技术新讯 > 有机化合物处理,合成应用技术 > 复合材料及其制备方法、薄膜、发光器件和显示装置与流程  >  正文

复合材料及其制备方法、薄膜、发光器件和显示装置与流程

  • 国知局
  • 2024-10-21 14:54:49

本技术涉及发光器件,尤其涉及一种复合材料、所述复合材料的制备方法、包括所述复合材料的发光器件、以及包括所述发光器件的显示装置。

背景技术:

1、有机材料又称有机高分子材料,主要由c、h等元素组成,有机材料因具有附着力高、韧性强、弹性高、可塑性强、耐磨、气密性好等等特性而被作为绝缘材料或导电材料等广泛应用在各个领域中。

2、然而,有机材料中包含有c-c键和c-h键,而c-c键和c-h键在能量较高的环境下(例如高电压环境等)易断裂,从而导致有机材料的稳定性较差,在一定程度上限制了有机材料的应用。

3、因此,现有的有机材料的稳定性有待进一步提升。

技术实现思路

1、有鉴于此,本技术提供一种复合材料,旨在改善现有的有机材料稳定性较差的问题。

2、本技术实施例是这样实现的,一种复合材料,包括有机材料和核壳材料,其中,所述核壳材料的核为聚苯胺空心球,所述核壳材料的壳层的材料包括硫。

3、可选的,在本技术的一些实施例中,所述有机材料与所述核壳材料的质量比为8:(0.2~1.2);和/或

4、所述核壳材料中,所述硫的质量占比为65~80%;和/或

5、所述硫为单质硫。

6、可选的,在本技术的一些实施例中,所述聚苯胺空心球的平均粒径为10~50nm;和/或

7、所述核壳材料的壳层的平均粒径为15~55nm。

8、可选的,在本技术的一些实施例中,所述有机材料为空穴迁移率大于等于1×10-6cm2/(v·s)的有机材料;和/或

9、所述有机材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺、螺npb、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、1,3-二(咔唑-9-基)苯、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物中的一种或多种。

10、相应的,本技术实施例还提供一种复合材料的制备方法,包括如下步骤:

11、提供聚苯胺空心球、单质硫前驱体和水,混合,得到混合溶液;

12、向所述混合溶液中加入酸,反应,得到核壳材料,其中,所述核壳材料的核为聚苯胺空心球,所述核壳材料的壳层的材料包括硫;

13、将所述核壳材料与有机材料混合,得到复合材料。

14、可选的,在本技术的一些实施例中,所述单质硫前驱体包括硫代硫酸钠及其水合物中的一种或多种;和/或

15、所述酸包括盐酸和硫酸中的一种或多种;和/或

16、所述聚苯胺空心球与所述单质硫前驱体的质量比为1:(90~110);和/或

17、所述有机材料与所述核壳材料的质量比为8:(0.2~1.2);和/或

18、所述聚苯胺空心球的平均粒径为10~50nm;和/或

19、所述核壳材料的壳层的平均粒径为15~55nm。

20、相应的,本技术实施例还提供一种薄膜,所述薄膜中包括上述复合材料。

21、相应的,本技术实施例还提供一种发光器件,包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层和阴极,所述空穴传输层的材料包括上述复合材料。

22、可选的,在本技术的一些实施例中,所述阳极和所述阴极的材料分别独立选自掺杂金属氧化物颗粒电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极,所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或多种,所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns,所述金属单质电极的材料包括ag、al、cu、mo、au、pt、ca、mg及ba中的一种或多种;和/或

23、所述发光层的材料包括有机发光材料及量子点发光材料中的一种或多种,所述有机发光材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料、激基复合物发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的一种或多种,所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种,所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一种或多种,所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的一种或多种了,所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的一种或多种,所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一种或多种,所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一种或多种,所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体,所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3,其中a为cs+离子,m为二价金属阳离子,包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一种或多种,x为卤素阴离子,包括cl-、br-、i-中的一种或多种,所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3,其中b为有机胺阳离子,包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+,其中n≥2,m为二价金属阳离子,包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一种或多种,x为卤素阴离子,包括cl-、br-、i-中的一种或多种;和/或

24、所述发光器件还包括位于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层,所述电子传输层的材料包括金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料及1-3-6族半导体材料中的一种或多种,所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、ta2o3中的一种或多种;所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2中的一种或多种,掺杂元素包括al、mg、li、in、ga中的一种或多种;所述2-6半导体族材料包括zns、znse、cds中的一种或多种;所述3-5半导体族材料包括inp、gap中的一种或多种;所述1-3-6族半导体材料包括cuins、cugas中的一种或多种;和/或

25、所述发光器件还包括位于所述空穴传输层和所述阳极之间的空穴注入层,所述空穴注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss掺有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁铜、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨及氧化铜中的一种或多种

26、相应的,本技术实施例还提供一种显示装置,包括上文所述的发光器件。

27、本技术所述的复合材料中包括所述有机材料和所述核壳材料,所述核壳材料的核为聚苯胺空心球,所述聚苯胺空心球具有较高的比表面积,有利于聚苯胺与有机材料充分接触,从而增加复合材料中材料之间的接触,由于聚苯胺具有较高的稳定性,如此,有机材料搭配聚苯胺空心球可以有效提高空穴传输材料的稳定性,使得所述复合材料具有较高的稳定性。

本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20241021/319752.html

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。