一种用于真空镀膜的前处理室结构的制作方法

本发明涉及真空镀膜，具体涉及一种用于真空镀膜的前处理室结构。

背景技术：

1、真空镀膜是目前较为前沿的镀膜技术，而真空镀膜中的磁控溅射镀膜法采用通过通电阳极放出电子，并使电子在电场的加速作用下与真空腔内的气体分子碰撞，从而使气体分子电离。电离的气体分子又在电场的作用下轰击阴极上的金属粒子，使金属粒子电离溅射，并使得电离出来的金属离子沉积于靶材表面形成薄膜。其中，为了使电子能够更加有效的与气体分子进行碰撞，从而提高气体分子的电离率，采用在阴极内部装入磁铁形成磁控阴极，电子在电场及磁场的共同作用下，将会在真空腔内形成螺旋式轨迹来增加电子与气体分子的碰撞概率。

2、现有技术中进行镀膜时，为了提高镀膜效果，往往会在溅射室内对基材进行加热以清除表面的一些水汽、灰尘和氧化物，以及通过离子源对基材表面进行轰击、清洗、活化处理，以去除基材表面杂质，增加基材表面的粗糙度，从而提高膜/基的结合力，增加镀膜效率。但是，由于进行加热以及离子源处理的部件均集成在溅射室内，导致溅射室整体结构复杂，体积大，不方便对设备进行检修以及调试。

技术实现思路

1、因此，本发明要解决的技术问题在于现有技术中由于进行加热以及离子源处理的部件均集成在溅射室内，导致溅射室整体结构复杂，体积大，不方便对设备进行检修以及调试，从而提供一种用于真空镀膜的前处理室结构。

2、为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

3、本发明提供一种用于真空镀膜的前处理室结构，包括：腔体，所述腔体具有适于与上游放卷室相连的放卷室接口以及与下游溅射室相连的溅射室接口；前处理模块，包括基架、加热组件以及离子源组件；所述基架设置在所述腔体内，沿基材的输送方向上所述加热组件与离子源组件依次设置在所述基架上。

4、可选的，所述基架的底部设置有滑轮；所述腔体的内底壁对应位置设置有所述滑轮相适配的第一导轨，所述基架通过所述滑轮与第一导轨可滑动地设置在所述腔体内。

5、可选的，所述基架包括两个相互平行间隔设置的安装板，两个所述安装板之间设置有若干能够输送基材的导向辊，以使基材先后经过所述加热组件与所述离子源组件。

6、可选的，至少在所述加热组件的上游设置两个所述导向辊；至少在所述加热组件与所述离子源组件之间设置一个所述导向辊；至少在所述离子源组件的下游设置三个所述导向辊。

7、可选的，所述导向辊中至少包括一个能够提供动力的动力辊；所述导向辊中至少包括一个能够控制张力的张力控制辊。

8、可选的，所述加热组件包括两个相互平行设置的加热线圈，每个所述加热线圈的连接部均与所述安装板相连，每个所述加热线圈的发热部均位于两个所述安装板之间的区域；两个所述加热线圈的发热部之间留有适于基材通过的间隙。

9、可选的，所述离子源组件包括两个相互间隔设置的离子源，每个所述离子源的连接部均与所述安装板相连，每个所述离子源的离子发射部均位于两个所述安装板之间的区域；沿基材的输送方向上两个所述离子源的粒子发射部错位布置。

10、可选的，所述腔体由一侧壁敞口的外壳以及设置在所述外壳的敞口处的门体组成；所述放卷室接口设置在所述外壳上与所述门体所在侧壁相邻的其中一个侧壁上，所述溅射室接口设置在所述外壳上与所述门体所在侧壁相邻的另一个侧壁上；所述基架通过所述外壳的敞口可拆卸的设置在所述外壳内。

11、可选的，所述外壳的顶部至少设置一个分子泵；所述外壳的顶部至少设置一个第一观察窗；所述门体上至少设置一个第二观察窗；所述外壳的内底壁设置有呈s型弯折布置的冷阱，适于去除所述外壳内的水蒸气。

12、可选的，该用于真空镀膜的前处理室结构还包括转运架，所述转运架的顶部设置有与所述滑轮相适配的第二导轨，所述第二导轨能够在所述基架从所述腔体内取出时与所述滑轮对接；所述转运架的底部设置有若干万向轮。

13、本发明技术方案，具有如下优点：

14、本发明提供的用于真空镀膜的前处理室结构，能够通过腔体上的溅射室接口设置在溅射室的上游，且相较于现有技术而言，将加热组件与离子源组件从溅射室内分离出，能够精简溅射室的结构，使溅射室的体积缩小，便于对设备进行检修以及调试；而且，该腔体还可以通过放卷室接口与上游的放卷室对接，有利于提高镀膜系统整体的模块化程度。

技术特征：

1.一种用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

6.根据权利要求3-5中任一项所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

7.根据权利要求3-5中任一项所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

10.根据权利要求2所述的用于真空镀膜的前处理室结构，其特征在于，

技术总结本发明涉及真空镀膜技术领域，提供了一种用于真空镀膜的前处理室结构，包括：腔体，所述腔体具有适于与上游放卷室相连的放卷室接口以及与下游溅射室相连的溅射室接口；前处理模块，包括基架、加热组件以及离子源组件；所述基架设置在所述腔体内，沿基材的输送方向上所述加热组件与离子源组件依次设置在所述基架上。本发明提供的用于真空镀膜的前处理室结构，能够通过腔体上的溅射室接口设置在溅射室的上游，且相较于现有技术而言，将加热组件与离子源组件从溅射室内分离出，能够精简溅射室的结构，使溅射室的体积缩小，便于对设备进行检修以及调试；而且，该腔体还可以通过放卷室接口与上游的放卷室对接，有利于提高镀膜系统整体的模块化程度。技术研发人员：张兵,贲素东,唐睿,苏曹兵,松田光也,陈贤生受保护的技术使用者：洪田科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10