半导体芯片及半导体系统的制作方法

本公开总体涉及半导体芯片及半导体系统，更具体地涉及与提供重复地执行上电操作的测试模式有关的半导体芯片及半导体系统。

背景技术：

1、半导体器件需要从外部供应外部电压以便半导体器件进行操作。外部电压的电压电平从0v开始并且以恒定的斜率上升到目标电压电平。在这种情况下，当这样的外部电压被直接施加到半导体器件的所有电路时，因为电路受到正在上升的外部电压影响，所以电路中出现故障。因此，为了防止这种芯片的故障，半导体器件在外部电压的电压电平上升直到目标设置电平的上电区间之后生成被使能的信号(上电信号)，并且在上电信号被使能并且外部电压的电压电平变为稳定的电压电平之后将外部电压供应到每个电路。

2、在上电区间之后，这样的半导体器件根据操作从具有高电压电平的外部电压生成并且使用内部电压。核心区域中使用的核心电压、用于对位线进行预充电的位线预充电电压、以及用于驱动字线或在过驱动启动之后使用的高电压等被生成为这样的内部电压。

技术实现思路

1、在一实施例中，本公开可以提供一种半导体芯片，包括：检测电路，其被配置为当外部电压的电压电平大于第一设置电平时生成被使能的放电信号，以及被配置为当在测试模式中输出电压被生成为具有接地电压的电压电平时生成被使能的电压控制信号；电荷放电电路，其被配置为当放电信号被使能时将驱动电路中包括的输出节点的电荷放电；以及驱动电路，其被配置为通过响应于在电压控制信号被使能的区间期间电压电平减小的驱动信号而从外部电压向输出节点供应电荷来生成输出电压，输出电压的电压电平上升直到第二设置电平。

2、此外，在一实施例中，本公开可以提供一种半导体芯片，包括：电荷放电电路，其被配置为在测试模式中响应于当外部电压的电压电平大于第一设置电平时被使能的放电信号而将驱动电路中包括的输出节点的电荷放电；驱动控制电路，其被配置为生成驱动信号和参考电流，驱动信号的电压电平基于当输出电压被生成为具有与接地电压的电压电平相同的电压电平时被使能的电压控制信号而减小；以及被配置为通过比较输出电压和参考电压而生成被禁止的驱动信号；以及驱动电路，其被配置为通过响应于驱动信号而从外部电压向输出节点供应电荷来生成电压电平上升直到第二设置电平的输出电压。

3、此外，在一实施例中，本公开可以提供一种半导体芯片，包括：检测电路，其被配置为生成当外部电压的电压电平大于第一设置电平时被使能以及在设定时间之后被禁止的放电信号，以及被配置为在测试模式中当输出电压被生成为具有接地电压的电压电平时生成被使能的电压控制信号；电荷放电电路，其被配置为当放电信号被使能时将驱动电路中包括的输出节点的电荷放电；以及驱动电路，其被配置为通过响应于电压电平在电压控制信号被使能的区间期间减小的驱动信号而从外部电压向输出节点供应电荷来生成电压电平上升直到第二设置电平的输出电压。

4、此外，在一实施例中，本公开可以提供一种半导体系统，包括：半导体器件，包括：第一半导体芯片，其被配置为生成带隙电压；以及第二半导体芯片，其被配置为生成输出电压和上电信号，以及被配置为在当输出电压被生成为具有等于或大于设置电平的电压电平而上电信号被使能的区间期间，输出带隙电压和输出电压中的任一个作为监测电压；以及控制器，其被配置为通过检测监测电压的电压电平而检测第一半导体芯片和第二半导体芯片的正常操作。

技术特征：

1.一种半导体芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述驱动电路：随着所述驱动信号的电压电平减小而进一步增加供应到所述输出节点的电荷。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，当所述外部电压的电压电平是用于操作所述电荷放电电路中包括的电荷放电元件的电压电平时，所述第一设置电平被设定。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第二设置电平被设定为电源参考电压的电压电平。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述检测电路包括：

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述电平检测电路包括：

7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中，所述控制信号生成电路包括：

8.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中：

9.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述电荷放电电路包括：

10.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述驱动电路包括驱动元件，所述驱动元件被连接在所述外部电压和所述输出节点之间，以及通过基于所述驱动信号的电压电平而从所述外部电压向所述输出节点供应电荷来生成所述输出电压。

11.一种半导体芯片，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，所述驱动控制电路：当从所述输出电压分配的反馈电压被生成为具有等于或大于所述参考电压的电压电平的电压电平时禁止所述驱动信号。

13.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，当所述外部电压的电压电平是用于操作所述电荷放电电路中包括的电荷放电元件的电压电平时，所述第一设置电平被设定。

14.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，所述第二设置电平被设定为电源参考电压的电压电平。

15.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，所述电荷放电电路包括：

16.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，所述驱动控制电路包括：

17.根据权利要求16所述的半导体芯片，其中，所述驱动信号生成电路包括：

18.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中，所述驱动电路包括驱动元件，所述驱动元件被连接在所述外部电压和所述输出节点之间，以及通过基于所述驱动信号的电压电平而从所述外部电压向所述输出节点供应电荷来生成所述输出电压。

19.根据权利要求11所述的半导体芯片，还包括比较电路，所述比较电路在所述电压控制信号被使能的区间期间通过比较所述输出电压和具有所述第二设置电平的电源参考电压而生成上电信号。

20.根据权利要求19所述的半导体芯片，其中，所述比较电路：当所述输出电压被生成为具有等于或大于所述电源参考电压的电压电平的电压电平时，使能所述上电信号。

21.一种半导体芯片，包括：

22.根据权利要求21所述的半导体芯片，其中，所述检测电路包括：

23.根据权利要求22所述的半导体芯片，其中，所述电平检测电路包括：

24.根据权利要求23所述的半导体芯片，其中：

25.根据权利要求23所述的半导体芯片，其中，所述定时器包括：

26.根据权利要求25所述的半导体芯片，其中，所述设定时间被设置为电荷被供应到所述电容器以及所述电流控制信号上升了所述电流元件的阈值电压电平的时间。

27.根据权利要求25所述的半导体芯片，其中，当所述脉冲信号被使能时，所述设定时间随着所述第三节点的电荷被放电而被初始化。

28.根据权利要求21所述的半导体芯片，其中，所述电荷放电电路包括：

29.根据权利要求21所述的半导体芯片，其中，所述驱动电路包括驱动元件，所述驱动元件被连接在所述外部电压和所述输出节点之间，以及通过基于所述驱动信号的电压电平而从所述外部电压向所述输出节点供应电荷来生成所述输出电压。

30.一种半导体系统，包括：

31.根据权利要求30所述的半导体系统，其中，所述第二半导体芯片：

32.根据权利要求30所述的半导体系统，其中，所述半导体器件还包括：

技术总结本公开涉及半导体芯片及半导体系统。一种半导体芯片包括：检测电路，其在测试模式中当外部电压的电压电平大于第一设置电平时生成被使能的放电信号，以及当输出电压被生成为具有接地电压的电压电平时生成被使能的电压控制信号；电荷放电电路，其当放电信号被使能时将驱动电路中包括的输出节点的电荷放电；以及驱动电路，其通过响应于电压电平在电压控制信号被使能的区间期间减小的驱动信号而从外部电压向输出节点供应电荷来生成电压电平上升到第二设置电平的输出电压。技术研发人员：陆永燮,宋在祐受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15