镀膜设备的制作方法

本技术涉及镀膜，尤其涉及一种镀膜设备。

背景技术：

1、派瑞林(parylene)是六十年代中期美国union carbide co.开发应用的一种新型敷形涂层材料，它采用真空气相沉积工艺制备，由活性小分子在基材表面生成敷形的聚合物薄膜涂层。派瑞林是一种保护性高分子材料，中文名聚对二甲苯，根据分子结构的不同，派瑞林可分为n型、c型、d型、f型、ht型等多种类型。因其在真空条件下制备，派瑞林活性分子的良好穿透力能在电子元件内部、底部，周围形成无针孔，厚度均匀的透明绝缘涂层，给元件提供一个完整的优质防护涂层，抵御酸碱、盐雾、霉菌及各种腐蚀性气件的侵害。

2、现有粉末状态的蒸发材料(如派瑞林)，在化学气相沉积(cvd)镀膜条件基本上都采用了升华、裂解整体的管式炉，也即，升华和裂解在同一个管路中。在一个镀膜循环结束及发生镀膜异常时，容易造成降温工艺时间拉长，易导致镀膜产品被污染，进而影响镀膜品质。

技术实现思路

1、本实用新型解决的技术问题是现有的镀膜设备在一个镀膜循环结束及发生镀膜异常时，容易造成降温工艺时间拉长，易导致镀膜产品被污染，进而影响镀膜品质。

2、为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种镀膜设备，包括：防护罩，具有容纳腔；升华装置，位于所述容纳腔内，所述升华装置用于对镀膜粉料进行升华，得到升华气体；冷却组件，位于所述容纳腔内，用于每次镀膜工艺结束或者异常断电时，对所述升华装置进行降温。

3、可选的，所述防护罩的顶部设置有第一开口，用于保持所述容纳腔的内部与外部之间的气流流通。

4、可选的，所述镀膜设备还包括支架，所述支架用于支撑所述防护罩以及所述升华装置。

5、可选的，所述容纳腔的底部朝向所述支架开放，并被所述支架的支撑板封住。

6、可选的，所述支撑板上设置有第二开口，所述第二开口用于保持所述容纳腔的内部与外部之间的气流流通。

7、可选的，所述冷却组件位于所述升华装置的下方。

8、可选的，所述镀膜设备还包括用于将所述升华装置连接于所述支撑板的支撑组件，所述支撑组件包括：套环，套设于所述升华装置中的升华管，所述升华管用于容置镀膜粉料并对镀膜粉料进行升华；支撑柱，与所述套环连接；支座，与所述支撑板以及所述支撑柱连接。

9、可选的，所述升华装置的进口位于所述防护罩的外部。

10、可选的，所述镀膜设备还包括裂解仓，所述裂解仓位于所述防护罩的外部，用于对所述升华气体进行裂解。

11、可选的，所述冷却组件包括冷却风扇。

12、与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下有益效果：

13、本实用新型提供的镀膜设备包括防护罩、升华装置以及冷却组件。防护罩具有容纳腔。冷却组件位于容纳腔内，每次镀膜工艺结束或者异常断电时，冷却组件对所述升华装置进行降温。如此，可以在每次镀膜工艺结束或者异常断电时快速对升华装置进行冷却，有效的缩短降温工艺的时长或者下一工艺的准备时长，减小镀膜粉料在降温工艺过程或者下一工艺的准备过程中的升华概率，进而减小镀膜产品被污染的概率，确保镀膜品质。

技术特征：

1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述防护罩的顶部设置有第一开口，用于保持所述容纳腔的内部与外部之间的气流流通。

3.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括支架，所述支架用于支撑所述防护罩以及所述升华装置。

4.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述容纳腔的底部朝向所述支架开放，并被所述支架的支撑板封住。

5.如权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，所述支撑板上设置有第二开口，所述第二开口用于保持所述容纳腔的内部与外部之间的气流流通。

6.如权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，所述冷却组件位于所述升华装置的下方。

7.如权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，还包括用于将所述升华装置连接于所述支撑板的支撑组件，所述支撑组件包括：

8.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述升华装置的进口位于所述防护罩的外部。

9.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：裂解仓，所述裂解仓位于所述防护罩的外部，用于对所述升华气体进行裂解。

10.如权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述冷却组件包括冷却风扇。

技术总结本技术提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：防护罩，具有容纳腔；升华装置，位于所述容纳腔内，所述升华装置用于对镀膜粉料进行升华，得到升华气体；冷却组件，位于所述容纳腔内，用于每次镀膜工艺结束或者异常断电时，对所述升华装置进行降温。采用上述方案，可以在每次镀膜工艺结束或者异常断电时快速对升华装置进行冷却，有效的缩短降温工艺的时长或者下一工艺的准备时长，减小镀膜粉料在降温工艺过程或者下一工艺的准备过程中的升华概率，进而减小镀膜产品被污染的概率，确保镀膜品质。技术研发人员：宗坚,韩辉受保护的技术使用者：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司技术研发日：20231011技术公布日：2024/6/13