树脂膜和显示装置的制作方法

本发明涉及含有半导体粒子的树脂膜、以及包含该树脂膜的显示装置。

背景技术：

1、专利文献1中记载了半导体粒子、具有特定结构单元的聚合物、含有聚合性不饱和化合物和聚合引发剂的固化性树脂组合物、以及使用该固化性树脂组合物形成的固化膜。该固化膜可作为波长转换膜、发光显示元件的发光层使用。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016－065178号公报

技术实现思路

1、由以往的固化性树脂组合物形成的固化膜在对光的耐性(以下，也称为“耐光性”)上尚存在改善的余地。本发明的目的在于提供含有半导体粒子的树脂膜且为耐光性良好的树脂膜、以及包含该树脂膜的显示装置。

2、本发明提供以下示出的树脂膜和显示装置。

3、[1]一种树脂膜，含有半导体粒子(a)，

4、对上述树脂膜实施在大气中以曝光量200mj/cm2(照射波长365nm基准)的条件进行曝光的第一曝光试验时，下述式表示的第一发光强度维持率r1为95％以上。

5、第一发光强度维持率r1(％)＝100×(上述第一曝光试验后的发光强度)/(上述第一曝光试验前的发光强度)

6、[2]根据[1]所述的树脂膜，其中，对实施了上述第一曝光试验的树脂膜实施在大气中以曝光量200mj/cm2(照射波长365nm基准)的条件进行曝光的第二曝光试验时，下述式表示的第二发光强度维持率r2为85％以上。

7、第二发光强度维持率r2(％)＝100×(上述第二曝光试验后的发光强度)/(上述第一曝光试验后的发光强度)

8、[3]根据[1]或[2]所述的树脂膜，其中，由包含上述半导体粒子(a)和树脂(b)的树脂组合物形成。

9、[4]根据[3]所述的树脂膜，其中，上述树脂组合物的聚合性化合物(c)和聚合引发剂(d)的含量分别相对于上述树脂组合物的固体成分的总量为0.01质量％以下。

10、[5]根据[4]所述的树脂膜，其中，上述树脂组合物的上述聚合性化合物(c)和上述聚合引发剂(d)的含量分别相对于上述树脂组合物的固体成分的总量为0质量％。

11、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的树脂膜，其中，进一步含有光散射剂(e)。

12、[7]一种显示装置，包含[1]～[6]中任一项所述的树脂膜。

13、本发明能够提供含有半导体粒子的树脂膜且为耐光性良好的树脂膜、以及包含该树脂膜的显示装置。

技术特征：

1.一种树脂膜，包含半导体粒子(a)，对所述树脂膜实施第一曝光试验时，下述式表示的第一发光强度维持率r1为95％以上，

2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，对实施了所述第一曝光试验的树脂膜实施第二曝光试验时，下述式表示的第二发光强度维持率r2为85％以上，

3.根据权利要求1所述的树脂膜，其是由包含所述半导体粒子(a)和树脂(b)的树脂组合物形成的。

4.根据权利要求3所述的树脂膜，其中，所述树脂组合物的聚合性化合物(c)和聚合引发剂(d)的含量分别相对于所述树脂组合物的固体成分的总量为0.01质量％以下。

5.根据权利要求4所述的树脂膜，其中，所述树脂组合物的所述聚合性化合物(c)和所述聚合引发剂(d)的含量分别相对于所述树脂组合物的固体成分的总量为0质量％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂膜，其中，进一步含有光散射剂(e)。

7.一种显示装置，包含权利要求1～5中任一项所述的树脂膜。

技术总结本发明提供树脂膜和包含该树脂膜的显示装置，所述树脂膜含有半导体粒子(A)，对该树脂膜实施在大气中以曝光量200mJ/cm2(波长365nm基准)的条件进行曝光的第一曝光试验时，公式：第一发光强度维持率R1(％)＝100×(第一曝光试验后的发光强度)/(第一曝光试验前的发光强度)表示的第一发光强度维持率R1为95％以上。技术研发人员：德田真芳,小松庆史,土谷崇夫,西川良永裕佳子受保护的技术使用者：住友化学株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/18