晶圆电镀方法及晶圆电镀产品与流程

【】本申请涉及半导体器件制备，尤其涉及一种晶圆电镀方法及晶圆电镀产品。

背景技术

0、背景技术：

1、电镀工艺是通过电化学过程在基材表面沉积一层金属薄膜的一种技术。电镀工艺被广泛地应用于微电子技术领域，电镀工艺可以增强基材的导电性、抗腐蚀性和耐磨性等；此外，电镀工艺也可以用于形成电子器件中的导电路径、接触点和其他功能性结构。

2、随着微电子技术的不断发展，电子器件尤其是大规模集成电路芯片的尺寸不断缩小。例如，电极引线的宽度或电极引线之间的距离细小至0.3mm。相应地，电子器件对电镀工艺的镀层质量，如镀层厚度与镀层表面形貌等，都具有更高的要求。

3、镀层质量很容易受到电镀过程之中各项工艺参数和生产环境的影响，导致镀层与基材之间结合力较弱，进而导致容易发生镀层脱落失效的现象。这样的缺陷对于电子器件的可靠性和使用寿命有着较大的影响。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、本申请实施例提供的晶圆电镀方法及晶圆电镀产品，旨在降低相关技术中的镀层发生脱落的风险。

2、第一方面，本申请实施例提供以下技术方案：一种晶圆电镀方法。该晶圆电镀方法包括如下步骤：在晶圆的表面制备种子层；对所述种子层进行光刻，以得到具有预设图案的待电镀区；对所述待电镀区以第一预设电流密度进行第一电镀操作，以得到金属镀层；以及在所述第一电镀操作结束后，对所述待电镀区以第二预设电流密度进行第二电镀操作，以使所述金属镀层达到预设厚度；其中，所述第二预设电流密度为所述第一预设电流密度的65到75倍。

3、第二方面，本申请实施例提供以下技术方案：一种晶圆电镀产品。该晶圆电镀产品由如上所述的晶圆电镀方法制备获得。

4、本申请实施例提供的晶圆电镀方法的优势是：通过进行晶圆电镀的过程中，配合使用不同电流大小的第一电镀操作和第二电镀操作，一方面能够有效地增强晶圆电镀产品的金属镀层的粘附性，降低金属镀层脱落的风险。另一方面能够提升第二电镀操作时，能够使用到的最大电流，达到缩短电镀总时长的效果。

技术特征：

1.一种晶圆电镀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于，第一电镀时长是第二电镀时长的0.5到0.7倍；

3.根据权利要求2所述的晶圆电镀方法，其特征在于，所述金属镀层为铜镀层；

4.根据权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于，在所述对所述待电镀区以第二预设电流密度进行第二电镀操作之后，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆电镀方法，其特征在于，所述快速退火操作包括：在350℃～380℃的条件下，退火10分钟到15分钟。

6.根据权利要求4所述的晶圆电镀方法，其特征在于，在所述在保护气氛下，对所述晶圆组件实施快速退火操作之前，所述方法还包括：

7.根据权利要求6所述的晶圆电镀方法，其特征在于，在所述对晶圆组件进行清洗之后，所述方法还包括：

8.根据权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于，在所述对所述待电镀区以第一预设电流密度进行第一电镀操作之前，所述方法还包括：

9.根据权利要求1所述的晶圆电镀方法，其特征在于，所述在晶圆的表面制备种子层，具体包括：

10.一种晶圆电镀产品，其特征在于，所述晶圆电镀产品由权利要求1-9任一项所述的晶圆电镀方法制备获得。

技术总结本申请实施例提供了晶圆电镀方法及其晶圆电镀产品。该方法包括：在晶圆的表面制备种子层；对所述种子层进行光刻，以得到具有预设图案的待电镀区；对所述待电镀区以第一预设电流密度进行第一电镀操作，以得到金属镀层；以及在所述第一电镀操作结束后，对所述待电镀区以第二预设电流密度进行第二电镀操作，以使所述金属镀层达到预设厚度；其中，所述第二预设电流密度为所述第一预设电流密度的65到75倍。该方法能够有效地增强金属镀层的粘附性，避免金属镀层脱落的同时，提升第二电镀操作所能够使用的最大电流，从而有效地缩短电镀过程的总时长。技术研发人员：张恒,王慧,齐步祥受保护的技术使用者：苏州希景微机电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2025/1/6