包含倒置阶梯结构的层叠物、位于层叠物下方的源极结构、位于层叠物上方的位线以及延伸穿过层叠物的沟道结构；第二半导体结构，该第二半导体结构接合到第一半导体结构并且包括定位成面向倒置阶梯结构的通过晶体管以及定位成面向源极结构的第一外围电路；以及第三半导体结构，该第三半导体结构接合到第一半导体结构并且包括定位成面向位线的页缓冲器以及定位成面向倒置阶梯结构的第二外围电路。技术研发人员：郑盛旭受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14