聚醚腈膜以及聚醚腈膜的制造方法与流程

本发明涉及聚醚腈膜、以及聚醚腈膜的制造方法。

背景技术：

1、在电气设备中，小型化、薄型化发展，需要柔性印刷基板。近年来除此以外，无线因特网、通信设备的高速化发展，以高频率运作的情况变多。因此，要求可以实现高的传输速度的电路基板。伴随这样的状况，这些设备所使用的膜要求耐热性、低介电性、透明性。

2、为了响应该要求，以往，使用了芳香族聚酯等的膜。然而，这样的膜耐热性有课题，难以说满足要求。因此，需要具有进一步高的耐热性的膜。例如，在进行焊接时，要求280℃以上的耐热性。

3、聚醚腈为具有优异的耐热性、耐化学品性、阻燃性，此外具备耐磨损性、耐摩擦性等优异的机械特性的超级工程塑料的1种。聚醚腈的拉伸膜具有高的耐热性、机械特性(例如参照专利文献1)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开昭61-154923号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、然而，专利文献1所示的聚合物具有上述那样的优异的特性，另一方面，与其它热塑性树脂相比熔点也高，因此进行加工时的加工温度变高。此外，专利文献1所示的聚合物由于结晶性高，因此拉伸性差。进一步，专利文献1所示的聚合物由于在拉伸中结晶化而变得拉伸不良，因此需要使拉伸速度慢，生产性差。

3、因此，本发明鉴于这些现有技术的课题，以提供为加工性优异、具备高耐热性的聚醚腈膜，并且为在拉伸前拉伸性优异、在拉伸后具备高结晶性的聚醚腈膜作为目的。

4、用于解决课题的手段

5、本发明人等反复进行了深入研究，发现了通过控制了聚合物骨架结构的聚醚腈，可以达到上述目的。即，本发明具有以下构成。

6、(1)一种聚醚腈膜，是由聚醚腈制成的膜成型体，且观察到熔化热，上述聚醚腈具有n个式(i)所示的重复单元和m个式(ii)所示的重复单元，n和m为满足0.80≤[n/(n+m)]＜1.00的关系的整数。

7、

8、式中，ar1具有选自式(a)～式(e)所示的单元中的1个骨架，x为氢原子、甲基、三氟甲基中的任一者。r为碳原子数1～6的直链状有机基、碳原子数3～6的支链状有机基、和碳原子数3～6的环状有机基中的任一者，且可以包含1个或多个氧原子、氮原子、硫原子，r彼此可以相同也可以不同，a表示r的取代基数，为0～4的整数。

9、

10、(2)根据上述(1)所述的聚醚腈膜，其熔点为280～400℃。

11、(3)根据上述(1)或(2)所述的聚醚腈膜，其结晶取向度为50％以上。

12、(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的聚醚腈膜，其厚度为20微米时的总透光率为80％以上，且雾度为10％以下。

13、(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的聚醚腈膜，其频率5.8ghz下的介电常数为4.0以下。

14、(6)一种聚醚腈膜的制造方法，其具有下述工序(1)和工序(2)。

15、工序(1)为将聚醚腈在310～400℃下熔融成型的工序，上述聚醚腈具有n个式(i)所示的重复单元和m个式(ii)所示的重复单元，n和m为满足0.80≤[n/(n+m)]＜1.00的关系的整数，

16、工序(2)为将在工序(1)中获得的成型体冷却到180℃以下的工序，

17、

18、(式中，ar1具有选自式(a)～式(e)所示的单元中的1个骨架，x为氢原子、甲基、三氟甲基中的任一者。r为碳原子数1～6的直链状有机基、碳原子数3～6的支链状有机基、和碳原子数3～6的环状有机基中的任一者，且可以包含1个或多个氧原子、氮原子、硫原子，r彼此可以相同也可以不同，a表示r的取代基数，为0～4的整数。)

19、

20、(7)根据上述(6)所述的聚醚腈膜的制造方法，其进一步具有下述工序(3)和工序(4)。

21、工序(3)为将在工序(2)中获得的成型体在180～250℃下拉伸的工序

22、工序(4)为将在工序(3)中获得的成型体在220～320℃下加热的工序

23、发明的效果

24、根据本发明，可以提供为加工性优异、具备高耐热性的聚醚腈膜，并且为在拉伸前拉伸性优异、在拉伸后具备高结晶性的聚醚腈膜。

技术特征：

1.一种聚醚腈膜，是由聚醚腈制成的膜成型体，且观察到熔化热，所述聚醚腈具有n个式(i)所示的重复单元和m个式(ii)所示的重复单元，n和m为满足0.80≤[n/(n+m)]＜1.00的关系的整数，

2.根据权利要求1所述的聚醚腈膜，其熔点为280～400℃。

3.根据权利要求1或2所述的聚醚腈膜，其结晶取向度为50％以上。

4.根据权利要求1或2所述的聚醚腈膜，其厚度为20微米时的总透光率为80％以上，且雾度为10％以下。

5.根据权利要求1或2所述的聚醚腈膜，其频率5.8ghz下的介电常数为4.0以下。

6.一种聚醚腈膜的制造方法，其具有下述工序(1)和工序(2)，

7.根据权利要求6所述的聚醚腈膜的制造方法，其进一步具有下述工序(3)和工序(4)，

技术总结本发明以提供为加工性优异、具备高耐热性的聚醚腈膜，并且为在拉伸前拉伸性优异，在拉伸后具备高结晶性的聚醚腈膜作为目的。为了达到上述目的，本发明的聚醚腈膜具有以下构成。即，一种聚醚腈膜，是由聚醚腈制成的膜成型体，且观察到熔化热，上述聚醚腈具有N个式(I)所示的重复单元和M个式(II)所示的重复单元，N和M为满足0.80≤[N/(N+M)]＜1.00的关系的整数。技术研发人员：平野泰亮,赤平真人,山内幸二受保护的技术使用者：东丽株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/1