硅片定位机构及硅片加工设备的制作方法

本申请涉及微纳加工的，特别是涉及一种硅片定位机构及硅片加工设备。

背景技术：

1、随着智能手机、物联网等技术的快速发展，半导体行业成为全球范围内最具竞争力的行业之一。在半导体芯片的制造过程中，需要将多层硅片或其他材质的基底进行对准并定位，以将硅片或基底上的微纳结构复制并转移到与之接触的硅片上。

2、传统技术中，通常需要借助吸盘等工具对硅片进行吸附，并借助三维精密位移台和显微镜来实现对多层硅片的对准与压紧，然而，由于存在操作误差，在压紧的过程中会对硅片造成过度挤压而造成硅片损坏，导致半导体芯片制造的良品率低。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对过度挤压造成的硅片损坏，导致半导体芯片良品率低的问题，提供一种硅片定位机构及硅片加工设备。

2、其技术方案如下：

3、一个实施例提供了一种硅片定位机构，包括：

4、基座，所述基座具有承载面，所述承载面设有用于堆叠至少两个硅片的堆叠位，所述承载面开设有组配槽；及

5、盖体，所述盖体可拆卸地设于所述基座并设有组配部和抵压部，所述组配部能够与所述组配槽组配以形成负压空间，所述基座还设有气孔，所述气孔用于连通所述负压空间与负压装置，所述盖体开设有操作窗口，所述操作窗口与所述堆叠位对应设置，所述抵压部用于抵压位于所述堆叠位内最上层的所述硅片。

6、上述的硅片定位机构，使用时，先将盖体从基座上拆下，将至少两片硅片堆叠在基座的承载面的堆叠位，再将盖体的组配部与承载面的组配槽进行组配，以使盖体上的抵压部抵压于堆叠位最上层的硅片，此时，负压装置通过气孔吸走负压空间内的气体，以在负压空间内形成负压，在负压空间内的负压环境的作用下，组配部被牢牢吸附在组配槽内，进而使得盖体上的抵压部能够牢牢压紧位于堆叠位的硅片，以实现硅片的定位，随后通过操作窗口对硅片进行后续处理；与传统技术相比，上述的硅片定位机构通过负压空间内的负压环境对盖体产生吸力，以使盖体上的抵压部能够均匀压紧堆叠位的硅片，不会对硅片造成过度挤压而损坏硅片，进而提高半导体芯片的制造良品率。

7、在其中一个实施例中，所述组配槽沿所述堆叠位的周向环绕设置，所述组配部包括环形凸起，所述环形凸起沿所述操作窗口的周向围设，所述环形凸起能够与所述组配槽组配以形成所述负压空间。

8、在其中一个实施例中，所述组配槽设有第一槽段和第二槽段，所述第一槽段和所述第二槽段沿所述组配槽的深度方向依次设置，设置所述第一槽段的槽宽为第一宽度，所述第二槽段槽宽为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一槽段用于容纳所述环形凸起，所述气孔与所述第二槽段连通。

9、在其中一个实施例中，所述硅片定位机构还包括第一密封圈，所述第一密封圈设于所述第一槽段的内侧壁并能够抵触所述环形凸起的外侧壁。

10、在其中一个实施例中，所述硅片定位机构还包括第二密封圈，所述第二密封圈设于所述第一槽段的外侧壁并能够抵触所述环形凸起的内侧壁。

11、在其中一个实施例中，所述气孔设有至少两个，所有的所述气孔均沿所述第二槽段的周向间隔设置。

12、在其中一个实施例中，所述抵压部包括抵压块，所述抵压块设于所述操作窗口的侧壁，所述抵压块用于抵压位于所述堆叠位最上层的所述硅片。

13、在其中一个实施例中，所述抵压块设有至少两个，所有的所述抵压块均沿所述操作窗口的周向间隔设置。

14、在其中一个实施例中，所述基座背向所述承载面的一面开设有限位槽，所述限位槽的侧壁设有限位缺口，所述硅片定位机构还包括承托部件，所述承托部件设有限位柱，所述限位柱的侧壁设有限位凸起，所述限位柱能够进入限位槽并使所述限位凸起与所述限位缺口组配。

15、另一个实施例提供了一种硅片加工设备，所述硅片加工设备包括如上述的硅片定位机构。

技术特征：

1.一种硅片定位机构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片定位机构，其特征在于，所述组配槽沿所述堆叠位的周向环绕设置，所述组配部包括环形凸起，所述环形凸起沿所述操作窗口的周向围设，所述环形凸起能够与所述组配槽组配以形成所述负压空间。

3.根据权利要求2所述的硅片定位机构，其特征在于，所述组配槽设有第一槽段和第二槽段，所述第一槽段和所述第二槽段沿所述组配槽的深度方向依次设置，设置所述第一槽段的槽宽为第一宽度，所述第二槽段槽宽为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一槽段用于容纳所述环形凸起，所述气孔与所述第二槽段连通。

4.根据权利要求3所述的硅片定位机构，其特征在于，所述硅片定位机构还包括第一密封圈，所述第一密封圈设于所述第一槽段的内侧壁并能够抵触所述环形凸起的外侧壁。

5.根据权利要求3所述的硅片定位机构，其特征在于，所述硅片定位机构还包括第二密封圈，所述第二密封圈设于所述第一槽段的外侧壁并能够抵触所述环形凸起的内侧壁。

6.根据权利要求3所述的硅片定位机构，其特征在于，所述气孔设有至少两个，所有的所述气孔均沿所述第二槽段的周向间隔设置。

7.根据权利要求1所述的硅片定位机构，其特征在于，所述抵压部包括抵压块，所述抵压块设于所述操作窗口的侧壁，所述抵压块用于抵压位于所述堆叠位最上层的所述硅片。

8.根据权利要求7所述的硅片定位机构，其特征在于，所述抵压块设有至少两个，所有的所述抵压块均沿所述操作窗口的周向间隔设置。

9.根据权利要求1所述的硅片定位机构，其特征在于，所述基座背向所述承载面的一面开设有限位槽，所述限位槽的侧壁设有限位缺口，所述硅片定位机构还包括承托部件，所述承托部件设有限位柱，所述限位柱的侧壁设有限位凸起，所述限位柱能够进入限位槽并使所述限位凸起与所述限位缺口组配。

10.一种硅片加工设备，其特征在于，所述硅片加工设备包括如权利要求1-9任一项所述的硅片定位机构。

技术总结本申请涉及一种硅片定位机构及硅片加工设备，包括基座和盖体，基座具有承载面，承载面设有用于堆叠至少两个硅片的堆叠位，承载面开设有组配槽；盖体可拆卸地设于基座并设有组配部和抵压部，组配部能够与组配槽组配以形成负压空间，基座还设有气孔，气孔用于连通负压空间与负压装置，盖体开设有操作窗口，操作窗口与堆叠位对应设置，抵压部用于抵压位于堆叠位内最上层的硅片。与传统技术相比，上述的硅片定位机构通过负压空间内的负压环境对盖体产生吸力，以使盖体上的抵压部能够均匀压紧堆叠位的硅片，不会对硅片造成过度挤压而损坏硅片，进而提高半导体芯片的制造良品率。技术研发人员：谭则杰,田兵,赵继光,徐振恒,吕前程,梁水康,尹旭,刘仲,聂少雄受保护的技术使用者：南方电网数字电网研究院股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2