复合体的制造方法与流程

本发明涉及复合体的制造方法。

背景技术：

1、以向用于检测靶标分子的试剂及诊断剂、或者用于治疗疾病的医药品中的应用为目的，进行了与在修饰抗体的配体化合物上配位放射性金属而得的复合体的标记率相关的研究。

2、专利文献1中公开了使放射性锆与作为配体化合物中的一种的dtpa在酸性的生理食盐水中反应，进行了zr络合物的形成。

3、专利文献2中公开了使放射性锆与作为配体化合物中的一种的dota在中性的hepes缓冲液中进行加热而使其反应，形成了zr络合物。

4、专利文献3中公开了使放射性锕与用作为配体化合物中的一种的dota进行了修饰的利妥昔单抗在碱性的tris缓冲液中反应，进行了ac络合物的形成。

5、专利文献4中公开了使放射性锕与用作为配体化合物中的一种的dota进行了修饰的重组igg1抗体即hum-195在ph5.5～7.0的包含龙胆酸的乙酸缓冲液中反应，进行了ac络合物的形成。

6、另外，非专利文献1中记载了下述方法：使放射性锆与作为配体化合物的dota在缓冲液中反应，形成zr络合物。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：美国专利申请公开第2014/147381号说明书

10、专利文献2：美国专利申请公开第2019/038785号说明书

11、专利文献3：美国专利申请公开第2015/0157742号说明书

12、专利文献4：美国专利申请公开第2012/0220754号说明书

13、非专利文献

14、非专利文献1：pandyaetal，chemsci.2017；8(3)：2309-14

技术实现思路

1、但是，在专利文献1及2、非专利文献1中公开的条件下，配体化合物与放射性同位素间的络合物形成未能顺利进行，对修饰有配体化合物的抗体(以下称为配体修饰抗体)无法实现基于该放射性同位素的充分的标记率。因此，期望能够对配体修饰抗体实现基于放射性同位素的高标记率的反应条件。

2、因此，本发明提供能够对配体修饰抗体赋予基于放射性同位素的高标记率的、包含放射性同位素、配体化合物及抗体的复合体的制造方法。

3、本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过使放射性金属核素与经配体化合物修饰的抗体在不含ph缓冲剂的、ph为2以上10以下的包含水的反应液中反应，能够对配体修饰抗体赋予基于该放射性同位素的高标记率。

4、即，本发明提供复合体的制造方法，其为放射性金属核素与配体修饰抗体的复合体的制造方法，所述制造方法具备下述工序：使放射性金属核素与配体修饰抗体在包含水的反应液中反应，使该放射性金属核素配位于该配体化合物，前述反应液不含有ph缓冲剂，并且ph为2以上10以下。

5、根据本发明，可以提供能够对配体修饰抗体赋予基于放射性同位素的高标记率的、包含放射性同位素、配体化合物及抗体的复合体的制造方法。

技术特征：

1.复合体的制造方法，其为放射性金属核素与抗体的复合体的制造方法，

2.如权利要求1所述的复合体的制造方法，其中，所述放射性金属核素为选自68ga、89zr、90y、111in、177lu及225ac中的至少一种。

3.如权利要求2所述的复合体的制造方法，其中，所述放射性金属核素为89zr，并且所述反应液的ph为2以上4以下。

4.如权利要求2所述的复合体的制造方法，其中，所述放射性金属核素为225ac，并且所述反应液的ph为5以上10以下。

5.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述反应液中包含的所述抗体的浓度为1μmol/l以上2000μmol/l以下。

6.如权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其中，将所述反应液加热至30℃以上80℃以下而使所述放射性金属核素配位于所述配体化合物。

7.如权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其中，所述反应液包含选自由蔗糖、海藻糖、甘露醇、麦芽糖、乳糖、阿拉伯糖、木糖、山梨糖醇、果糖、葡萄糖、甘露糖、松三糖及蔗果四糖组成的糖类组中的至少一种凝集抑制剂。

8.如权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其中，所述配体化合物由下述式(1)表示，

9.如权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其中，所述配体化合物介由接头对所述抗体的fc区域进行位点特异性修饰。

10.如权利要求9所述的复合体的制造方法，其中，所述抗体为人igg抗体，

技术总结放射性金属核素与抗体的复合体的制造方法，其具备下述工序：使放射性金属核素与经配体化合物修饰的抗体在包含水的反应液中反应，使该放射性金属核素配位于该配体化合物，前述反应液不含pH缓冲剂，并且pH为2以上10以下。前述放射性金属核素优选为选自68Ga、89Zr、90Y、111In、177Lu及225Ac中的至少一种。也优选前述放射性金属核素为89Zr，并且前述反应液的pH为2以上4以下。技术研发人员：岸本聪,大冢祐太,今井智之,成田雄大,武田拓也受保护的技术使用者：日本医事物理股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4